导读:本文包含了杂散电感论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电感,碳化硅,断路器,特性,变流器,频率,动态。
杂散电感论文文献综述
赵锡正,魏晓光,齐磊,喻湄霁,周万迪[1]（2019）在《直流断路器半导体组件关断暂态杂散电感研究》一文中研究指出母排杂散电感是影响绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)工作可靠性的关键因素之一。为得到杂散电感对直流断路器半导体组件的影响机理,进而提出降低杂散电感的优化设计方法,该文首先分析混合式直流断路器半导体组件关断暂态过程,建立包含杂散电感在内的二极管全桥组件关断暂态等效电路,在此基础上通过理论分析、仿真计算和试验相结合的方法,深入研究二极管全桥组件内部杂散电感对IGBT关断电压过冲的影响。提出以量化分析杂散电感对IGBT关断电压影响的灵敏度系数,并据此提出二极管全桥组件杂散电感的设计原则。以此原则设计搭建二极管全桥组件试验验证平台。仿真与试验结果吻合良好,验证了杂散电感影响分析的准确性,以及杂散电感优化方案的有效性。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2019年19期）
李广卓,阮杰,刘畅,骆宗义,邓焰[2]（2019）在《多层迭层母排杂散电感频率特性分析》一文中研究指出迭层母排作为大容量电力电子装置中的主要连接部件,能够有效减小装置换流回路中的杂散电感,抑制开关瞬态过程中功率器件上非理想的电压尖峰。采用多电平拓扑的电力电子装置因其复杂的拓扑结构需采用多层迭层母排。多层迭层母排换流回路中包含的导体层在高频激励下会产生涡流,中间导体层中存在的涡流场会影响换流回路中电磁场分布,进而影响多层迭层母排高频下的杂散电感。分析了多层迭层母排与双层迭层母排高频杂散电感之间的差异。结合电磁场分析结果,定量地表征了多层迭层母排不同激励频率下杂散电感变化规律。并通过有限元仿真,验证了分析结果的准确性。(本文来源于《高电压技术》期刊2019年07期）
乔流,刘丽华,耿智,刘雷松[3]（2019）在《基于杂散电感的瞬变电磁发射电流关断特性研究》一文中研究指出在浅层探测瞬变电磁系统中,发射系统电路的杂散参数是导致发射电流关断早期振荡的关键因素。为解决发射关断早期振荡问题,提出了一种基于杂散电感模型的新型浅层瞬变电磁发射机电路设计方法,重点研究了其杂散电感模型的建模方法,并通过电路分析和MATLAB仿真分析了发射电流关断瞬态特性和电流关断早期振荡的产生机理。通过发射系统电路仿真和实验实测结果对比与分析表明,杂散电感模型理论分析与实验结果一致,可以准确模拟出实际发射电路关断早期振荡。研究工作对浅层瞬变电磁探测系统电路的优化设计,反演解释以及工程应用具有重要意义。(本文来源于《电子测量技术》期刊2019年11期）
吴鹏飞,唐新灵,张语,张朋[4]（2019）在《回路电阻对测试平台杂散电感计算的影响研究》一文中研究指出利用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开通瞬态波形或者关断瞬态波形来计算测试平台回路杂散电感是一种简单便捷的计算方法。此处认为IGBT动态测试平台回路电阻对杂散电感的计算结果有很大影响。根据IGBT开关瞬态过程中测试平台的等效电路,用Synopsys Saber软件建立了仿真电路,此处分析了回路电阻对计算结果的影响规律。以实际测试平台为分析对象,根据实测波形分析了回路电阻在杂散电感计算过程中的影响特点,试验结果与仿真结果相互吻合,验证了此处分析的正确性。(本文来源于《电力电子技术》期刊2019年05期）
李辉,胡玉,王坤,全瑞坤,夏桂森[5]（2019）在《考虑杂散电感影响的风电变流器IGBT功率模块动态结温计算及热分布》一文中研究指出针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块内部并联芯片间动态不均流导致损耗分布存在差异,传统结温计算方法无法准确反映模块内部热分布的问题,提出考虑模块内部封装杂散电感影响的IGBT功率模块动态结温计算方法。首先,建立考虑杂散电感的IGBT等效电路模型,仿真证明功率模块内部电流分布不均的机理。其次,定量推导杂散电感与开通损耗的关系,提出基于多芯片电热耦合影响的IGBT模块内部动态结温计算方法,并通过实验验证。最后,结合双馈风电机组控制策略,建立计及杂散电感影响的风电变流器功率模块电热仿真模型,并与传统模型进行比较。结果表明,所提模型可准确反映模块内部各芯片结温均值及波动幅值的差异性。(本文来源于《电工技术学报》期刊2019年20期）
谢宗奎[6]（2019）在《杂散电感对SiC MOSFET开关过程的影响分析及优化研究》一文中研究指出碳化硅(SiC)材料与传统的硅(Si)材料相比,在禁带宽度、热导率、熔点和击穿场强等方面具有更明显的优势。同样,Sic功率半导体器件相比于传统的硅(Si)基功率器件在高压、高温、高频方面具有更大的优势,因此SiC功率器件得到了越来越广泛的应用,而在SiC功率半导体器件中SiC MOSFET的发展最为成熟,应用最为广泛。SiC MOSFET相比于同等级的SiMOSFET或SiIGBT,具有更低的导通电阻和开关损耗、更高的开关频率以及更好的高温稳定性。虽然,SiC MOSFET的性能要优于相同电压等级的传统Si基器件,但是由于其芯片杂散电容很小,所以开关速度非常快,在杂散电感的作用下会导致SiC MOSFET在开关过程中承受较大的电气应力,严重时可能会导致器件损坏或失效。所以为了充分发挥出SiC MOSFET的优异性能,需要分析杂散电感对SiC MOSFET开关特性的影响,并对杂散电感做出相应优化。本文依托国家科技部重点研发计划项目“高压大功率SiC材料、器件及其在电力电子变压器中的示范应用”,分析了杂散电感对SiC MOSFET开关过程中的影响,并给出其优化方案。本文首先设计并搭建了 SiC MOSFET开关瞬态特性测试系统,并提出了 SiC MOSFET封装电感和续流回路杂散电感的提取方法为后文杂散电感优化提供测量基础。然后通过仿真和实验分析了封装电感和续流回路杂散电感对SiC MOSFET开关瞬态特性的影响,并提出了封装电感和续流回路杂散电感的优化方案。(本文来源于《华北电力大学(北京)》期刊2019-03-01）
李广卓[7]（2019）在《大容量变流器迭层母排杂散电感性能分析》一文中研究指出优化换流回路杂散参数被学术界与工业界公认为是提升电力电子装置鲁棒性与可靠性的重要手段。迭层母排作为换流回路中最主要的组成部分,在不同的激励条件下,其杂散电感变化和电磁场分布变化十分复杂。目前大容量电力电子装置中迭层母排的设计趋于经验化、理想化,缺乏理论性、系统性的研究。为此本文着眼于母排杂散电感性能,研究了母排杂散电感分析的相关理论和实验方法,研究内容包括多层母排杂散电感频率特性数学建模、母排杂散电感与端口高频电容之间的匹配关系以及考虑母排杂散电感的场路耦合分析方法,取得的主要成果包括:首先,通过深入研究多层母排中电磁场分布,发现了换流回路相对磁导率变化是导致高频下多层母排杂散电感衰减的主要原因。证明了多层母排中的涡流场是影响换流回路杂散电感的主导因素,据此给出了母排杂散电感与激励频率之间的定量化表达式。在剖析多层母排杂散电感频率特性的基础上,研究了功率器件关断瞬态电压过冲与电流变化率之间的非线性关系。并通过有限元数值计算方法对理论分析结果加以验证。其次,直流母线支撑电容模组杂散电感也是换流回路杂散电感的主要来源之一,在端口处增加高频电容能够降低母线支撑电容带来的影响。为优化端口高频电容的选择,从频域下母排端口阻抗特性和时域下功率器件关断瞬态过程两个角度,梳理了母排端口高频电容取值的影响因素,给出了母排端口高频电容的取值方法。最后,结合两款母排的杂散电感实验提取结果,研究了测试工况对母排杂散电感实验提取结果的影响,验证了复杂结构母排杂散电感有限元提取方法。为实现大容量电力电子装置中母排性能的快速准确分析,研究了计及母排杂散参数的大容量电力电子装置场路耦合分析方法。通过大容量电力电子器件动态特性测试应用平台,验证该分析方法的有效性。本文以迭层母排为研究对象,研究了母排杂散电感频率特性的数学模型,分析了换流回路杂散电感的优化方法。提出了适用于大容量电力电子装置的场路耦合分析方法,克服了电磁场与外电路独立分析的局限性,提高了大容量电力电子装置中迭层母排的设计优化效率。最后通过大容量电力电子器件动态特性测试应用平台对上述理论分析进行验证,通过多时间尺度下,实验波形结果与仿真波形结果的对比,证明了场路耦合分析方法应用于大容量电力电子装置设计过程的可行性和准确性。(本文来源于《浙江大学》期刊2019-01-15）
胡四全,何青连,范彩云,刘堃[8]（2018）在《混合式直流断路器子模块杂散电感对子模块电压的影响》一文中研究指出分析了混合型直流断路器转移支路的电气结构,建立了直流断路器分断试验PSCAD仿真模型。在通态和断态情况下,分别分析了转移支路子模块杂散电感对子模块暂态电压的影响,并提出了降低子模块电压的措施。研究为混合型直流断路器的研制提供了指导。(本文来源于《电器与能效管理技术》期刊2018年22期）
谢宗奎,柯俊吉,赵志斌,黄华震,崔翔[9]（2018）在《碳化硅MOSFET换流回路杂散电感提取方法的优化》一文中研究指出在基于碳化硅(SiC)MOSFET器件的高压高频变换器中,快速的开关瞬态电流变化率di/dt会作用于换流回路杂散电感上,导致SiC MOSFET器件承受较大的电气应力,增加系统电磁干扰。因此,换流回路杂散电感的准确提取对于分析器件的开关特性非常关键。所以,该文提出了基于开关振荡频率的换流回路杂散电感提取方法,该方法具有不受杂散电阻、测量延时和平台尺寸的限制等优点。最后将该方法与现有的不同杂散电感提取方法进行了对比,验证了其有效性。(本文来源于《电工技术学报》期刊2018年21期）
朱艺锋,田野,郑景乐[10]（2018）在《基于加权最小二乘的变流器杂散电感提取方法》一文中研究指出在功率变流器中,由于线路杂散电感的存在,IGBT关断瞬间会产生电压尖峰并对整个电路性能产生较大影响。准确分析提取线路的杂散电感,可以优化变流器系统的设计并提升变流器运行的整体性能。针对IGBT关断过程中因电流变化率不易准确提取使得杂散电感计算不准的问题,提出一种基于加权最小二乘法来计算杂散电感的优化方法,并通过电容两侧布局的拓扑结构进行分析。仿真和实验结果表明,该方法可以提高IGBT关断电流变化率线性化提取的准确度,降低线路杂散电感的计算误差。(本文来源于《制造业自动化》期刊2018年08期）
杂散电感论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
迭层母排作为大容量电力电子装置中的主要连接部件,能够有效减小装置换流回路中的杂散电感,抑制开关瞬态过程中功率器件上非理想的电压尖峰。采用多电平拓扑的电力电子装置因其复杂的拓扑结构需采用多层迭层母排。多层迭层母排换流回路中包含的导体层在高频激励下会产生涡流,中间导体层中存在的涡流场会影响换流回路中电磁场分布,进而影响多层迭层母排高频下的杂散电感。分析了多层迭层母排与双层迭层母排高频杂散电感之间的差异。结合电磁场分析结果,定量地表征了多层迭层母排不同激励频率下杂散电感变化规律。并通过有限元仿真,验证了分析结果的准确性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
杂散电感论文参考文献
[1].赵锡正,魏晓光,齐磊,喻湄霁,周万迪.直流断路器半导体组件关断暂态杂散电感研究[J].中国电机工程学报.2019
[2].李广卓,阮杰,刘畅,骆宗义,邓焰.多层迭层母排杂散电感频率特性分析[J].高电压技术.2019
[3].乔流,刘丽华,耿智,刘雷松.基于杂散电感的瞬变电磁发射电流关断特性研究[J].电子测量技术.2019
[4].吴鹏飞,唐新灵,张语,张朋.回路电阻对测试平台杂散电感计算的影响研究[J].电力电子技术.2019
[5].李辉,胡玉,王坤,全瑞坤,夏桂森.考虑杂散电感影响的风电变流器IGBT功率模块动态结温计算及热分布[J].电工技术学报.2019
[6].谢宗奎.杂散电感对SiCMOSFET开关过程的影响分析及优化研究[D].华北电力大学(北京).2019
[7].李广卓.大容量变流器迭层母排杂散电感性能分析[D].浙江大学.2019
[8].胡四全,何青连,范彩云,刘堃.混合式直流断路器子模块杂散电感对子模块电压的影响[J].电器与能效管理技术.2018
[9].谢宗奎,柯俊吉,赵志斌,黄华震,崔翔.碳化硅MOSFET换流回路杂散电感提取方法的优化[J].电工技术学报.2018
[10].朱艺锋,田野,郑景乐.基于加权最小二乘的变流器杂散电感提取方法[J].制造业自动化.2018
论文知识图
