导读:本文包含了半导体器件模拟论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:半导体器件,模型,电离,效应,粒子,数值,半导体。
半导体器件模拟论文文献综述
陈伟,丁李利,郭晓强[1]（2018）在《半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势》一文中研究指出半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。(本文来源于《现代应用物理》期刊2018年01期）
彭鑫[2]（2018）在《辐射电离效应的激光模拟方法在半导体器件中的应用》一文中研究指出由于需要对半导体器件进行安全快捷以及无损伤的切割,因此产生了辐射电离效应的激光模拟方法,这种方法已经得到了国际上的认可。并且跟大型地面辐射模拟装置相比,激光模式方法具有很多优势,可作为重要的补充手段来展开针对性的抗辐射加固设计来对半导体器件辐射效应进行深入研究,在理论和应用方面都具有重要的意义。本文主要就γ射线、激光和半导体器件之间互相作用产生的电离效应做简要分析,结合国内外发展情况进行了总结,根据当前研究存在的问题展开探讨,以及对未来进行的展望。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2018年04期）
李沫,孙鹏,宋宇,代刚,张健[3]（2015）在《半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法》一文中研究指出因对半导体器件进行安全、快捷、无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求,激光模拟辐射电离效应方法应运而生,并得到了国外科研界的推动和认可。相比于大型地面辐射模拟装置,激光模拟方法具有许多独特优势,可为深入认识半导体器件辐射效应,开展有针对性的抗辐射加固设计提供重要的补充手段,其研究在理论和应用方面均具有重要意义。本文简要叙述了γ射线、激光与半导体器件相互作用产生电离效应的主要机理,归纳了激光模拟的物理基础和主要特点,总结了国内外发展的情况,深入分析了当前研究存在的问题,并提出了开展研究可以采取的手段和方法。最后展望了未来值得进一步探索的研究内容和方向。(本文来源于《太赫兹科学与电子信息学报》期刊2015年01期）
于全芝,胡志良,殷雯,梁天骄[4]（2014）在《高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算》一文中研究指出随着半导体及电子工艺技术的迅速发展,器件向着小尺度、低电压、低电荷、高集成度迈进,大气中子对航空及地面的电子系统造成的单粒子效应越来越显着.本文采用PHITS2.24蒙特卡罗程序及其事件发生器功能,借助于核反应模型与截面数据,验算了描述器件发生单粒子翻转能力的MBGR参数,并采用大气高能中子能谱,对SRAM器件的单粒子翻转率进行了计算与分析.这为我们今后模拟大气中子产生的各类单粒子效应提供了基本方法,也为将来开展相应的辐照实验提供了理论基础.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2014年05期）
马云林[5]（2014）在《半导体器件交流模拟研究》一文中研究指出半导体技术自诞生起对人类生活产生了巨大影响,同时现代新型半导体器件的研究更离不开仿真软件,而交流特性是衡量半导体器件质量优劣的重要标准.本文重点研究了器件交流模拟的理论基础、边界处理、交流时复数矩阵的建立、将复数矩阵转换为实数矩阵以及大型稀疏矩阵的求解,通过瞬态激励法测试器件的交流特性。主要工作在于交流模拟的理论研究、迁移率模型的选取、交流边界处理、交流仿真模块代码的完成和仿真结果分析。具体如下:1.简单描述本文所涉及到的半导体器件交流理论基础,交流模拟采用的流程和所采用的模拟方法--瞬态激励法,相关的数学物理知识,有限体积法,重点介绍了两个常用的迁移率模型。2.主要推导交流情况器件模型方程的离散,包含数值模拟时变量的选取和缩放,雅克比矩阵的建立和求解,由于交流时形成的矩阵为复数矩阵,经过理论推导可将交流复数矩阵转换为实数矩阵,该实数矩阵可调用直流稳态模拟时所建立实数矩阵。最后重点讨论了交流边界的处理,以及一些特殊边界点的取值。3.通过有限体积法离散得到相应算法,整个模块的算法采用C/C++实现,对于交流时大型稀疏矩阵的求解借助了PETs强大的矩阵求解功能。通过模拟二极管的瞬态特性、晶体管的瞬态特性和AC小信号特性,对物理模型、数值算法和程序代码进行了测试,并将结果与参考资料和理论值进行了分析比较,获得了较理想的效果。本文所采用的算法对于半导体器件模拟软件有很大的参考意义。(本文来源于《电子科技大学》期刊2014-04-01）
张建芳[6]（2013）在《X射线辐照有机半导体器件剂量增强效应的模拟》一文中研究指出用蒙特卡罗(MCNP)方法计算有机半导体的封装材料为金(Au)和陶瓷(Ceramic)、金属化层为金(Au)和铝(Al)时对金属-酞菁铜(CuPc)界面下剂量增强效应影响。结果表明,封装和金属化层结合方式不同,在界面下引起的剂量增强程度也不同,并讨论每种结构在界面下所产生的最大剂量增强系数及引起剂量增强的X射线的能量范围。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2013年06期）
陈伟[7]（2013）在《蒙特卡罗法在半导体器件模拟中的应用》一文中研究指出随着半导体技术不断发展和制作工艺的不断进步，半导体器件开始进入纳米时代。由小尺寸化带来的物理效应，如量子效应等在大规模及超大规模集成电路中产生的影响开始变得不可忽略。传统的数值模拟模型，如漂移扩散模型和流体力学模型求解小尺寸半导体器件越来越不准确。蒙特卡罗法作为一种模拟粒子运动的数值方法开始广泛运用于半导体器件的模拟研究。蒙特卡罗法是利用随机数对物理过程进行模拟的方法，该方法在物理、数学、化学等领域具有广泛应用。本文研究了蒙特卡罗模拟半导体器件内部载流子运动的原理，设计程序模拟半导体器件。设计过程中采用矩形网格对器件结构进行划分，用有限差分法对载流子在空间上进行离散，电荷分配则采用单位云(CIC)方法。研究讨论了利用蒙特卡罗法模拟半导体器件时采用的物理模型及数值方法，提出了程序设计流程，将模拟结果与Silvaco仿真软件的模拟结果进行对比分析。通过对器件内部的电子浓度以及电势分布等参数的比较，验证了蒙特卡罗法的正确性。主要内容为：1简述半导体器件模拟的发展历史，重点介绍了蒙特卡罗法与解析的漂移扩散法等传统方法相比的优势。2推导了蒙特卡罗法所需的物理模型，包括粒子散射机制中的杂质散射和声子散射、粒子飞行的随机模型、自然边界条件和固定边界条件的处理等。3讨论了初始条件、网格划分、时间步长、收敛性等数值问题，通过数学模型设计模拟流程，用C++编程实现模拟程序。4用所编写的程序模拟N+PN+管、MESFET等典型半导体器件，将模拟结果与Silvaco软件模拟结果比较，画出电子浓度、电势、IV曲线等参数的分布图，模拟结果验证了蒙特卡罗法的正确性。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-04-01）
董果香[8]（2013）在《半导体器件物理参数模型研究及器件模拟》一文中研究指出半导体器件的特性仿真已经成为半导体器件设计与半导体器件研究的重要手段，而且必将更加有力地推动半导体行业的发展。半导体器件特性仿真基于准确的载流子输运方程和物理模型，使人们对半导体器件的研究更加准确、高效和方便。第叁代半导体材料的出现使半导体器件的设计出现了许多新的结构，这些新型结构器件有许多良好的特性，例如工作频率更高，击穿电压更高等。但是对第叁代半导体材料物理模型的研究还不够充分，使一些物理模型还不准确。本学位论文正是针对上述的问题，以第叁代半导体材料的物理模型和新型器件结构为主要研究对象，在充分了解第一、第二代半导体材料物理模型的基础上，尝试把它们的物理模型应用到第叁代半导体材料的物理模型上，并由此设计新型半导体器件，并对其进行相关特性仿真。主要的工作有以下几个方面：1.简述了半导器件及材料的发展状况，并对半导体器件数值模拟的定义进行了说明。2.简要概述了半导体器件的数值模拟过程，并对相关输运方程和物理模型作简要概括。3.作者对第一、第二代半导体材料的物理模型进行了相关研究，并进行了归纳总结，在Genius源码中基于上述能带模型，迁移率模型，碰撞电离模型，复合模型的基础上上添加了SiGe,GaN,3C-SiC,4H-SiC,6H-SiC,AlGaAl等宽禁带半导体材料，运用这些材料库可模拟较热门的宽禁带半导体材料。4.采用二维器件仿真软件Silvaco对Si双极晶体管进行特性仿真，得到了其转移特性曲线，输出特性曲线等，并分析了其内部载流子输运过程等。采用二维器件仿真软件Genius对Si双极晶体管进行特性仿真，得到了其转移特性曲线，输出特性曲线等，并把结果和Silvaco软件的仿真结果进行了比较，得出两个软件仿真结果相近，具有可比性。采用二维器件仿真软件Silvaco对GaN/Si异质结双极晶体管进行了特性仿真研究。对GaN/Si异质结双极晶体管建立了合理准确的物理模型，包括不完全电离模型、能带模型、能带变窄模型、迁移率模型与复合模型。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-04-01）
赵俊峰[9]（2013）在《半导体器件模拟的网格划分与加密》一文中研究指出一开始，人们习惯于用解析模型的方法来分析半导体器件。解析模型是根据一定的分析和假设，给出在一定条件下适用的数学表达式来描述器件的物理和电学特性。虽然方便，但因为解析求解的困难，通常只能处理一维问题，并且要做很多的假设与近似，精度不够高。随着大规模集成电路的发展，解析模型越来越不能满足需要，数值模型正是在这种情况下发展起来的。和解析模型相比，数值模型是从半导体器件所满足的基本方程出发，依据器件的集合结构建立严格的数学模型，对其进行数值求解，得到器件的特性参数。此种方法比解析模型精确的多，但求解过程则要复杂的多。针对上述问题，需要用数值技术求解非线性偏微分方程式。首先需要将非线性偏微分方程所描述的区域分割成有限个子区域，然后把整个区域上的非线性问题化简成在单个子区域上的线性问题，最后完成线性方程组的求解。网格划分的功能就是将计算域分割成若干个子区域。在该求解过程中，网格划分的基本功能是实现非线性方程的线性化。得到计算模型后，首先进行网格划分。网格划分是比较复杂的事。网格划分的优劣关系到最终的数值解收敛与否，还关系到收敛速度的快慢。目前的网格划分方法主要有四叉树法和Delaunay法，Delaynay法是各向同性的，网格本身没有方向性，与之对应，四叉树法是各向异性的，各个网格节点之间是有方向的，但是四叉树的缺点是对于复杂边界的适应性较差，常在边界处产生质量很不好的网格，而Delaynay法对于复杂边界有几好的适应性，所以，基于他们的优缺点，本文采用两种方法结合的方式来完成网格的划分，主要内容如下:1.介绍基本的半导体器件物理的知识以及基本的离散数值方法。2.编写网格生成器的方法有多，我们需要根据半导体的数值离散方法来编写合适的网格生成器，本文介绍的是四叉树法和Delaunay法相结合的方式。3.完成基本的网格结构以后，需要根据掺杂完成初步的加密操作。4.在基于Delaunay方法的开源软件Triangle帮助下，完成网格边界信息的处理和储存。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-04-01）
董果香[10]（2013）在《基于量子流体动力学模型的半导体器件模拟》一文中研究指出基于量子流体动力学模型,自主编制程序开发了半导体器件仿真软件。其中包括快速、准确数值离散方法和准确的物理模型。基于对同一个si双极晶体管的模拟,与商用软件有近似的仿真结果。表明量子流体动力学模型具有可行性,同时也表明数值算法和物理模型的正确性。(本文来源于《电子设计工程》期刊2013年02期）
半导体器件模拟论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于需要对半导体器件进行安全快捷以及无损伤的切割,因此产生了辐射电离效应的激光模拟方法,这种方法已经得到了国际上的认可。并且跟大型地面辐射模拟装置相比,激光模式方法具有很多优势,可作为重要的补充手段来展开针对性的抗辐射加固设计来对半导体器件辐射效应进行深入研究,在理论和应用方面都具有重要的意义。本文主要就γ射线、激光和半导体器件之间互相作用产生的电离效应做简要分析,结合国内外发展情况进行了总结,根据当前研究存在的问题展开探讨,以及对未来进行的展望。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导体器件模拟论文参考文献
[1].陈伟,丁李利,郭晓强.半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势[J].现代应用物理.2018
[2].彭鑫.辐射电离效应的激光模拟方法在半导体器件中的应用[J].电子技术与软件工程.2018
[3].李沫,孙鹏,宋宇,代刚,张健.半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法[J].太赫兹科学与电子信息学报.2015
[4].于全芝,胡志良,殷雯,梁天骄.高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算[J].中国科学:物理学力学天文学.2014
[5].马云林.半导体器件交流模拟研究[D].电子科技大学.2014
[6].张建芳.X射线辐照有机半导体器件剂量增强效应的模拟[J].固体电子学研究与进展.2013
[7].陈伟.蒙特卡罗法在半导体器件模拟中的应用[D].电子科技大学.2013
[8].董果香.半导体器件物理参数模型研究及器件模拟[D].电子科技大学.2013
[9].赵俊峰.半导体器件模拟的网格划分与加密[D].电子科技大学.2013
[10].董果香.基于量子流体动力学模型的半导体器件模拟[J].电子设计工程.2013
论文知识图
