全文摘要
本实用新型涉及一种开中线漏电保护电路，可包括零序电流互感器ZCT、漏电保护芯片IC、热敏电阻Rt、可控硅SCR和脱扣器TK，零序电流互感器ZCT套设在负载Load之前的火线L和零线N，其二次线圈的一端接漏电保护芯片IC的Vref端，另一端通过电容C4接漏电保护芯片IC的VFB端，漏电保护芯片IC的SCRTrigger端接可控硅SCR的控制电极，可控硅SCR的阳极接脱扣器TK的一个控制输入端，阴极串接二极管D2和D3后接地线E，脱扣器TK的另一控制输入端接火线L，脱扣器TK的两个触点开关分别串接在火线L和零线N上，热敏电阻Rt位于零序电流互感器ZCT与负载Load之间，一端接零线N，另一端接地线E。
设计方案
1.一种开中线漏电保护电路，其特征在于，包括零序电流互感器ZCT、漏电保护芯片IC、热敏电阻Rt、可控硅SCR和脱扣器TK，所述零序电流互感器ZCT套设在负载Load之前的火线L和零线N，其二次线圈的一端接漏电保护芯片IC的Vref端，另一端通过电容C4接漏电保护芯片IC的VFB端，所述零序电流互感器ZCT的二次线圈的两端并联有电阻R6和电容C5，所述漏电保护芯片IC的Rset端通过并联的电阻R4和电容C6接漏电保护芯片IC的Ground端，所述漏电保护芯片IC的SCR Trigger端接所述可控硅SCR的控制电极，所述可控硅SCR的阳极接所述脱扣器TK的一个控制输入端，阴极串接二极管D2和D3后接地线E，所述脱扣器TK的另一控制输入端接火线L，所述脱扣器TK的两个触点开关分别串接在火线L和零线N上，所述热敏电阻Rt位于所述零序电流互感器ZCT与负载Load之间，一端接零线N，另一端接地线E。
2.如权利要求1所述的开中线漏电保护电路，其特征在于，所述漏电保护芯片IC的Ground端和Vref端之间接有电容C3，漏电保护芯片IC的Ground端和C Delay端之间接有电容C2。
3.如权利要求1所述的开中线漏电保护电路，其特征在于，所述漏电保护芯片IC的Neutral端接所述可控硅SCR的阴极，并且所述可控硅SCR的控制电极与阴极之间接有电容C1。
4.如权利要求3所述的开中线漏电保护电路，其特征在于，所述可控硅SCR的阴极通过并联的电阻R2和二极管D1接所述零线N。
5.如权利要求4所述的开中线漏电保护电路，其特征在于，所述火线L和所述零线N之间还接有压敏电阻MOV1，并且所述零线N和所述地线E之间接有压敏电阻MOV2。
6.如权利要求1所述的开中线漏电保护电路，其特征在于，所述零序电流互感器ZCT的一次线圈的一端接所述火线L，另一端依次串联按键TEST和电阻R1接所述零线N。
7.如权利要求1所述的开中线漏电保护电路，其特征在于，还包括保险丝F，所述保险丝F串接在所述火线L上。
设计说明书
技术领域
本实用新型属于电子电路领域，具体地涉及一种开中线漏电保护电路。
背景技术
随着技术的发展和生活水平的提高，各种功能的电器越来越多，人们的生活几乎离不开各种电器，而随着电器的日趋普及，人们与电接触的机会越来越多，为了使用户得到更好地保护，现在很多电器的供电回路上都设有漏电保护电路，当电器设备发生漏电，或人身触电或设备绝缘损坏时，漏电保护电路能在几十毫秒之内自动切断电源，使用户免受触电的危害，保护用户的生命安全和财产安全。
但现有的各种漏电保护电路还存在许多缺点：1.电路结构复杂，成本高，稳定性差，可靠性低；2.电磁兼容性差，无法通过国家标准GB18499中的低于150KHz频率范围内的共模传导骚扰试验。3.在零线断开(开中线)的情况下，无法实现漏电保护。为此，中国实用新型专利CN206894221U公开了一种漏电保护电路，该电路通过设置电容C5和C6，使其可通过国家标准中所要求的“低于150KHz频率范围内的共模传导骚扰试验”。但该电路在防止火线和零线接反的情况下不能切断电源，会对负载造成损坏。
发明内容
本实用新型旨在提供一种开中线漏电保护电路，以解决上述问题。为此，本实用新型采用的具体技术方案如下：
一种开中线漏电保护电路，可包括零序电流互感器ZCT、漏电保护芯片IC、热敏电阻Rt、可控硅SCR和脱扣器TK，所述零序电流互感器ZCT套设在负载Load之前的火线L和零线N，其二次线圈的一端接漏电保护芯片IC的Vref端，另一端通过电容C4接漏电保护芯片IC的VFB端，所述零序电流互感器ZCT的二次线圈的两端并联有电阻R6和电容C5，所述漏电保护芯片IC的Rset端通过并联的电阻R4和电容C6接漏电保护芯片IC的Ground端，所述漏电保护芯片IC的SCR Trigger端接所述可控硅SCR的控制电极，所述可控硅SCR的阳极接所述脱扣器TK的一个控制输入端，阴极串接二极管D2和D3后接地线E，所述脱扣器TK的另一控制输入端接火线L，所述脱扣器TK的两个触点开关分别串接在火线L和零线N上，所述热敏电阻Rt位于所述零序电流互感器ZCT与负载Load之间，一端接零线N，另一端接地线E。
进一步地，所述漏电保护芯片IC的Ground端和Vref端之间接有电容C3，漏电保护芯片IC的Ground端和C Delay端之间接有电容C2。
进一步地，所述漏电保护芯片IC的Neutral端接所述可控硅SCR的阴极，并且所述可控硅SCR的控制电极与阴极之间接有电容C1。
进一步地，所述可控硅SCR的阴极通过并联的电阻R2和二极管D1接所述零线N。
进一步地，所述火线L和所述零线N之间还接有压敏电阻MOV1，并且所述零线N和所述地线E之间接有压敏电阻MOV2。
进一步地，所述零序电流互感器ZCT的一次线圈的一端接所述火线L，另一端依次串联按键TEST和电阻R1接所述零线N。
进一步地，所述开中线漏电保护电路还包括保险丝F，所述保险丝F串接在所述火线L上。
本实用新型采用上述技术方案，具有的有益效果是：本实用新型电路简单，性能稳定，动作可靠，在电源零线断开时能漏电保护，而在电源火线、零线接反时，能立即切断电源保护负载，确保使用安全。
附图说明
为进一步说明各实施例，本实用新型提供有附图。这些附图为本实用新型揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
图1是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。
如图1所示，一种开中线漏电保护电路可包括零序电流互感器ZCT、漏电保护芯片IC、热敏电阻Rt、可控硅SCR和脱扣器TK等。所述漏电保护芯片IC的型号为2140，本实施例中，漏电保护芯片IC的型号为FM2140(低功耗两线接地故障灭弧芯片，Low Power Two-WireGround Fault Interrupter)。当然，在其它实施例中，漏电保护芯片IC也可以是本身的功能及构造上跟FM2140相同或等同的其它型号或专门制作的漏电保护芯片IC，此是本领域技术人员可以轻易实现的，不再详细说明。
所述零序电流互感器ZCT套设在负载Load之前的火线L和零线N。具体地，零序电流互感器ZCT的一次线圈的一端接所述火线L，另一端依次串联按键TEST和电阻R1接所述零线N。零序电流互感器ZCT的二次线圈的一端接漏电保护芯片IC的Vref端，另一端通过电容C4接漏电保护芯片IC的VFB端，并且零序电流互感器ZCT的二次线圈的两端并联有电阻R6和电容C5。所述漏电保护芯片IC的Rset端通过并联的电阻R4和电容C6接漏电保护芯片IC的Ground端，所述漏电保护芯片IC的SCR Trigger端接所述可控硅SCR的控制电极，所述可控硅SCR的阳极接所述脱扣器TK的一个控制输入端，阴极串接二极管D2和D3后接地线E，所述脱扣器TK的另一控制输入端接火线L，所述脱扣器TK的两个触点开关分别串接在火线L和零线N上。所述热敏电阻Rt位于所述零序电流互感器ZCT与负载Load之间，一端接零线N，另一端接地线E。
应当指出，电路中电容C5和C6的作用是使电路能够通过国家标准GB18499中所要求的“低于150KHz频率范围内的共模传导骚扰试验”，其不影响电路的漏电保护性能。因此，电容C5和C6的容值大小可以根据实际情况进行选择，此是本领域技术人员可以轻易实现的，不再详细说明。
在本实施例中，所述漏电保护芯片IC的Ground端和Vref端之间接有电容C3，漏电保护芯片IC的Ground端和C Delay端之间接有电容C2。
在本实施例中，所述漏电保护芯片IC的Neutral端接所述可控硅SCR的阴极，并且所述可控硅SCR的控制电极与阴极之间接有电容C1。
在本实施例中，所述可控硅SCR的阴极通过并联的电阻R2和二极管D1接所述零线N。
在本实施例中，所述火线L和所述零线N之间还接有压敏电阻MOV1，并且所述零线N和所述地线E之间接有压敏电阻MOV2。
在本实施例中，所述开中线漏电保护电路还包括保险丝F，所述保险丝F串接在所述火线L上。当电路或负载出现短路时，保险丝F会断开，以确保电路安全。
本实用新型的开中线漏电保护电路的工作原理是，当电源零线N断开时，可控硅SCR的阴极与地线E之间形成回路，所以当负载发生漏电，或人身触电时，通过零序电流互感器ZCT的二次线圈产生感应电压，经漏电保护芯片IC进行比较和处理，漏电流达到整定动作电流值，可控硅SCR导通，脱扣器TK动作，切断电源，起到漏电和触电保护作用；当电源火线L、零线N接反时，通过热敏电阻Rt，使得零序电流互感器ZCT的二次线圈产生感应电压，经漏电保护芯片IC进行比较和处理，可控硅SCR导通，脱扣器TK动作，切断电源，避免了电气隐患，保障了人身和财产安全。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201921079069.2
申请日:2019-07-11
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:92(厦门)
授权编号:CN209896685U
授权时间:20200103
主分类号:H02H3/32
专利分类号:H02H3/32
范畴分类:38C;
申请人:厦门振泰成科技有限公司
第一申请人:厦门振泰成科技有限公司
申请人地址:361101 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔明路18号（2#厂房）
发明人:蔡峰毅;陈金环;许海恩
第一发明人:蔡峰毅
当前权利人:厦门振泰成科技有限公司
代理人:何家富
代理机构:35218
代理机构编号:厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计
标签：可控硅论文; 零序电流互感器论文; 漏电保护开关论文; 零序保护论文; 零线火线论文; 零序电压论文; 电容电阻论文; 零线论文; tk论文; 脱扣器论文;