导读:本文包含了绝缘封装论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:宽禁带,电力电子器件,封装,绝缘
绝缘封装论文文献综述
戴超,陈向荣[1]（2019）在《碳化硅IGBT电力电子器件封装和绝缘研究综述》一文中研究指出基于传统Si(碳)材料的制约和宽禁带材料SiC(碳化硅)的大力发展,对电力电子的发展、电力电子器件的结构和封装工艺、电力电子器件的检测技术以及电力电子绝缘材料的研究进行了梳理。主要的检测技术是局部放电和电树枝测量技术,而对于材料介电性能的研究方法包括击穿强度、介电常数、电导率、时域介电弛豫等。对于材料理化性能主要是采用扫描电镜、超声波扫描显微镜、傅里叶红外光谱、热失重、差式扫描热分析等研究手段。(本文来源于《浙江电力》期刊2019年10期）
王浩宇,赵志斌,付鹏宇,李金元,张朋[2]（2019）在《压接型IGBT器件封装结构中PEEK框架的绝缘特性分析》一文中研究指出为了改善压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件子模组中聚醚醚酮(PEEK)框架的绝缘性能,探讨了PEEK电导率表征模型和测量方法,分析了电导率经验模型中引起电导率改变的主要因素及其对PEEK框架绝缘性能的影响。结果表明:温度为影响电导率变化的主要因素,但不同温度条件下的电场仿真计算表明,PEEK框架温度不影响IGBT器件中子模组的电场分布和绝缘性能。通过仿真计算发现,增大PEEK框架与芯片间气隙距离可以显着提高压接型IGBT器件的绝缘性能。(本文来源于《绝缘材料》期刊2019年06期）
付善灿[3]（2016）在《纳米银焊膏无压低温烧结连接方法的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块封装应用研究》一文中研究指出纳米银焊膏作为一种无铅的界面连接材料,可以通过低温烧结技术实现功率半导体芯片的连接。由于纳米银焊膏具有熔点高(961℃)、电导率和热导率高(4.1×10~7S/m和229 W/mK)、工艺温度低(260℃以下)等优点,它逐步替代传统焊料合金和导电环氧树脂,并广泛应用于高温功率半导体器件中。本文针对该纳米银焊膏的低温烧结机制,无压低温烧结连接IGBT芯片工艺方法及其在大功率IGBT模块封装中可靠应用的科学与技术问题展开了相关研究工作。所获得的主要研究成果如下:首先,本文研究了纳米银焊膏无压低温烧结机制及其致密化行为。研究表明纳米银焊膏无压低温烧结连接主要分为叁个阶段:稀释剂和分散剂等有机物挥发,银颗粒之间聚合和颗粒之间致密化。烧结温度主要影响银颗粒之间颈的形成,而升温速率和保温时间主要影响颈的长大。其次,研究了纳米银焊膏无压低温烧结连接IGBT硅基芯片的验证优化研究,包括:自行设计了芯片连接层厚度控制的装置,优化了纳米银焊膏钢网印刷十字架形状。通过理论计算推导了十字架形状因子参数之间的关系,并得到该形状因子的具体参数。研究了干燥时间、烧结温度和烧结时间对IGBT硅基芯片连接层剪切强度的影响规律,建立了最优的无压低温烧结连接工艺方法。然后,利用上述工艺方法实现了1200V/150A IGBT模块的封装应用,并且对比分析了该自主研发的IGBT模块与同等级商业型IGBT模块的热学性能和电气性能。研究表明,常温下本工作自主研发的烧结型IGBT模块的通态压降和开关性能与同等级商业型IGBT模块的数值相似,而烧结型IGBT模块的热阻比同等级商业型IGBT的模块低0.022~oC/W。最后,通过功率循环老化和温度循环老化等测试方法研究了IGBT模块的老化失效行为。秒级功率循环老化试验(结温:25~125℃,壳温:25~55℃)结果表明:烧结型IGBT模块的循环老化失效寿命比同等级商业型IGBT模块高30 K圈。经过35 K圈分钟级功率循环老化试验(结温:25~125℃,壳温:25~105℃)结果表明:烧结型IGBT模块的热阻、通态电阻和开关损耗分别比同等级商业型IGBT模块分别低2.1%、9.0%和13.4%。当温度循环老化试验(-55~150℃)持续到300圈时,烧结型IGBT模块的热阻和通态电阻分别比同等级商业型IGBT模块的低4.1%和7.0%。(本文来源于《天津大学》期刊2016-12-01）
葛洲[4]（2016）在《固体绝缘金属封装永磁断路器开关柜浅析》一文中研究指出结合国内某地铁公司的运行和建设经验,提出了一种更加适合地铁系统使用的开关柜选型方案,该方案还将在后续的建设中逐步实施和验证。(本文来源于《《电气化铁道》2016年增刊》期刊2016-10-20）
李进卫[5]（2016）在《谈环氧树脂封装绝缘材料的兴盛拉动电子电器产业的发展》一文中研究指出众所周知,环氧树脂的介电性能、力学性能、粘接性能、耐腐蚀性能优异,固化收缩率和线胀系数小,尺寸稳定性好,工艺性好,综合性能极佳,更由于环氧材料配方设计的灵活性和多样性,使得能够获得几乎能适应各种专门性能要求的环氧材料。环氧树脂具有优良的物理机械和电绝缘性能、与各种材料的粘接性能、以及其使用工艺的灵活性是其他热固性塑料所不具备的。环氧树脂良好的电气性能,可以作为元件的封(本文来源于《环球聚氨酯》期刊2016年08期）
李进卫[6]（2015）在《谈环氧树脂封装绝缘材料的兴盛拉动电子电器产业的发展》一文中研究指出众所周知,环氧树脂的介电性能、力学性能、粘接性能、耐腐蚀性能优异,固化收缩率和线胀系数小,尺寸稳定性好,工艺性好,综合性能极佳,更由于环氧材料配方设计的灵活性和多样性,使得能够获得几乎能适应各种专门性能要求的环氧材料。环氧树脂具有优良的物理机械和电绝缘性能、与各种材料的粘接性能、以及其使用工艺的灵活性是其他热固性塑料所不具备的。环(本文来源于《聚氨酯》期刊2015年10期）
李江杏[7]（2014）在《低功耗IC封装用绝缘胶漏电问题的解决》一文中研究指出随着半导体工艺的飞速发展和芯片工作频率的提高,功耗已经成为集成电路设计中的一个重要考虑因素。在半导体封装中,选用合适的绝缘胶、改善绝缘胶的使用步骤,是预防IC封装出现漏电现象的有效方法。(本文来源于《《IT时代周刊》论文专版（第300期）》期刊2014-07-20）
杨兵,张国华,李宗亚[8]（2013）在《绝缘引线在陶瓷封装中的应用》一文中研究指出随着半导体封装持续朝着多引脚、小节距及多列多层迭的方向发展,引线键合技术正面临越来越大的挑战。当陶瓷空封器件中的键合引线长度大于3.0 mm时,在加电冲击试验过程中键合引线容易出现瞬间的短路而导致器件失效。文章主要阐述了产生该问题的基本原因,提出了采用绝缘引线键合解决该问题的可行性,介绍了绝缘引线的基本特性,并用实际封装的电路进行了绝缘引线键合的可靠性研究,根据研究结果,提出了绝缘引线可有限应用于陶瓷封装的结论。(本文来源于《电子与封装》期刊2013年09期）
侯金星,周兴平,廖永贵,解孝林[9]（2012）在《导热绝缘电子封装材料的研究进展》一文中研究指出微电子是世界支柱产业,集成电路(IC)芯片是其基石,其广泛应用于工业、国防和日常生活等领域。电子封装是IC产业的重要组成部分,产值占我国IC产业总值的40%以上。电子封装材料是决定封装成败和芯片性能的关键因素之一,主要包括金属基、陶瓷基和聚合物基材料等叁大类。聚合物封装材料的可靠性与金属和陶瓷相当,成型工艺简单,且具有明(本文来源于《2012年全国高分子材料科学与工程研讨会学术论文集（下册）》期刊2012-10-16）
宋明歆,殷景华,郭海[10]（2012）在《基于绝缘液体充填封装RFMEMS开关特性分析》一文中研究指出提出并设计一种采用绝缘液体充填封装的RF MEMS开关,分析其工作原理,并以高压油、蓖麻油、甘油为绝缘液体充填封装,仿真分析绝缘液体对RF MEMS开关的驱动电压、冲击速度、响应时间、开关电容等方面的影响。结果表明:绝缘液体充填封装有效地将驱动电压降为原来的1/εr,降低上极板对下极板的冲击速度。对3种液态封装材料性能分析,蓖麻油效果最好:阈值电压下降了一半,约为10 V;当驱动电压为20 V时,响应时间为40.6μs,优于高压油(91.3μs)、甘油(89.9μs),冲击速度约为1.26 m/s。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2012年04期）
绝缘封装论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了改善压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件子模组中聚醚醚酮(PEEK)框架的绝缘性能,探讨了PEEK电导率表征模型和测量方法,分析了电导率经验模型中引起电导率改变的主要因素及其对PEEK框架绝缘性能的影响。结果表明:温度为影响电导率变化的主要因素,但不同温度条件下的电场仿真计算表明,PEEK框架温度不影响IGBT器件中子模组的电场分布和绝缘性能。通过仿真计算发现,增大PEEK框架与芯片间气隙距离可以显着提高压接型IGBT器件的绝缘性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
绝缘封装论文参考文献
[1].戴超,陈向荣.碳化硅IGBT电力电子器件封装和绝缘研究综述[J].浙江电力.2019
[2].王浩宇,赵志斌,付鹏宇,李金元,张朋.压接型IGBT器件封装结构中PEEK框架的绝缘特性分析[J].绝缘材料.2019
[3].付善灿.纳米银焊膏无压低温烧结连接方法的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块封装应用研究[D].天津大学.2016
[4].葛洲.固体绝缘金属封装永磁断路器开关柜浅析[C].《电气化铁道》2016年增刊.2016
[5].李进卫.谈环氧树脂封装绝缘材料的兴盛拉动电子电器产业的发展[J].环球聚氨酯.2016
[6].李进卫.谈环氧树脂封装绝缘材料的兴盛拉动电子电器产业的发展[J].聚氨酯.2015
[7].李江杏.低功耗IC封装用绝缘胶漏电问题的解决[C].《IT时代周刊》论文专版（第300期）.2014
[8].杨兵,张国华,李宗亚.绝缘引线在陶瓷封装中的应用[J].电子与封装.2013
[9].侯金星,周兴平,廖永贵,解孝林.导热绝缘电子封装材料的研究进展[C].2012年全国高分子材料科学与工程研讨会学术论文集（下册）.2012
[10].宋明歆,殷景华,郭海.基于绝缘液体充填封装RFMEMS开关特性分析[J].传感器与微系统.2012