导读:本文包含了感应耦合等离子刻蚀论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:等离子体,感应,波导,速率,离子,聚合物,干法。
感应耦合等离子刻蚀论文文献综述
满旭,鲍妮,张家斌,郝永芹,李洋[1]（2018）在《Ar/SF_6环境下使用感应耦合等离子体刻蚀SiO_2速率的研究》一文中研究指出利用感应耦合等离子体(ICP)技术在Ar/SF_6环境下对SiO_2薄膜进行干法刻蚀。通过控制ICP功率、RF功率、反应压强和刻蚀气体比例,获得了较高的刻蚀速率(104nm/min),并对SiO_2刻蚀速率随各参数的变化情况进行了讨论。(本文来源于《科技风》期刊2018年34期）
麻晓琴[2]（2017）在《氯氩感应耦合等离子体脉冲调制射频偏压对原子层刻蚀影响的研究》一文中研究指出微电子制造中特征尺寸(Critical Dimensions,CD)的不断减小对工艺提出了更严格的要求,要实现对刻蚀槽形貌演化的更精确的控制,甚至达到原子层级别的精度。等离子体刻蚀(Plasma Etching)相比于传统的湿法刻蚀有着其显着的优点,如:高各向异性,高选择性,高刻蚀速率等。等离子体原子层刻蚀(Plasma Atomic Layer Etching,PALE)有原子尺寸的分辨率,能够实现对材料的单层刻蚀。在刻蚀过程中,入射到基片上的离子能量和角度分布(Ion Energy and Angular Distributions,IEADs)对于刻蚀槽形貌的演化起着关键的作用,所以在工艺中灵活地控制IEADs是非常重要的。特定的偏压波形(Tailored Bias Waveforms)是调节离子能量和角度分布的一种有效的方式,进而实现对刻蚀槽形貌的改善。本文采用耦合反应腔室模型(Reactor Model)、鞘层模型(Sheath Model)和刻蚀槽剖面演化模型(Etch Model)的多尺度模型来研究不同的放电参数和偏压波形对氯氩感应耦合等离子体中硅的原子层刻蚀的影响。本文采用商业软件CFD-ACE+模拟感应耦合等离子(Inductively Coupled Plasma,ICP)腔室放电过程,得出了不同放电气压、不同放电功率条件下腔室中离子和中性粒子的密度分布情况。本文使用的鞘层模型是耦合了流体模型(Fluid Model)和蒙特卡洛模型(Monte Carlo Model)的混合鞘层模型,将CFD-ACE+给出的离子及中性粒子密度作为边界条件,其中流体模型给出了随时空变化的物理量,如极板电势和鞘层厚度等,蒙特卡洛模型考虑离子和中性粒子之间的碰撞过程,计算出到达极板处的离子能量分布(Ion Energy Distributions,IEDs)和离子角度分布(Ion Angle Distributions,IADs)。最后,刻蚀槽模型将CFD-ACE+给出的离子和中性粒子通量以及鞘层模型给出的极板处离子能量和角度分布(IEADs)作为边界条件,模拟给出不同条件下刻蚀槽的剖面演化情况。本文第叁章讨论了射频偏压条件下,不同的脉冲等离子源参数对腔室离子密度和极板处离子能量角度分布的影响。结果显示,不同的放电参数、源脉冲占空比及源脉冲频率能够影响腔室离子密度和极板离子能量角度的分布情况。本文第四章研究了射频等离子体源条件下,不同放电参数对腔室各离子密度和极板处IEADs的影响,以及不同的偏压波形对IEADs的影响。结果表明,不同的放电参数对腔室各离子密度和极板处的IEADs有明显的影响,而且,在极板电极施加特定的偏压波形能够灵活地控制轰击到极板上的离子能量分布,以便得到更加均匀的IEDs。本文第五章讨论了不同的放电参数及不同的偏压波形对刻蚀槽剖面演化的影响。结果表明,特定的偏压波形能够有效地改善刻蚀槽的形貌,得到较理想的刻蚀剖面。(本文来源于《大连理工大学》期刊2017-05-01）
乔辉,刘诗嘉,刘向阳,朱龙源,兰添翼[3]（2016）在《感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性》一文中研究指出利用光刻胶作刻蚀掩模对半导体样品进行感应耦合等离子体干法刻蚀时发现光刻胶掩模在刻蚀后表面出现凸起和孔洞等异常现象,等离子体会透过部分孔洞对样品表面产生刻蚀损伤。利用探针式表面轮廓仪和激光共聚焦显微镜对这些异常现象进行了分析,认为是刻蚀时等离子体气氛中的紫外线对作为掩模的光刻胶进行了曝光作用而释放出一定量的氮气,从而在光刻胶内外形成了压强差而使光刻胶局部表面产生微凸起;当光刻胶的强度无法阻止内部氮气的膨胀时,则会发生类似爆炸的效果,在光刻胶表面形成孔洞状缺陷,导致掩模保护作用的失效。(本文来源于《半导体光电》期刊2016年01期）
王刚,李威,李平,李祖雄,范雪[4]（2012）在《基于CF_4/Ar高密度感应耦合等离子体的BZN薄膜的刻蚀工艺研究》一文中研究指出使用CF4/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势。研究结果表明,使用CF4/Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀。BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF4/Ar流量比3/2、总流量25sccm、工作压强1.33Pa、ICP功率800W,使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀,最大刻蚀速率为26nm/min,刻蚀后薄膜边缘齐整、表面光滑、形状完整。(本文来源于《材料导报》期刊2012年18期）
郭帅,周弘毅,陈树华,郭霞[5]（2012）在《Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究》一文中研究指出采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中Cl2和Ar比例的影响,硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低,同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着ICP功率的增大先增大继而减小,选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在Cl2/Ar混合气体的刻蚀过程中,离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时,文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响,结果表明,通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下,压强改变对于硅刻蚀形貌的影响,发现通过降低压强,可以明显地抑制杂草的产生。(本文来源于《电子科技》期刊2012年09期）
王理文,司俊杰,张国栋[6]（2012）在《感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取》一文中研究指出以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明:当偏压射频源功率为150 W,ICP功率为800 W,反应室压力为1.0 Pa,CH4/H2/Ar的体积流量比为3/10/1时,InSb的刻蚀速率可达90 nm/min,刻蚀表面的平均粗糙度(Ra)约为6.1 nm,InSb与SiO2的刻蚀选择比约为6。(本文来源于《航空兵器》期刊2012年04期）
汪明刚,杨威风,李超波,刘训春,夏洋[7]（2012）在《Cl_2/BCl_3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究》一文中研究指出基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。(本文来源于《半导体技术》期刊2012年05期）
张琨,岳远斌,李彤,孙小强,张大明[8]（2012）在《感应耦合等离子体刻蚀在聚合物光波导制作中的应用》一文中研究指出提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的影响。介绍了倒脊形光波导的制备过程,采用改变单一工艺参数的方法,分析了刻蚀效果随时间、功率、压强、气体流量等参数的变化,对参数优化后刻蚀得到的凹槽和平板结构进行了表征。实验结果表明:在天线射频功率为300 W,偏置射频功率为30 W,气体压强为0.5 Pa,氧气流速为50 cm3/min的条件下,可获得侧壁陡直、底面平整的P(MMA-GMA)凹槽结构。(本文来源于《中国光学》期刊2012年01期）
孙小强,张琨,陈长鸣,李晓东,王菲[9]（2011）在《感应耦合等离子体刻蚀制备低损耗倒脊形聚合物光波导》一文中研究指出利用高密度感应耦合等离子刻蚀方法制备了底面平整、侧壁陡直的聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯倒脊形光波导。系统研究了天线射频功率、偏置功率、气体流量和压强对波导形貌的影响,利用原子力显微镜和扫描电子显微镜分析了刻蚀速率、表面粗糙度和侧壁陡直度与刻蚀参数之间的关系,并利用稀释的聚合物溶液减小了凹槽表面粗糙度,有效降低了由于侧壁粗糙导致的波导光散射损耗。(本文来源于《中国光学学会2011年学术大会摘要集》期刊2011-09-05）
张段芹,褚金奎,侯志武,王立鼎[10]（2010）在《基于感应耦合等离子刻蚀技术的叁维微拉伸梁制作工艺》一文中研究指出根据感应耦合等离子(Inductively coupled plasma,ICP)刻蚀的机理,针对热氧化硅薄膜微拉伸梁的结构特点,研究ICP刻蚀制作3D微拉伸梁结构的工艺并解决其中的难点问题。介绍ICP刻蚀工艺参数对刻蚀质量的影响,包括存在的微负载效应和深宽比效应。详细介绍热氧化硅薄膜微拉伸梁的制作,其关键步骤是双掩膜两次ICP刻蚀形成阶梯状窗口结构,并在硅衬底表面形成释放了的热氧化硅薄膜梁。利用ICP刻蚀对单晶硅的高选择性,此制作工艺适用于各种薄膜的微拉伸梁制作。(本文来源于《机械工程学报》期刊2010年01期）
感应耦合等离子刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
微电子制造中特征尺寸(Critical Dimensions,CD)的不断减小对工艺提出了更严格的要求,要实现对刻蚀槽形貌演化的更精确的控制,甚至达到原子层级别的精度。等离子体刻蚀(Plasma Etching)相比于传统的湿法刻蚀有着其显着的优点,如:高各向异性,高选择性,高刻蚀速率等。等离子体原子层刻蚀(Plasma Atomic Layer Etching,PALE)有原子尺寸的分辨率,能够实现对材料的单层刻蚀。在刻蚀过程中,入射到基片上的离子能量和角度分布(Ion Energy and Angular Distributions,IEADs)对于刻蚀槽形貌的演化起着关键的作用,所以在工艺中灵活地控制IEADs是非常重要的。特定的偏压波形(Tailored Bias Waveforms)是调节离子能量和角度分布的一种有效的方式,进而实现对刻蚀槽形貌的改善。本文采用耦合反应腔室模型(Reactor Model)、鞘层模型(Sheath Model)和刻蚀槽剖面演化模型(Etch Model)的多尺度模型来研究不同的放电参数和偏压波形对氯氩感应耦合等离子体中硅的原子层刻蚀的影响。本文采用商业软件CFD-ACE+模拟感应耦合等离子(Inductively Coupled Plasma,ICP)腔室放电过程,得出了不同放电气压、不同放电功率条件下腔室中离子和中性粒子的密度分布情况。本文使用的鞘层模型是耦合了流体模型(Fluid Model)和蒙特卡洛模型(Monte Carlo Model)的混合鞘层模型,将CFD-ACE+给出的离子及中性粒子密度作为边界条件,其中流体模型给出了随时空变化的物理量,如极板电势和鞘层厚度等,蒙特卡洛模型考虑离子和中性粒子之间的碰撞过程,计算出到达极板处的离子能量分布(Ion Energy Distributions,IEDs)和离子角度分布(Ion Angle Distributions,IADs)。最后,刻蚀槽模型将CFD-ACE+给出的离子和中性粒子通量以及鞘层模型给出的极板处离子能量和角度分布(IEADs)作为边界条件,模拟给出不同条件下刻蚀槽的剖面演化情况。本文第叁章讨论了射频偏压条件下,不同的脉冲等离子源参数对腔室离子密度和极板处离子能量角度分布的影响。结果显示,不同的放电参数、源脉冲占空比及源脉冲频率能够影响腔室离子密度和极板离子能量角度的分布情况。本文第四章研究了射频等离子体源条件下,不同放电参数对腔室各离子密度和极板处IEADs的影响,以及不同的偏压波形对IEADs的影响。结果表明,不同的放电参数对腔室各离子密度和极板处的IEADs有明显的影响,而且,在极板电极施加特定的偏压波形能够灵活地控制轰击到极板上的离子能量分布,以便得到更加均匀的IEDs。本文第五章讨论了不同的放电参数及不同的偏压波形对刻蚀槽剖面演化的影响。结果表明,特定的偏压波形能够有效地改善刻蚀槽的形貌,得到较理想的刻蚀剖面。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
感应耦合等离子刻蚀论文参考文献
[1].满旭,鲍妮,张家斌,郝永芹,李洋.Ar/SF_6环境下使用感应耦合等离子体刻蚀SiO_2速率的研究[J].科技风.2018
[2].麻晓琴.氯氩感应耦合等离子体脉冲调制射频偏压对原子层刻蚀影响的研究[D].大连理工大学.2017
[3].乔辉,刘诗嘉,刘向阳,朱龙源,兰添翼.感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性[J].半导体光电.2016
[4].王刚,李威,李平,李祖雄,范雪.基于CF_4/Ar高密度感应耦合等离子体的BZN薄膜的刻蚀工艺研究[J].材料导报.2012
[5].郭帅,周弘毅,陈树华,郭霞.Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究[J].电子科技.2012
[6].王理文,司俊杰,张国栋.感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取[J].航空兵器.2012
[7].汪明刚,杨威风,李超波,刘训春,夏洋.Cl_2/BCl_3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究[J].半导体技术.2012
[8].张琨,岳远斌,李彤,孙小强,张大明.感应耦合等离子体刻蚀在聚合物光波导制作中的应用[J].中国光学.2012
[9].孙小强,张琨,陈长鸣,李晓东,王菲.感应耦合等离子体刻蚀制备低损耗倒脊形聚合物光波导[C].中国光学学会2011年学术大会摘要集.2011
[10].张段芹,褚金奎,侯志武,王立鼎.基于感应耦合等离子刻蚀技术的叁维微拉伸梁制作工艺[J].机械工程学报.2010
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