论文摘要
大量文献已经报道非晶硅/晶体硅异质结电池每层材料的参数对电池的影响,如厚度、掺杂浓度等,但是并没有进一步给出透明导电氧化物薄膜TCO的功函数对电池的影响以及如何选择合适的TCO,也很少有报道界面态密度对异质结太阳能电池的影响机理。本研究表明,对于n型单晶硅片为衬底的异质结电池,发射场的TCO功函数越大越好,最佳范围是5.4～6.3 eV。对于背场的TCO功函数越小越好,最佳范围是3.6～4.0 eV。另外研究表明,对于n型衬底的非晶硅/晶体硅异质结电池(HIT电池),与衬底背面与非晶硅的界面态(Dit2)相比,衬底前表面与非晶硅的界面态(Dit1)是影响电池性能的主要因素,并且Dit1和Dit2态中,与类施主态相比,对电池效率起到主要影响作用的都是类受主态。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 周理想,黄仕华,吴锋民
关键词: 异质结,太阳能电池,模拟,功函数,缺陷密度
来源: 材料导报 2019年S2期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 浙江师范大学固体光电器件省级重点实验室
基金: 浙江省自然科学基金(LY17F040001),复旦大学表面物理实验室(国家重点实验室)开放项目(KF2015_02),中国科学院红外物理国家实验室开放项目(M201503)~~
分类号: TM914.4
页码: 28-31
总页数: 4
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