等离子体增强原子层沉积技术制备碳化钴薄膜

等离子体增强原子层沉积技术制备碳化钴薄膜

论文摘要

报道了一种新型PE-ALD工艺用于沉积碳化钴薄膜。以脒基钴为前驱体,在氢等离子体作用下,成功制备了碳化钴薄膜。薄膜厚度与沉积循环关系显示薄膜生长为理想的逐层生长行为,100℃下薄膜生长速率为0.066 nm/cycle。利用XRD和TEM对所沉积的薄膜进行表征,结果表明薄膜是多晶的六方晶系Co3C晶体结构。XPS的结果表明沉积的碳化钴膜具有高纯度。在深宽比高达20:1的硅基底沟槽中研究碳化钴薄膜的保型性,显示该PE-ALD工艺可以沉积厚度均匀、光滑且高度保形的碳化钴薄膜,这有利于在高深宽比的3D结构中的涂覆并且在负载催化剂领域具有潜在应用。

论文目录

  • 1 实验装置
  • 2 结果与讨论
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 樊启鹏,胡玉莲,刘博文,田旭,江德荣,刘忠伟

    关键词: 氢等离子体,原子层沉积,碳化钴薄膜,低温

    来源: 真空 2019年05期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

    专业: 无机化工,有机化工,材料科学

    单位: 北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理与材料研究室

    基金: 国家自然科学基金(11775028),绿色印刷与出版技术协同创新中心(15208),北京市大学生科研计划(201803011),北京印刷学院校级项目(Ea201801 and 12000400001,04190118002,016)

    分类号: TB383.1;TQ426;TQ138.12

    DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.05.11

    页码: 56-60

    总页数: 5

    文件大小: 2862K

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    等离子体增强原子层沉积技术制备碳化钴薄膜
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