论文摘要
"回熔"依然是Ga N-on-Si光电器件发展到今天的主要难题,严重影响量产的稳定性与器件的可靠性。当前"多腔+AlN模板"生长法能避免镓回熔,但仍然无法解决"铝回熔"。本文从AlN微粒的来源,AlN生长动力学,AlN微粒引起Si衬底表面"台阶流"的局部畸变,晶格继承等方面全面分析无镓无铝环境重要性。通过对三款主流商用MOCVD进行比较分析,参考AIXTRON MOCVD G5氯气在线清洗工艺,对THOMAS SWAN CCS MOCVD气路进行改造,设计非钎焊耐氯7片机喷头,缩短喷淋头与石墨基座间距离,获得无镓无铝环境。该结果是有效研究回熔机制的基础,监测并控制反应室内的镓铝粉尘环境,有望从理论及机理上推动GaN-on-Si电子器件迈上新台阶。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 杨超普,方文卿,刘明宝,毛清华,阳帆
关键词: 外延
来源: 人工晶体学报 2019年11期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 化学,无线电电子学
单位: 商洛学院化学工程与现代材料学院,南昌大学材料科学与工程学院,商洛学院陕西省尾矿资源综合利用重点实验室,南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,安徽工业大学数理科学与工程学院
基金: 国家自然科学基金(61864008),国家重点研发计划(2017YFB0403700),安徽省自然科学面上基金(1808085MF205)
分类号: O614.31;TN15
DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.11.008
页码: 2032-2037+2061
总页数: 7
文件大小: 566K
下载量: 44
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