导读:本文包含了共晶键合论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:压电陶瓷,微细加工,共晶键合,对准切割
共晶键合论文文献综述
颜平,李以贵,黄远,田中克彦,杉山进[1]（2016）在《基于共晶键合与对准切割的压电材料微细加工》一文中研究指出高硬度陶瓷材料的微加工一直是微细加工的难题。为了解决此难题,采用金膜为中间层的硅-锆钛酸铅(Si-PZT)共晶键合工艺和带进刀标记的PZT压电陶瓷的切割加工,制备出块状PZT微结构。实验结果表明,当金膜厚为1μm时,Si-PZT的共晶键合强度可达20 MPa以上。这个强度可为PZT材料的切割加工和应用提供有力保障。Si-PZT共晶键合与PZT的对准切割加工结合的方法可在微细领域加工PZT等超硬材料,为加工PZT微结构阵列提供一种新途径。(本文来源于《压电与声光》期刊2016年03期）
李以贵,颜平,黄远,杉山进[2]（2016）在《共晶键合与减薄技术的压电能量采集器（英文）》一文中研究指出采用微硅-锆钛酸铅(Si-PZT)悬臂梁结构并在悬臂梁末端附加镍质量块,构成可以工作于低频环境(小于1 000Hz)的微压电能量采集器,一种利用压电效应将环境振动能转换为电能的器件。利用金薄膜作为中间层的共晶键合技术和PZT研磨减薄技术制备了微压电悬臂梁结构,PZT减薄实验最好结果为减薄至8μm。镍质量块(2mm×2mm×0.6mm)采用微电铸工艺制备。通过对硅片与块材PZT的共晶键合工艺与PZT减薄技术的研究,制备出总厚度约为71μm的Si-PZT悬臂梁结构,其中硅梁厚约为47μm,PZT梁厚约为24μm。制备的微压电振动能量采集器样品的测试结果表明:在谐振频率为950 Hz,1.0g加速度激励条件下,其交流输出峰值电压可达958mV。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2016年06期）
陈颖慧,施志贵,郑英彬,王旭光,张慧[3]（2015）在《金-硅共晶键合技术及其应用》一文中研究指出采用金属过渡层来实现硅-硅低温键合,首先介绍了选择钛金作为金属过渡层的原因和金硅共晶键合的基本原理,然后探索了不同键合面积和不同金层厚度对金硅共晶键合质量的影响规律,开展了图形化的硅晶圆和硅盖板之间的低温共晶键合实验研究,获取了最优键合面积的阈值和最优金层厚度.最后将该低温金硅共晶键合技术应用到MEMS器件圆片级封装实验中,实验结果表明较好地实现了MEMS惯性器件的封装强度,但是还存在密封性差的缺陷,需进一步进行实验改进.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2015年01期）
胥超,徐永青,杨拥军,杨志[4]（2014）在《Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用》一文中研究指出研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5 mm×4.5 mm×20μm,Au/Sn环的宽度为700μm,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如组分配比、键合前处理和键合温度等)进行了分析。两层硅片在氮气气氛中靠静态的压力实现紧密接触。在峰值温度为300℃、持续时间为2 min的条件下实现了良好的键合效果,其剪切力平均值达到16.663 kg,漏率小于2×10-3 Pa·cm3/s,满足检验标准(GJB548A)的要求,验证了Au/Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中的适用性。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2014年02期）
陈颖慧,施志贵,郑英彬,隆艳,王旭光[5]（2013）在《不同键合温度对低温硅-硅共晶键合的影响》一文中研究指出选取Ti/Au作为金属过渡层来实现低温硅-硅共晶键合。首先介绍了共晶键合的基本原理,分析了选择金-硅共晶键合的原因,设计了单面溅金、双面溅金以及不同温度下的硅-硅共晶键合实验。采用超声波显微镜对键合样品内部空洞缺陷进行了测试,采用测试设备Dage 4000Plus对键合样品的键合强度性能进行了测试,并对测试结果进行了分析讨论。不同温度测试结果表明,380℃为最佳的金-硅共晶键合温度;单、双面溅金测试结果表明,双面溅金键合工艺优于单面溅金键合工艺。较低温度下实现较高键合强度的硅-硅键合实验表明,金-硅共晶键合的工艺简单、键合温度低,且对工艺环境要求不高。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2013年09期）
陈继超,赵湛,杜利东,刘启民,肖丽[6]（2013）在《利用银锡共晶键合技术的MEMS压力传感器气密封装》一文中研究指出为了提高MEMS压力传感器的气密封装效果,利用银锡(Ag-Sn)焊片共晶键合的方法实现封装.首先介绍了工艺流程,然后利用X射线能谱(EDX)和剪切强度分析对共晶键合的温度和时间参数进行了优化,接着对9组静载荷下的剪切强度、Ag-Sn合金分布和键合层断面做了对比分析,最后做了X光检测、氦泄漏率对比测试及MEMS压力传感器实际效果测试.实验结果表明,在温度为230℃、加热时间为15 min、静载荷范围为0.003 9 MPa～0.007 8 MPa时,MEMS压电传感器的平均剪切强度达到14.22 MPa～18.28 MPa,X光检测无明显空洞,氦泄漏率不超过5×10-4Pa.cm3/s,测试曲线表明线性度较好.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2013年02期）
陈继超,赵湛,刘启民,肖丽,杜利东[7]（2012）在《基于Ag-Sn焊片共晶键合的MEMS气密性封装》一文中研究指出研究了在MEMS气密性封装中基于Ag-Sn焊片的共晶键合技术。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,在221℃实现了良好的键合效果,充N2保护的键合环境下,平均剪切强度达到9.4 MPa.叁个月前后气密性对比实验表明氦泄漏不超过5×10-4Pa.cm3/s,满足GJB548B—2005标准规定,验证了Ag-Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中应用的可行性。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2012年06期）
孙健[8]（2011）在《基于共晶键合技术的压电能量采集器的研究》一文中研究指出近年来,随着微电子技术、微机械加工技术以及无线传感技术的突飞猛进,诸如嵌入式系统、射频识别系统、无线传感器以及各种可植入微型传感器之类的电子产品已经进入集成化、微型化和低功耗的时代,传统的输电线路和化学电池已经不能满足这些微型电子器件的供能要求。基于MEMS技术的振动能量采集器利用压电材料的压电效应,将周围环境中的振动机械能转化为电能,它可以很好的与各种微电子芯片、微传感器和微执行器集成在一起,为微型电子器件提供持久、稳定和清洁的能源。目前,MEMS压电振动能量采集器已经成为国内外许多研究小组的研究热点,并具有十分重要的科学意义和广阔的应用前景。本文围绕基于共晶键合技术的微压电振动能量采集器展开研究,概括了微型压电振动能量采集器的国内外发展现状与趋势,对各种结构的能量采集器进行了分析比较,提出了利用高性能块材PZT和硅片的共晶键合工艺制作高性能微型压电振动能量采集器,这是对高性能微能源设计和制造的一次有益探索,为下一步完善和优化微型压电振动能量采集器提供了很好的理论和实践基础。论文的主要研究内容是:在查阅了大量的中英文文献资料的基础上,探讨能量采集技术的研究背景及意义,系统分析了国内外关于MEMS压电振动能量采集器的研究进展;详细介绍了压电效应的原理和压电材料的分类,深入分析微型压电振动能量采集器的相关理论,推导压电悬臂梁的固有频率及电压、功率输出公式,并探讨悬臂梁的输出与其结构参数和施加加速度之间的关系;使用ANSYS有限元仿真软件对这种压电复合结构进行静态、模态和压电谐响应分析,针对使用环境中振动源频率普遍低于1000Hz的情况,确定其最佳结构尺寸以获得较低的固有频率;着重进行块材PZT与硅片的共晶键合工艺研究,获得了较好的键合结果,即在500℃下键合1h,键合强度可达13.2MPa;采用其他MEMS标准工艺制作微压电振动能量采集器样品,顺利完成了压电悬臂梁的工艺设计和实验,成功地制作出微型压电悬臂梁;搭建了一套完整的测试系统,包括信号发生器、功率放大器、示波器、振动台和加速度仪等,对制作的微压电振动能量采集器样品进行一系列性能测试,测试结果与仿真分析有较好的吻合。所制备的微能量采集器样品的谐振频率为815Hz,在0.5g加速度激励下,峰值输出电压可达632mV;最后,提出进一步改进器件成品率和器件性能的方案。(本文来源于《上海交通大学》期刊2011-01-01）
刘兵武,张兆华,谭智敏,林惠旺,刘理天[9]（2006）在《用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术》一文中研究指出分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果。这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低,特别适合于已经做过结构的器件键合封接工艺。(本文来源于《半导体技术》期刊2006年12期）
张东梅,丁桂甫,汪红,姜政,姚锦元[10]（2006）在《MEMS器件气密性封装的低温共晶键合工艺研究》一文中研究指出介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/N i/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190℃、压强为150 Pa的真空中进行键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。试验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金分布均匀、无缝隙、气泡等脱焊区,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2006年01期）
共晶键合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用微硅-锆钛酸铅(Si-PZT)悬臂梁结构并在悬臂梁末端附加镍质量块,构成可以工作于低频环境(小于1 000Hz)的微压电能量采集器,一种利用压电效应将环境振动能转换为电能的器件。利用金薄膜作为中间层的共晶键合技术和PZT研磨减薄技术制备了微压电悬臂梁结构,PZT减薄实验最好结果为减薄至8μm。镍质量块(2mm×2mm×0.6mm)采用微电铸工艺制备。通过对硅片与块材PZT的共晶键合工艺与PZT减薄技术的研究,制备出总厚度约为71μm的Si-PZT悬臂梁结构,其中硅梁厚约为47μm,PZT梁厚约为24μm。制备的微压电振动能量采集器样品的测试结果表明:在谐振频率为950 Hz,1.0g加速度激励条件下,其交流输出峰值电压可达958mV。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
共晶键合论文参考文献
[1].颜平,李以贵,黄远,田中克彦,杉山进.基于共晶键合与对准切割的压电材料微细加工[J].压电与声光.2016
[2].李以贵,颜平,黄远,杉山进.共晶键合与减薄技术的压电能量采集器（英文）[J].强激光与粒子束.2016
[3].陈颖慧,施志贵,郑英彬,王旭光,张慧.金-硅共晶键合技术及其应用[J].纳米技术与精密工程.2015
[4].胥超,徐永青,杨拥军,杨志.Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用[J].微纳电子技术.2014
[5].陈颖慧,施志贵,郑英彬,隆艳,王旭光.不同键合温度对低温硅-硅共晶键合的影响[J].微纳电子技术.2013
[6].陈继超,赵湛,杜利东,刘启民,肖丽.利用银锡共晶键合技术的MEMS压力传感器气密封装[J].纳米技术与精密工程.2013
[7].陈继超,赵湛,刘启民,肖丽,杜利东.基于Ag-Sn焊片共晶键合的MEMS气密性封装[J].仪表技术与传感器.2012
[8].孙健.基于共晶键合技术的压电能量采集器的研究[D].上海交通大学.2011
[9].刘兵武,张兆华,谭智敏,林惠旺,刘理天.用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术[J].半导体技术.2006
[10].张东梅,丁桂甫,汪红,姜政,姚锦元.MEMS器件气密性封装的低温共晶键合工艺研究[J].传感器与微系统.2006