导读:本文包含了薄膜温差电材料论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:薄膜温差电材料,电沉积,Bi-Sb合金,有机体系
薄膜温差电材料论文文献综述
李菲晖,巩运兰,张弘青,杜冰姿[1]（2014）在《二甲基亚砜有机溶液中Bi-Sb薄膜温差电材料的电沉积制备》一文中研究指出采用循环伏安曲线以及稳态极化曲线的测试方法分析了二甲基亚砜有机溶液中纯Bi、纯Sb以及Bi-Sb二元体系在Ti基体上的还原过程。结合分析结果,采用直流恒电位方式电沉积制备了Bi-Sb二元薄膜温差电材料,并采用X-射线衍射以及塞贝克系数测试对不同电位下制备出的Bi-Sb二元薄膜温差电材料的物相结构及性能进行了表征。实验结果表明,在Ti基体上Bi3+、Sb3+离子的氧化还原均为不可逆过程,前者的阴极还原过程仅由离子扩散造成,而后者的还原过程中涉及到了离子的吸附,二者沉积电位接近,共沉积过程是一步完成的。对制备出的材料的物相以及性能的分析结果表明,电沉积制备出的材料确为Bi-Sb二元合金,随着沉积电位的负移,温差薄膜电材料的表面变得粗糙,在不同电位下沉积出的材料均为P型温差电材料,塞贝克系数随电位变化不大。(本文来源于《电镀与精饰》期刊2014年08期）
徐亚伟,李菲晖,巩运兰,张弘青[2]（2014）在《二甲基亚砜有机体系中电沉积制备Bi-Te薄膜温差电材料的研究》一文中研究指出采用循环伏安曲线以及稳态极化曲线的测试方法研究比较了不同浓度下Bi(III)、Te(IV)离子在二甲基亚砜有机溶液中于金属铜基体上发生氧化还原的电化学行为。在此基础上采用循环伏安曲线以及稳态极化曲线的测试方法进一步分析了二甲基亚砜有机溶液中纯Bi、纯Te以及B卜Te二元体系的还原过程,结合分析结果采用直流恒电位方式电沉积制备了Bi基薄膜温差电材料,并且采用x射线衍射(xRD)以及塞贝克系数测试对不同电压下制备出的Bi基薄膜温差电材料的物相结构及性能进行了表征。实验结果表明,在铜基体上Bi(III)、Te(IV)离子的氧化还原均为不可逆过程,二者的阴极还原过程均仅由离子扩散造成,且Bi(III)、Te(IV)离子的沉积电位在铜基体上比较接近,Bi-Te二元共沉积过程在铜基体上是一步完成的。对制备出的材料的物相以及性能的分析结果表明电沉积制备出的材料确为B卜Te二元合金,不同电位条件下电沉积制备出的材料均为N型温差电材料,且在电位为-1.6V的条件下电沉积制备出的材料具有最大的塞贝克系数。(本文来源于《第叁届环渤海表面精饰发展论坛论文集》期刊2014-08-07）
李菲晖,巩运兰,张弘青,耿瑛,徐亚伟[3]（2013）在《DMSO体系中Bi-Sb二元薄膜温差电材料的电沉积制备》一文中研究指出采用循环伏安曲线以及稳态极化曲线的测试方法分析了二甲基亚砜有机溶液中纯Bi、纯Sb以及Bi-Sb二元体系在Ti基体上的还原过程。结合分析结果采用直流恒电位方式电沉积制备了Bi-Sb二元薄膜温差电材料并采用X射线衍射以及塞贝克系数测试对不同电压下制备出的Bi-Sb二元薄膜温差电材料的物相结构及性能进行了表征。实验结果表明,在Ti基体上Bi~(3+)、Sb~(3+)离子的氧化还原均为不可逆过程,前者的阴极还原过程仅由离子扩散造成,而后者的还原过程涉及到了离子的吸附,二者沉积电位接近,共沉积过程是一步完成的。对制备出的材料的物相以及性能的分析结果表明电沉积制备出的材料确为Bi-Sb二元合金,随着沉积电位的负移,温差薄膜电材料的表面变得粗糙,在不同电位下沉积出的材料均为P型温差电材料,塞贝克系数随电位变化不大。(本文来源于《2013年海峡两岸(上海)电子电镀及表面处理学术交流会论文集》期刊2013-11-17）
许晗,王为[4]（2012）在《MWNTs/Bi_2Te_3薄膜温差电材料的电化学制备及表征》一文中研究指出采用电化学控电位的方法制备了碳纳米管复合Bi2Te3温差电材料薄膜。采用SEM、EDS及XRD等测试方法研究了碳纳米管的加入对薄膜形貌、成分及结构的影响。结果表明,在含有Bi3+和HTe O2+的硝酸体系中,可通过电沉积的方式制备碳纳米管复合的Bi2Te3温差电材料薄膜。碳纳米管的加入使得Bi2Te3温差电薄膜的电沉积更加易于进行,薄膜中Bi及C元素的含量随沉积电位负移而增加,Bi的含量随碳纳米管加入而提高。碳纳米管的加入并未对Bi2Te3基质的形貌产生明显影响,但由于引入新的成核位点而在其表面形成突起。另外,碳纳米管的加入将会使得Bi2Te3薄膜的结晶化程度提高。(本文来源于《第九届全国表面工程大会暨第四届全国青年表面工程论坛论文集》期刊2012-10-28）
朱艳兵,王为[5]（2011）在《电化学沉积p-型Bi-Sb-Te-Se薄膜温差电材料及相关性能研究》一文中研究指出采用控电位电沉积的方法制备了Bi-Sb-Te-Se薄膜温差电材料。通过XRD、ESEM、EDS等方法对电沉积薄膜材料的结构、形貌和组成进行了分析,并测试了在不同电位下制备的Bi-Sb-Te-Se薄膜的塞贝克系数及电阻率。结果表明,在含有Bi3+、(本文来源于《2011中国材料研讨会论文摘要集》期刊2011-05-17）
汪洋[6]（2009）在《薄膜温差电材料电沉积设备及性能测试系统的设计与制造》一文中研究指出电沉积作为薄膜温差电材料的一种重要制备方法,日益受到关注,但由于这种方法的应用还处于初始阶段,其配套的制备设备及性能测试设备尚有待开发。本论文为满足薄膜温差电材料电沉积制备及其性能表征的需要,设计了薄膜温差电材料电沉积设备和电阻率测试系统。本论文设计的薄膜温差电材料电沉积设备可同时输出四路可控电压信号,并具备实时监测各个通道的电压、电流、电量的功能。电压信号可根据需要设置成脉冲波、叁角波、直流等不同信号类型。该电沉积设备体积较小、操作方便、造价低廉、性能稳定、精确度高,完全满足电沉积薄膜温差电材料的需要。本论文依据四探针法的基本原理并结合双脉冲技术,设计并制造适用于薄膜温差电材料的电阻率测试系统。该系统因采用了双脉冲技术,避免了测试过程中温差电材料的帕尔贴效应对电阻率测试结果的不利影响。该系统能够满足对任何形状薄膜试片的电阻率测试,包括尺寸较小或者形状不规则的薄膜试片。且当探针位于试片边界附近时,可在不需要进行边界几何修正的情况下进行测量。该系统拥有可视化软件,实现了对测试过程的实时监控及数据显示,并可随时对数据进行处理。(本文来源于《天津大学》期刊2009-06-01）
王为[7]（2007）在《薄膜温差电材料的电沉积机理研究及微型温差电池的制造技术》一文中研究指出随着微电子技术以及MEMS技术的快速发展,微型处理器、微型传感器、微型控制器以及各种形式的微结构已大量出现。微型化的电子装置必然要求微型电源与之相配。微型化的电子装置对电源的需求特点是高的输出电压和低的输出功率。目前,微电池技术的发展已经明显落后于微电子技术以及MEMS技术的发展,已经成为制约微电子技术以及MEMS技术发展的瓶颈。微型温差电池的最大特点,在于它可从环境接受各种形式的热能,并高效率地直接将其转变为电能输出,且使用温度范围宽(200～500K),寿命长(超过20年),性能高度稳定。由于微型温差电池的外形具有薄膜结构,这种电池非常适合于集成化到相应的器件上直接供电,实现电能的分散储存,安全性高。目前,Bi_2Te_3及其掺杂化合物被认为是在200～500K温度范围内最适用于制备微型温差电池的温差电材料,其中Bi_2Te_3掺杂p型和n型化合物的性能更优。微型温差电池在很小的温度梯度下的开路电压可达到几十伏。这样高的输出电压是目前各种通过线切割块体温差电材料制备出的微型温差电池难以达到的。基于薄膜温差电材料的微型温差电池的制造过程包括微米尺度的p型和n型薄膜温差电材料微区的制造以及微电池的制造。微米尺度的p型和n型薄膜温差电材料微区的制造方法,是在利用微系统加工技术的基础上结合温差电材料的物理的或者化学合成法。微电池的制造过程则完全依赖于微系统加工技术。电化学沉积技术制备薄膜温差电材料的过程,是借助于电场作用下溶液中相关离子的电化学还原而实现的。基于电化学沉积薄膜温差电材料,提出了一种新的微型温差电池的结构。这种新型微型温差电池是一种由大量薄膜结构单体温差电池形成的电串连集合体。这种新型微温差电池的制造技术是通过将电化学沉积技术与微系统技术相结合,在光刻蚀微区内电化学沉积Bi_2Te_3掺杂p型及n型薄膜温差电材料,以及大量p型及n型微区温差电材料之间的电串联和随后大量薄膜结构单体温差电池的高度集成化而实现。这种微型温差电池的外形尺寸为20mm×4mm×0.5mm,在室温、20℃的温差条件下的输出电压为450mV。(本文来源于《功能材料信息》期刊2007年05期）
卜路霞,王为[8]（2006）在《恒电位沉积Bi_2Te_(3-y)Se_y温差电材料薄膜》一文中研究指出采用电化学控电位沉积的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜,并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了表征。结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的电沉积溶液中,采用电化学沉积的方法,可实现铋、碲、硒叁元共沉积, 生成Bi2Te3-ySey半导体化合物;且-0．04V沉积电位下制备的Bi2Te3-ySey薄膜较平整、致密,为 Bi2Te2．7Se0．3化合物。(本文来源于《第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛论文集》期刊2006-08-01）
卜路霞,王为[9]（2006）在《恒电位沉积Bi_2Te_(3-y)Se_y温差电材料薄膜》一文中研究指出采用电化学控电位沉积的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜,并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了表征。结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的电沉积溶液中,采用电化学沉积的方法,可实现铋、碲、硒叁元共沉积,生成Bi2Te3-ySey半导体化合物;且-0.04V沉积电位下制备的Bi2Te3-ySey薄膜较平整、致密,为Bi2Te2.7Se0.3化合物。(本文来源于《第六届全国表面工程学术会议论文集》期刊2006-08-01）
王为,卜路霞[10]（2006）在《n型Bi_2Te_(3-y)Se_y温差电材料薄膜的电化学制备及表征》一文中研究指出采用电化学控电位的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。研究了电沉积溶液中硒含量与薄膜中硒含量的关系,考察了不同沉积电位对电沉积Bi2Te3-ySey薄膜的温差电性能的影响,并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了分析。结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的电沉积溶液中,采用电化学沉积的方法,可实现铋、碲、硒叁元共沉积,生成Bi2Te3-ySey半导体化合物。改变电沉积溶液组成,可控制Bi2Te3-ySey化合物中硒的掺杂浓度。-0.04V沉积电位下制备的Bi2Te3-ySey薄膜较平整、致密,组成为Bi2Te2.7Se0.3。退火处理可提高电沉积Bi2Te3-ySey薄膜的塞贝克系数,且控制沉积电位为-0.04V下制备的Bi2Te3-ySey薄膜退火后的塞贝克系数为-123μV·K-1。(本文来源于《无机化学学报》期刊2006年02期）
薄膜温差电材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用循环伏安曲线以及稳态极化曲线的测试方法研究比较了不同浓度下Bi(III)、Te(IV)离子在二甲基亚砜有机溶液中于金属铜基体上发生氧化还原的电化学行为。在此基础上采用循环伏安曲线以及稳态极化曲线的测试方法进一步分析了二甲基亚砜有机溶液中纯Bi、纯Te以及B卜Te二元体系的还原过程,结合分析结果采用直流恒电位方式电沉积制备了Bi基薄膜温差电材料,并且采用x射线衍射(xRD)以及塞贝克系数测试对不同电压下制备出的Bi基薄膜温差电材料的物相结构及性能进行了表征。实验结果表明,在铜基体上Bi(III)、Te(IV)离子的氧化还原均为不可逆过程,二者的阴极还原过程均仅由离子扩散造成,且Bi(III)、Te(IV)离子的沉积电位在铜基体上比较接近,Bi-Te二元共沉积过程在铜基体上是一步完成的。对制备出的材料的物相以及性能的分析结果表明电沉积制备出的材料确为B卜Te二元合金,不同电位条件下电沉积制备出的材料均为N型温差电材料,且在电位为-1.6V的条件下电沉积制备出的材料具有最大的塞贝克系数。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
薄膜温差电材料论文参考文献
[1].李菲晖,巩运兰,张弘青,杜冰姿.二甲基亚砜有机溶液中Bi-Sb薄膜温差电材料的电沉积制备[J].电镀与精饰.2014
[2].徐亚伟,李菲晖,巩运兰,张弘青.二甲基亚砜有机体系中电沉积制备Bi-Te薄膜温差电材料的研究[C].第叁届环渤海表面精饰发展论坛论文集.2014
[3].李菲晖,巩运兰,张弘青,耿瑛,徐亚伟.DMSO体系中Bi-Sb二元薄膜温差电材料的电沉积制备[C].2013年海峡两岸(上海)电子电镀及表面处理学术交流会论文集.2013
[4].许晗,王为.MWNTs/Bi_2Te_3薄膜温差电材料的电化学制备及表征[C].第九届全国表面工程大会暨第四届全国青年表面工程论坛论文集.2012
[5].朱艳兵,王为.电化学沉积p-型Bi-Sb-Te-Se薄膜温差电材料及相关性能研究[C].2011中国材料研讨会论文摘要集.2011
[6].汪洋.薄膜温差电材料电沉积设备及性能测试系统的设计与制造[D].天津大学.2009
[7].王为.薄膜温差电材料的电沉积机理研究及微型温差电池的制造技术[J].功能材料信息.2007
[8].卜路霞,王为.恒电位沉积Bi_2Te_(3-y)Se_y温差电材料薄膜[C].第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛论文集.2006
[9].卜路霞,王为.恒电位沉积Bi_2Te_(3-y)Se_y温差电材料薄膜[C].第六届全国表面工程学术会议论文集.2006
[10].王为,卜路霞.n型Bi_2Te_(3-y)Se_y温差电材料薄膜的电化学制备及表征[J].无机化学学报.2006