导读:本文包含了低温多晶硅薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:多晶硅,低温,薄膜,诱导,金属,横向,等离子体。
低温多晶硅薄膜论文文献综述
岳致富,吴勇,李喜峰,杨祥,姜姝[1]（2017）在《柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性》一文中研究指出研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm~2/(V·s)降到45.17 cm~2/(V·s),开关比增大;在压缩弯曲状态下,转移特性曲线和平坦状态保持了非常好的一致性。在最小弯曲半径为3 mm时,进行了正负偏压稳定性测试,结果表明,器件依然具有很好的稳定性。(本文来源于《发光学报》期刊2017年09期）
[2]（2015）在《市人民政府关于高世代低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件项目、吉利整车产业化项目发行产业基金的基金管理公司选择采购事宜的批复》一文中研究指出筑府函〔2015〕170号市政府金融办:你办《关于高世代低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件项目、吉利整车产业化项目发行产业基金选择采购事宜的请示》(筑金报〔2015〕91号)收悉,经研究,现批复如下:一、同意由贵阳市科技金融投资有限公司作为贵阳市出资代表,发起设立贵阳市高新技术产业发展基金、贵阳市新能源产业发展基金(暂定名);二、同意贵阳市科技金融投资有限公司委托贵州阳光产权交易所有限公司,对高世代低温多晶硅薄膜(本文来源于《贵阳市人民政府公报》期刊2015年18期）
杨定宇,蒋孟衡,杨军[3]（2008）在《低温多晶硅薄膜的制备评述》一文中研究指出低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本。本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点。接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2008年02期）
汪芳兴,林致颖,张鸿鹏,刘汉文[4]（2008）在《应用于低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器之新型互补电流镜式模拟缓冲放大器(英文)》一文中研究指出取代传统运算放大器和临界电压补偿型模拟缓冲器,提出了一种新型的互补式电流镜模拟缓冲器,可以利用在低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器驱动电路上。使用N型电流镜和P型电流镜来交互使用以达到较大的电压输出范围,并且使用一开关控制电路实时控制切换,所以可以提出的电压缓冲器不需要电容或时脉讯号就可以运作,这样可以节省很多布局时所需要的面积,且依然维持良好的线性趋势。(本文来源于《电子器件》期刊2008年01期）
杨定宇,蒋孟衡,杨军[5]（2008）在《低温多晶硅薄膜的制备工艺研究》一文中研究指出低温多晶硅薄膜是制备高性能薄膜晶体管的首选材料,由其制成的薄膜晶体管由于在平板显示器件驱动中所展现的优越性能而受到广泛关注。本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的叁种制备方法—金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等离子体化学气相沉积法的原理和研究进展,比较了它们之间各自的优缺点,最后对该领域的发展前景进行了展望。(本文来源于《真空》期刊2008年01期）
杨定宇,蒋孟衡,涂小强[6]（2007）在《低温多晶硅薄膜制备技术应用进展》一文中研究指出系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在实用化中需克服的技术问题。对上述制备方法的应用前景作了评述和展望。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2007年08期）
黄金英[7]（2005）在《高品质低温多晶硅薄膜晶体管的制作与周边一体化设计》一文中研究指出平板显示器的后起之秀OLED的有源驱动显示技术的发展以及显示器周边驱动电路的集成一体化强烈依赖于LTPS TFT技术的发展，而制备高品质的LTPSTFT的关键是高品质多晶硅薄膜的低温制备技术。 本文首先讨论了紫外辅助晶化法和金属诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜的方法及工艺条件，并且利用XRD、SEM、Raman光谱等分析测试手段对制备的多晶硅薄膜的品质进行分析。还提出了一种新的多晶硅薄膜的低温制备方法，即金属诱导一双次激光退火晶化法(MI bi-ELA)。 金属诱导晶化法是一种很有前景的大晶粒多晶硅薄膜的低温制备技术，本文详细讨论了Ni金属诱导晶化的机理，并且建立了横向晶化的一维数学模型，为金属诱导晶化制备多晶硅薄膜的晶化长度、晶化速率提供了估算方法以及选择退火温度、时间的参考。 本文介绍了p-Si TFT的电学特性，总结出了器件的重要参数的测试和提取办法；介绍了AIM-Spice关于多晶硅TFT的仿真模型及其建立，并且给出了模型的改进方案。应用仿真器不仅可以模拟p-Si TFT的器件特性，还能为设计制作p-Si TFT及其构成的电路提供参考。 OLED与LTPS TFT的结合以及显示部与周边驱动IC集成一体化是平板显示的发展趋势。本文设计并仿真分析了基于低温多晶硅的OLED象素驱动电路；并且首次对基于LTPS TFT的基本逻辑单元、简单的灰度显示用周边驱动电路进行设计仿真。 本工作的主要目的是研究低温制备多晶硅薄膜的方法、工艺条件及制备机理，从而能够制备出高品质的LTPS TFT；通过建模、仿真分析LTPS TFT器件及其组建的电路评价器件的性能，为进一步研究集成一体化技术奠定基础。(本文来源于《中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）》期刊2005-09-28）
刘传珍,杨柏梁,袁剑峰,李牧菊,吴渊[8]（2001）在《金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究》一文中研究指出利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 ,对晶化过程的机理进行了讨论(本文来源于《半导体学报》期刊2001年01期）
刘传珍,杨柏梁,张玉,李牧菊,吴渊[9]（2000）在《金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究》一文中研究指出利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多晶硅薄膜的特性 ,分析了薄膜结构和组成 ,讨论了晶化过程的机理。(本文来源于《液晶与显示》期刊2000年04期）
冯勇,朱美芳,刘丰珍,刘金龙,韩一琴[10]（2000）在《热丝助PECVD低温多晶硅薄膜制备的研究》一文中研究指出将热丝(钨丝)作为催化器平行地引入等离子体增强化学气相沉积,建立了热丝助PECVD沉积系统。在固定沉积气压、氢稀释度和射频功率和300℃衬底温度的条件下,研究不同钨丝温度 T_f对硅薄膜晶化的影响。结果表明随着T_f的提高,沉积速率、硅薄膜晶化程度和晶粒大小明显增加,呈现半高宽为0.2度(220)优化生长方向,获得了高晶态比(0.95)的多晶硅薄膜。Raman散射谱Si-Si TO峰位于520.5 cm~(-1),半高宽为 7.1cm~(-1),表明热丝的引入有很好的晶化增强效果。(本文来源于《中国第六届光伏会议论文集》期刊2000-10-01）
低温多晶硅薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
筑府函〔2015〕170号市政府金融办:你办《关于高世代低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件项目、吉利整车产业化项目发行产业基金选择采购事宜的请示》(筑金报〔2015〕91号)收悉,经研究,现批复如下:一、同意由贵阳市科技金融投资有限公司作为贵阳市出资代表,发起设立贵阳市高新技术产业发展基金、贵阳市新能源产业发展基金(暂定名);二、同意贵阳市科技金融投资有限公司委托贵州阳光产权交易所有限公司,对高世代低温多晶硅薄膜
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低温多晶硅薄膜论文参考文献
[1].岳致富,吴勇,李喜峰,杨祥,姜姝.柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性[J].发光学报.2017
[2]..市人民政府关于高世代低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件项目、吉利整车产业化项目发行产业基金的基金管理公司选择采购事宜的批复[J].贵阳市人民政府公报.2015
[3].杨定宇,蒋孟衡,杨军.低温多晶硅薄膜的制备评述[J].材料科学与工程学报.2008
[4].汪芳兴,林致颖,张鸿鹏,刘汉文.应用于低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器之新型互补电流镜式模拟缓冲放大器(英文)[J].电子器件.2008
[5].杨定宇,蒋孟衡,杨军.低温多晶硅薄膜的制备工艺研究[J].真空.2008
[6].杨定宇,蒋孟衡,涂小强.低温多晶硅薄膜制备技术应用进展[J].电子元件与材料.2007
[7].黄金英.高品质低温多晶硅薄膜晶体管的制作与周边一体化设计[D].中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）.2005
[8].刘传珍,杨柏梁,袁剑峰,李牧菊,吴渊.金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究[J].半导体学报.2001
[9].刘传珍,杨柏梁,张玉,李牧菊,吴渊.金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究[J].液晶与显示.2000
[10].冯勇,朱美芳,刘丰珍,刘金龙,韩一琴.热丝助PECVD低温多晶硅薄膜制备的研究[C].中国第六届光伏会议论文集.2000
论文知识图
