论文摘要
太赫兹成像器件是太赫兹技术应用的关键之一.研制一种由分子束外延技术堆叠生长太赫兹量子阱探测器和近红外发光二极管制成的THz频率上转换成像器件,其45°入射角耦合器件峰值探测频率为5. 2 THz,峰值响应率为0. 22 A/W,噪声等效功率为5. 2×1012W/Hz0. 5,可实现对太赫兹量子级联激光器光斑的清晰成像;研制的金属光栅耦合器件可实现正入射成像,有效减小成像图形畸变,并且有利于制备大面积器件.阐述器件的工作原理、制备方法、基本性能和成像性能,并对器件电流-电压特性、成像质量、成像畸变原因等问题进行讨论.该器件利用无像素成像技术,无需低温读数电路,无需阵列倒装封装,为THz成像技术提供一种简便、高性能的途径.
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 符张龙,邵棣祥,张真真,李锐志,曹俊诚
关键词: 半导体器件与技术,太赫兹,量子阱,探测器,频率上转换,成像
来源: 深圳大学学报(理工版) 2019年02期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,基础科学,信息科技
专业: 物理学,计算机软件及计算机应用
单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室,上海理工大学光电信息与计算机工程学院,中国科学院大学
基金: 国家重点研发计划资助项目(2017YFF0106302),国家自然科学基金资助项目(61775229,61575214),上海市青年科技英才扬帆计划资助项目(17YF1429900)~~
分类号: O441;TP391.41
页码: 147-151
总页数: 5
文件大小: 2716K
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