导读:本文包含了正电子湮没寿命论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:正电子,寿命,聚合物,合金,体积,材料,大分子。
正电子湮没寿命论文文献综述
韩振杰,刘福雁,张鹏,王宝义,曹兴忠[1]（2018）在《基于起始信号触发判选的正电子湮没寿命测量方法》一文中研究指出正电子湮没寿命测量作为一种典型的核物理时间测量方法,其最为关键的两个性能参数是时间分辨率和符合计数率。决定时间分辨率的主要因素是探测器中闪烁晶体及光电转换器件的时间响应,而符合计数率不仅取决于探测器的探测效率,还取决于电子学系统对时间信号的判选方法。本文提出并设计了一种能够有效提高正电子湮没寿命符合测量计数率的方法。该方法通过对两探测器信号中的起始信号成分进行逻辑"或"运算产生外触发信号,利用高速数字化采集设备在此触发信号的触发下实现对有效事例的高效判选。其中任意一个探测器既可作为起始探测器也可作为终止探测器,有效提高了谱仪对探测器信号的利用率。实验表明:该方法在不影响时间分辨率和正电子湮没寿命谱与其峰谷比前提下,可获得更高效的符合计数率。(本文来源于《核技术》期刊2018年06期）
李楠,祁宁,陈志权,王波[2]（2018）在《正电子湮没寿命测量统计精度研究》一文中研究指出正电子湮没寿命与正电子所在位置的电子密度密切相关,因此能反映材料内部原子尺度的微观结构信息,是研究材料缺陷的灵敏探针。正电子湮没寿命可利用时间符合谱仪进行测量,而寿命谱仪的时间分辨函数一般在200-300 ps之间,因此在实际测量中得到的正电子寿命的精确程度是人们广泛关注的问题。本文通过对几种典型样品进行长时间重复测量,并通过改变谱仪的工作状态,研究了各种因素如谱仪的分辨函数、寿命谱总计数、样品中寿命成分个数及各寿命之间的间隔对所分析出的正电子寿命值的影响。研究发现,在谱仪保持状态稳定的情况下,寿命谱的统计测量计数为100万左右时,对于单晶Si中的单个正电子寿命(218 ps),经过重复测量得到的标准偏差小于0.5 ps。对于存在叁个寿命分量的高分子材料聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)中,其平均寿命的标准偏差也小于1 ps,其中长寿命成分?3(1.83 ns)的标准偏差仅为0.016 ns。研究还表明,谱仪时间分辩函数的大小对正电子寿命测量值的影响很小。我们的结果证明正电子寿命测量具有较高的统计精度,能准确反映材料中微观结构细小的变化。(本文来源于《核技术》期刊2018年01期）
王胜[3]（2015）在《正电子湮没寿命谱仪的研制及其在聚合物中的应用》一文中研究指出由于材料的宏观性能很大程度上是由材料本身的微观缺陷决定的,因此通常采用多种测试手段从不同的角度对材料的微观缺陷进行观测、分析并研究,只有真正掌握这些缺陷的信息,才能了解材料的性质。迄今为止,我们了解微观世界的手段很多,像X射线衍射(XRD)、光电子能谱(PS)、二次离子谱(SIMS)、透射电镜(TEM)、叁维原子探针(3DAP扫描电镜(SEM)和本文所述的正电子湮没技术(PAT)等。本文详细介绍了用正电子湮没谱学的各种测试手段的基本原理及其应用,并就研制一台高时间分辨率的正电子湮没寿命谱仪进行了深入探讨和详细阐述。最后的试验结果表明,采用BaF2闪烁体当探测器的晶体,将晶体切割成圆柱形,大小选用￠30mm×20mm,光电倍增管选用日本滨松产的型号为R2059的管子,采用聚四氟乙烯当封装晶体的材料,用伞状封装方式封装晶体,使用光电倍增管推荐的分压比焊接负高压式分压电路,这样研制出来的探测器上升时间约为2.5ns。使用该类型的探测器安装并调试出来的正电子湮没寿命谱仪的时间分辨率最高能达到190ps。正电子湮没谱学技术是一种无损检测技术,它能从微观尺度上对材料中的微观缺陷进行表征,本文用一种聚合物-金属有机骨架材料杂化膜作为研究对象,分别对它进行正电子湮没寿命谱和正电子符合多普勒展宽能谱测量。结果表明,随着金属有机骨架(Metal-Organic Frameworks,MOFs)添加量的增大,杂化膜中较小和较大的自由体积的尺寸都减少了,表明MOFs有可能填充了聚合物中的自由体积;杂化膜的正电子湮没符合多普勒展宽能谱显示,MIL-101(Material Institute Lavoisier-101)亚纳米粒子的加入使得正电子在聚二甲基硅氧烷(Poly(dimethyl siloxane),PDMS)氧原子上的偏向湮没效应减弱,部分正电子与来自MIL-101亚纳米粒子中金属原子的电子发生湮没,表明MOFs的加入改变了聚合物基体自由体积周围的化学环境。本实验也进一步说明应用正电子湮没谱学技术从微观尺度上表征薄膜的微观结构是非常有效的。(本文来源于《东华理工大学》期刊2015-06-18）
李静静,饶保林,虞锦洪,曹兴忠,王宝义[4]（2014）在《环氧-SiO_2纳米复合物的正电子湮没寿命谱研究》一文中研究指出本文测定了环氧-纳米SiO_2复合物的正电子湮没寿命谱,讨论了正电子湮没谱的成分、有机-无机复合界面气隙尺度以及非占有体积分数的表征方法。初步得到结论:1)环氧-纳米SiO_2复合物的正电子湮没谱含有4种湮没成分:自由态湮没、捕获态湮没、正电子素(o-Ps)在聚合物自由体积中的湮没、o-Ps在有机-无机复合界面气隙中的湮没;2)纳米粒子的存在使基体树脂自由体积的尺度减小;3)有机-无机复合界面气隙的尺度与粉体含量基本无关;4)可以通过正电子长寿命成分湮没强度的总和(I_3+I_4)来表征纳米复合材料非占有体积的大小。(本文来源于《第十二届全国正电子谱学会议论文集》期刊2014-07-09）
高舒[5]（2014）在《利用正电子湮没寿命谱技术研究聚合物电解质的导电机理》一文中研究指出本文通过X射线衍射谱,扫描电镜,拉曼光谱,正电子湮没谱,电导率测量等技术研究纳米氧化锌修饰的聚合物电解质的微观结构及其对电导率的影响。研究表明,均匀分散的纳米氧化锌填料可以导致:聚合物基体的晶区减少,氧化乙烯包裹锂离子的对称性减少,单位自由体积膨胀,自由体积分数持平。利用自由体积理论计算公式以及Vogel-TammannFulcher方程研究该体系的自由体积以及导电率的内在关系。提出聚合物基固体电解质的导电增强机理以及温度关系的经验方程。(本文来源于《第十二届全国正电子谱学会议论文集》期刊2014-07-09）
廖霞,张琼文,何汀,安竹,杨其[6]（2014）在《正电子湮没寿命谱技术应用于聚合物微观结构研究的进展》一文中研究指出聚合物的晶区堆砌密度、无定形区自由体积的尺寸和数量、晶区-非晶区的界面等微观结构,对其宏观性能,如渗透性能、力学性能、松弛行为等有重要影响。正电子湮没寿命谱技术是一种强有力的微观结构探测与表征技术,能够灵敏有效地探测聚合物的晶区堆砌密度、无定形区自由体积以及两相界面等信息,从而提供了一种直接、简单的研究聚合物微观结构的途径。文中介绍了该技术的基本原理和应用理论,综述了该技术在聚合物研究领域的应用,如:聚合物本征特性与自由体积之间的关系,应力、辐照、外界压力、物理老化等外界因素对聚合物微观结构的影响,以及聚合物共混物、复合材料的相容性和界面特性等。最后总结了正电子湮没寿命谱技术在聚合物微观结构研究中存在的问题。(本文来源于《高分子材料科学与工程》期刊2014年02期）
杨力,朱敬军,安竹,舒小艳,唐军[7]（2013）在《W-K合金的正电子湮没寿命谱研究》一文中研究指出正电子湮没技术(PAT)是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感.本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术(PLAS),对W-K混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于W-K合金的缺陷变化没有明显的影响,而W-K合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2013年06期）
石竹玉,朱俊[8]（2013）在《用低温正电子湮没寿命谱研究NaY,USY及γ-Al_2O_3的表面结构》一文中研究指出以20～300K的低温正电子湮没寿命谱学方法研究了NaY沸石、USY沸石及多孔γ-Al2O3的表面结构.实验分别测量了脱水后叁样品的低温正电子湮没寿命谱,其中NaY,USY用5个寿命分量分解,γ-Al2O3用4个寿命分量分解.实验结果表明,较短的寿命分量与测量温度无关,而最长的寿命分量(约40ns)则与测量温度有关,不同的寿命温度相关性表明NaY的表面结构与γ-Al2O3的不同.(本文来源于《武汉大学学报(理学版)》期刊2013年04期）
林建波,何上明,李爱国,余笑寒,曹兴忠[9]（2012）在《Hastelloy N合金He离子辐照后的正电子湮没寿命谱研究》一文中研究指出采用正电子湮没寿命谱方法研究了不同剂量He离子辐照后的Hastelloy N合金微结构。He离子能量为4.5 MeV,辐照剂量分别为8×10~(14)/cm~2、3×10~(15)/cm~2和1×10~(16)/cm~2。辐照后合金存在单空位、双空位、位错和空位团等缺陷。随着辐照剂量的增大,合金中的单双空位和位错增多;高剂量下空位和位错出现了回复现象,单双空位以及位错的浓度逐渐降低,且空位更多地聚集成为空位团;另外,随辐照剂量增加空位团尺寸变大,高剂量下空位团尺寸变小,但空位团的浓度逐渐变大。(本文来源于《第十一届全国正电子湮没谱学会议论文集》期刊2012-09-01）
李卓昕,曹兴忠,王宝义,杨静,伍海彪[10]（2012）在《多孔硅发光机理的正电子湮没寿命谱研究》一文中研究指出多孔硅材料的微结构及孔壁表面态复杂,研究者们对其发光起源进行了长期探讨至今未有定论。目前大部分的研究结果表明,除了量子限制作用,孔壁表面缺陷态作为一种可能的因素,对多孔硅的发光性能具有相当的影响。正电子谱学方法是一种基于正电子在材料中的湮没信息,表征材料结构的一种无损手段,是探测材料缺陷的有力工具。本文采用不同溶液浸泡的方法对孔壁表面进行处理,使用正电子湮没谱学方法,根据电子偶素在样品中的湮没行为,对孔壁经不同处理后的多孔硅(本文来源于《第十一届全国正电子湮没谱学会议论文集》期刊2012-09-01）
正电子湮没寿命论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
正电子湮没寿命与正电子所在位置的电子密度密切相关,因此能反映材料内部原子尺度的微观结构信息,是研究材料缺陷的灵敏探针。正电子湮没寿命可利用时间符合谱仪进行测量,而寿命谱仪的时间分辨函数一般在200-300 ps之间,因此在实际测量中得到的正电子寿命的精确程度是人们广泛关注的问题。本文通过对几种典型样品进行长时间重复测量,并通过改变谱仪的工作状态,研究了各种因素如谱仪的分辨函数、寿命谱总计数、样品中寿命成分个数及各寿命之间的间隔对所分析出的正电子寿命值的影响。研究发现,在谱仪保持状态稳定的情况下,寿命谱的统计测量计数为100万左右时,对于单晶Si中的单个正电子寿命(218 ps),经过重复测量得到的标准偏差小于0.5 ps。对于存在叁个寿命分量的高分子材料聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)中,其平均寿命的标准偏差也小于1 ps,其中长寿命成分?3(1.83 ns)的标准偏差仅为0.016 ns。研究还表明,谱仪时间分辩函数的大小对正电子寿命测量值的影响很小。我们的结果证明正电子寿命测量具有较高的统计精度,能准确反映材料中微观结构细小的变化。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
正电子湮没寿命论文参考文献
[1].韩振杰,刘福雁,张鹏,王宝义,曹兴忠.基于起始信号触发判选的正电子湮没寿命测量方法[J].核技术.2018
[2].李楠,祁宁,陈志权,王波.正电子湮没寿命测量统计精度研究[J].核技术.2018
[3].王胜.正电子湮没寿命谱仪的研制及其在聚合物中的应用[D].东华理工大学.2015
[4].李静静,饶保林,虞锦洪,曹兴忠,王宝义.环氧-SiO_2纳米复合物的正电子湮没寿命谱研究[C].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014
[5].高舒.利用正电子湮没寿命谱技术研究聚合物电解质的导电机理[C].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014
[6].廖霞,张琼文,何汀,安竹,杨其.正电子湮没寿命谱技术应用于聚合物微观结构研究的进展[J].高分子材料科学与工程.2014
[7].杨力,朱敬军,安竹,舒小艳,唐军.W-K合金的正电子湮没寿命谱研究[J].四川大学学报(自然科学版).2013
[8].石竹玉,朱俊.用低温正电子湮没寿命谱研究NaY,USY及γ-Al_2O_3的表面结构[J].武汉大学学报(理学版).2013
[9].林建波,何上明,李爱国,余笑寒,曹兴忠.HastelloyN合金He离子辐照后的正电子湮没寿命谱研究[C].第十一届全国正电子湮没谱学会议论文集.2012
[10].李卓昕,曹兴忠,王宝义,杨静,伍海彪.多孔硅发光机理的正电子湮没寿命谱研究[C].第十一届全国正电子湮没谱学会议论文集.2012
论文知识图
