可控硅开关阀论文_熊宏锦,饶喆,熊鹏文,苑秉成

导读:本文包含了可控硅开关阀论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:可控硅,功率放大器,状态,甚低频,晶闸管,耦合器,调节器。

可控硅开关阀论文文献综述

熊宏锦,饶喆,熊鹏文,苑秉成[1](2014)在《多态的大功率可控硅开关功率放大器的仿真》一文中研究指出为了满足远距离海底探测对发射信号大功率的需求,选用了一种大功率可控硅开关功率放大器。在临界换流、自然换流和强迫换流3种工作状态下,分析了该功率放大器的工作原理,并建立了等效电路模型。运用Or CAD仿真了临界换流状态时的等效电路模型;在自然换流状态和强迫换流状态下,为获得功放电流值和负载电流值,对其等效电路模型分别建立了非线性数学模型,并通过Matlab和VC++采用四阶Runge-Kutta法对非线性数学模型进行求解。以上方法能够求得该功率放大器电路在任意时刻、任意点处的电流电压值,能较客观、真实地反映电路的工作状况,对工程应用具有一定的参考价值。(本文来源于《国防科技大学学报》期刊2014年05期)

熊宏锦,王楠,熊鹏文,苑秉成[2](2014)在《基于OrCAD的可控硅开关功放的仿真研究》一文中研究指出介绍了一种特殊的大功率可控硅开关功率放大器,分析了其电路在不同工作频率下的3种工作状态,并就自然换流状态建立了其等效电路模型,基于OrCAD环境下设计了低阻高效的循环模拟开关,并利用它仿真了自然换流状态下的等效电路模型,这种仿真方法能计算出功率放大器在任意点的电流电压值.且仿真数据能较真实地反映系统在任何时刻的工作状况.(本文来源于《武汉理工大学学报(交通科学与工程版)》期刊2014年04期)

黄孝维,王栋,刘毅,王钊[3](2013)在《基于TSC控制技术的可控硅开关分析》一文中研究指出分析了基于TSC控制技术的可控硅开关的现阶段存在的问题。介绍了晶闸管投切电容式消弧线圈中晶闸管的选型,以避免不同大小的电抗器对整个电路的冲击和存在的电流突变,以保证可控硅开关更快、更好地投切。(本文来源于《电子科技》期刊2013年06期)

熊宏锦,柳超,董颖辉[4](2011)在《甚低频可控硅开关功率放大器的仿真研究》一文中研究指出介绍了一种甚低频可控硅开关功率放大器,建立了其在临界换流状态时的等效电路模型和非线性数学模型,在OrCAD环境下仿真了等效电路模型,并采用拉氏变换法和微分方程数值分析法求解其非线性数学模型。叁种方法都能计算出功放任意点的电流电压值,且结果相符。(本文来源于《舰船电子工程》期刊2011年08期)

[5](2007)在《贝能科技专题之PIC微控制器系列(一) 超低成本的可控硅开关控制器》一文中研究指出随着嵌入式技术的不断发展、革新,嵌入式系统正席卷着几乎所有的电子应用领域,为使广大读者紧跟时代新技术的发展,及时、深入地了解和运用各种新技术,本刊从2007年第九期起,将联合美国微芯科技有限公司(Microchip)的中国代理商——贝能科技有限公司,开设针对贝能科技专题的一系列技术连载,包括 PIC8位单片机、PIC24F 系列16位单片机,dsPIC30/33F 系列高性能教字信号控制嚣、射频/安全数据/模拟和接口产品及相关的开发工具的应用等,重点讲述嵌入式系境方案设计中应考虑的因素及设计要点、新器件IC 的典型实例及其应用,引导广大读者能更快、更深入地将理论知识运用到实际设计方案中,同时能举一反叁地推广、运用到其它的设计领城中。针对这次《贝能科技专题》,本刊将携手联合贝能科技有限公司与广大读者展开一次互动活动:在每期专题最后附有一份与本专题相关的套件申请表,读者只须如实填写相关资料将有机会免费获得由贝能科技有限公司提供的样品、学习板/开发板套件,如果您正准备或正在使用贝能科技有限公司的相关产品,或正处在设计边缘的迷茫状态,请时时关注贝能科技有限公司和贝能科技专题,希望我们的产品技术及专题能对您有所帮助。贝能科技有限公司(www.burnon.com)创建于1993年,专注于为电子制造企业提供电子零组件、设计开发服务以及开发工具和控制器。总部位于福建高科技产业区——福州软件园,占地10亩左右,拥有将近6000平方米的办公面积。现有员工220余名,旗下拥有电子零件分销、设计开发服务、控制板制造叁个业务部门,被评为福建省软件企业及福建省高新技术企业。在应用方案领域,贝能将朝更专业、更高技术含量的方向发展,并主要致力于计量仪表,电机控制技术及电源管理技术等应用方向的研究开发。"持续为客户创造价值"是贝能的经营理念。一直以来,贝能在管理、技术上不断创新,力求为客户提供差异化的增值服务,实现与客户的双赢和共同发展。(本文来源于《电子世界》期刊2007年09期)

[6](2004)在《全新叁端双向可控硅开关驱动器-光耦合器》一文中研究指出飞兆半导体(FairchildSemiconducotor)推出九种4脚微型扁平封装(MFP)产品 ,为工业和消费应用设计人员提供高度灵活性和节省空间的优势。这些叁端双向可控硅开关驱动器具有叁种峰值阻隔电压(250V、400V或600V)和叁种触发电流((本文来源于《国外电子元器件》期刊2004年04期)

[7](2003)在《600/800V 12A叁端双向可控硅开关元件》一文中研究指出飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)进军标准叁端双向可控硅开关市场,推出两款可优化消费电子产品性能的新型标准叁端双向可控硅开关元件,型号为600V的FKPF12N60和800V的FKPF12N80。(本文来源于《世界产品与技术》期刊2003年02期)

肖刚[8](2002)在《高压TSC可控硅开关控制技术的研究》一文中研究指出高压TSC装置是指额定工作电压为6kV~35kV可控硅投切电容器补偿装置,其是一种典型静止无功补偿器,其对增强系统稳定性、提高系统运行经济性,保证电压质量及改善电能质量都能发挥良好的作用。目前国内对高压TSC装置研制与生产还处于起步阶段,加速高压TSC装置的国产化,对在我国电力系统中早日推广与应用高压TSC装置具有重大意义。 可控硅开关是高压TSC装置的关键构成部件,高压TSC装置要求可控硅开关应具有良好的电气性能,要求可控硅开关控制应是有效和可靠的。 本论文对高压TSC装置所用的可控硅开关的主电路电气结构、主电路的保护电路、主电路中的重要元件参数的选择、可控硅开关的触发系统构成、无冲击涌流投入电容器技术、可控硅开关控制器功能设计及其功能实现进行了深入的研究和探讨,并对可控硅开关控制器进行了实际的设计和试制,现场测试证明其对可控硅开关的控制是可靠、有效的。(本文来源于《华北电力(北京)大学》期刊2002-01-01)

[9](1998)在《高灵敏度的叁端双向可控硅开关元件可简化电器的控制》一文中研究指出Phlips Semiconductors推出一个新系列的高灵敏度1A叁端双向可控硅开关元件(triac)。这一系列的开关元件采用节省空间的工业标准TO92封装,因而进一步扩大了飞利浦用于家用电器领域的功率半导体产品系列。飞利浦现在已能向家电生产商供应一整套产品,以满足他们对固态开关的需求。(本文来源于《电子设计技术》期刊1998年10期)

Dennis,Eichenberg[10](1998)在《交流电源供电的LED闪光灯和叁端双向可控硅开关脉冲电源电路》一文中研究指出闪光的发光二极管(LED)是一种极好的目视报警装置。但遗憾的是,LED是一种直流器件,因而需要附加电路,以使它能由交流电源供电。现有几种电路可以完成这种必需的功能,但图1所示电路却是效率最高的。该电路还很可靠、紧凑和价廉。 F336HD红光闪光LED(Radio Shack公司产品)可直接工作在5V情况下。并可在大约1Hz的频率下不需时间常数电容器而产生稳定的光脉冲。这种LED器件加电即工作。(本文来源于《电子设计技术》期刊1998年08期)

可控硅开关阀论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

介绍了一种特殊的大功率可控硅开关功率放大器,分析了其电路在不同工作频率下的3种工作状态,并就自然换流状态建立了其等效电路模型,基于OrCAD环境下设计了低阻高效的循环模拟开关,并利用它仿真了自然换流状态下的等效电路模型,这种仿真方法能计算出功率放大器在任意点的电流电压值.且仿真数据能较真实地反映系统在任何时刻的工作状况.

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

可控硅开关阀论文参考文献

[1].熊宏锦,饶喆,熊鹏文,苑秉成.多态的大功率可控硅开关功率放大器的仿真[J].国防科技大学学报.2014

[2].熊宏锦,王楠,熊鹏文,苑秉成.基于OrCAD的可控硅开关功放的仿真研究[J].武汉理工大学学报(交通科学与工程版).2014

[3].黄孝维,王栋,刘毅,王钊.基于TSC控制技术的可控硅开关分析[J].电子科技.2013

[4].熊宏锦,柳超,董颖辉.甚低频可控硅开关功率放大器的仿真研究[J].舰船电子工程.2011

[5]..贝能科技专题之PIC微控制器系列(一)超低成本的可控硅开关控制器[J].电子世界.2007

[6]..全新叁端双向可控硅开关驱动器-光耦合器[J].国外电子元器件.2004

[7]..600/800V12A叁端双向可控硅开关元件[J].世界产品与技术.2003

[8].肖刚.高压TSC可控硅开关控制技术的研究[D].华北电力(北京)大学.2002

[9]..高灵敏度的叁端双向可控硅开关元件可简化电器的控制[J].电子设计技术.1998

[10].Dennis,Eichenberg.交流电源供电的LED闪光灯和叁端双向可控硅开关脉冲电源电路[J].电子设计技术.1998

论文知识图

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