全文摘要
本实用新型公开了一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，包括冷电极、加热管外管、绝缘导热介质和加热丝，加热丝设于加热管外管的内部，加热管外管内部填充有绝缘导热介质；还包括绝缘套管，绝缘套管设于加热丝的外部，且位于加热管外管内部，绝缘套管的直径等于加热丝的宽度。本实用新型通过绝缘套管设于加热丝的外部，防止了加热丝在加热管外管内部中绝缘导热介质中的位置偏移，进而防止了加热管在折弯过程加热丝与加热管外管管壁太近，保证了加热丝与加热管外管管壁之间的距离，避免造成绝缘导热介质绝缘下降或加热管外管被击穿的情况，同时避免了由于加热管的损坏造成晶片成品率下降的情况。
主设计要求
1.一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，包括冷电极、加热管外管、绝缘导热介质和加热丝，所述冷电极与加热丝相连，所述冷电极远离加热丝的一端贯穿加热管外管并延伸至加热管外管外侧，所述加热丝设于加热管外管的内部，且加热丝的中轴线与加热管外管的中轴线相重合，所述加热管外管内部填充有绝缘导热介质；其特征在于，还包括绝缘套管，所述绝缘套管设于加热丝的外部，且位于加热管外管内部，所述绝缘套管的直径等于加热丝的宽度；所述加热管外管端部的直径小于等于加热管外管内部的直径。
设计方案
1.一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，包括冷电极、加热管外管、绝缘导热介质和加热丝，所述冷电极与加热丝相连，所述冷电极远离加热丝的一端贯穿加热管外管并延伸至加热管外管外侧，所述加热丝设于加热管外管的内部，且加热丝的中轴线与加热管外管的中轴线相重合，所述加热管外管内部填充有绝缘导热介质；其特征在于，还包括绝缘套管，所述绝缘套管设于加热丝的外部，且位于加热管外管内部，所述绝缘套管的直径等于加热丝的宽度；所述加热管外管端部的直径小于等于加热管外管内部的直径。
2.根据权利要求1所述的一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，其特征在于，所述加热管外管包括第一外管和第二外管，第一外管设于加热管外管的端部，第二外管设于加热管外管的内部，且第一外管和第二外管一体成型，第一外管的直径小于等于第二外管的直径。
3.根据权利要求2所述的一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，其特征在于，所述第一外管的直径小于第二外管的直径，且第一外管的直径为10mm，第二外管的直径为11-12mm。
4.根据权利要求2或3所述的一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，其特征在于，所述绝缘套管的直径小于第一外管的直径。
5.根据权利要求1所述的一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，其特征在于，所述加热管外管采用铝合金外管。
6.根据权利要求1所述的一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，其特征在于，所述绝缘套管采用氧化镁绝缘套管。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及钨薄膜物理气相沉积用加热盘技术领域，特别是一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管。
背景技术
现有技术在晶片成膜过程中会使用钨薄膜物理气相沉积用加热盘对晶片进行加热，加热盘内部都会有加热管，加热管包括加热丝、绝缘导热介质和加热管外管，但是现有的加热管存在一个缺陷：加热管在折弯过程内部的加热丝与加热管外管管壁太近，会造成绝缘导热介质绝缘下降或加热管外管被击穿的情况，此时需要停止对晶片的加热工艺，对加热管进行更换，不仅耽误工艺进程，影响工作效率，还会对晶片的成膜造成不可逆转的影响，直接导致晶片成膜成品率的下降。
实用新型内容
本实用新型针对上述背景技术中的不足，设计了一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，防止了加热丝在加热管外管内部中绝缘导热介质中的位置偏移，进而防止了加热管在折弯过程加热丝与加热管外管管壁太近，保证了加热丝与加热管外管管壁之间的距离，避免造成绝缘导热介质绝缘下降或加热管外管被击穿的情况，同时避免了由于加热管的损坏造成晶片成品率下降的情况。
实现上述目的本实用新型的技术方案为，一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，包括冷电极、加热管外管、绝缘导热介质和加热丝，所述冷电极与加热丝相连，所述冷电极远离加热丝的一端贯穿加热管外管并延伸至加热管外管外侧，所述加热丝设于加热管外管的内部，且加热丝的中轴线与加热管外管的中轴线相重合，所述加热管外管内部填充有绝缘导热介质；还包括绝缘套管，所述绝缘套管设于加热丝的外部，且位于加热管外管内部，所述绝缘套管的直径等于加热丝的宽度；所述加热管外管端部的直径小于等于加热管外管内部的直径。
进一步地，所述加热管外管包括第一外管和第二外管，第一外管设于加热管外管的端部，第二外管设于加热管外管的内部，且第一外管和第二外管一体成型，第一外管的直径小于等于第二外管的直径。
进一步地，所述第一外管的直径小于第二外管的直径，且第一外管的直径为10mm，第二外管的直径为11-12mm。
进一步地，所述绝缘套管的直径小于第一外管的直径。
进一步地，所述加热管外管采用铝合金外管。
进一步地，所述绝缘套管采用氧化镁绝缘套管。
与现有技术相比，本实用新型具有的优点和有益效果是，
1.本实用新型通过绝缘套管设于加热丝的外部，且位于加热管外管内部，绝缘套管的直径等于加热丝的宽度，防止了加热丝在加热管外管内部中绝缘导热介质中的位置偏移，进而防止了加热管在折弯过程加热丝与加热管外管管壁太近，保证了加热丝与加热管外管管壁之间的距离，避免造成绝缘导热介质绝缘下降或加热管外管被击穿的情况，同时避免了由于加热管的损坏造成晶片成品率下降的情况。
2.本实用新型中加热管外管包括第一外管和第二外管，第一外管的直径小于等于第二外管的直径，第一外管的直径为现有技术中常规尺寸，不仅不影响其使用效果，由于第二外管直径的加大，使得加热丝的功率密度变小，延长了加热丝的使用寿命，更加耐烧。
附图说明
图1是本实用新型一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管的结构示意图；
图2是图1中A-A剖视图；
图3是本实用新型一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管的结构示意图。
图中：1冷电极；2加热管外管；3绝缘导热介质；4加热丝；5绝缘套管；21第一外管；22第二外管。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1-3所示，一种用于钨薄膜物理气相沉积用加热盘的新型加热管，包括冷电极1、加热管外管2、绝缘导热介质3和加热丝4，所述冷电极1与加热丝4相连，所述冷电极1远离加热丝4的一端贯穿加热管外管2并延伸至加热管外管2外侧，所述加热丝4设于加热管外管2的内部，且加热丝4的中轴线与加热管外管2的中轴线相重合，所述加热管外管2内部填充有绝缘导热介质3；还包括绝缘套管5，所述绝缘套管5设于加热丝4的外部，且位于加热管外管2内部，所述绝缘套管5的直径等于加热丝4的宽度；由于加热丝4的外部固定套设有绝缘套管5，防止了加热丝4在加热管外管2内部中绝缘导热介质3中的位置偏移，进而防止了加热管在折弯过程加热丝4与加热管外管2管壁太近，保证了加热丝4与加热管外管2管壁之间的距离，避免造成绝缘导热介质3绝缘下降或加热管外管2被击穿的情况，同时避免了由于加热管的损坏造成晶片成品率下降的情况。
所述加热管外管2端部的直径小于等于加热管外管2内部的直径，所述加热管外管2包括第一外管21和第二外管22，第一外管21设于加热管外管2的端部，第二外管22设于加热管外管2的内部，且第一外管21和第二外管22一体成型，第一外管21的直径小于等于第二外管22的直径，由于第一外管21的直径小于等于第二外管22的直径，第一外管21的直径为现有技术中常规尺寸，不仅不影响其使用效果，由于第二外管22直径的加大，使得加热丝4的功率密度变小，延长了加热丝4的使用寿命，更加耐烧。所述第一外管21的直径小于第二外管22的直径，且第一外管21的直径为10mm，第二外管22的直径为11-12mm；优选的，所述绝缘套管5的直径小于第一外管21的直径；所述加热管外管2采用铝合金外管；所述绝缘套管5采用氧化镁绝缘套管。
具体实施，首先对加热丝4和冷电极1进行连接，然后在加热丝4的外侧预套设绝缘套管5，其次在绝缘套管5的外侧套设常规的加热管外管2，完成后再从第一外管21远离第二外管22的一端向加热管外管2内部填充绝缘导热介质3，随后进行震荡，完成绝缘导热介质3对加热管外管2内部的空间的填充，从而使加热丝4与加热管外管2之间形成绝缘，随后再对加热管外管2进行常规的热缩工艺，热缩时，可以完成对第一外管21直径小于第二外管22直径的结构设置。在使用本加热管对加热盘进行加热过程中，由于加热丝4的外部固定套设有绝缘套管5，防止了加热丝4在加热管外管2内部中绝缘导热介质3中的位置偏移，进而防止了加热管在折弯过程加热丝4与加热管外管2管壁太近，保证了加热丝4与加热管外管2管壁之间的距离，避免造成绝缘导热介质3绝缘下降或加热管外管2被击穿的情况，同时避免了由于加热管的损坏造成晶片成品率下降的情况。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920033271.5
申请日:2019-01-08
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:12(天津)
授权编号:CN209468495U
授权时间:20191008
主分类号:C23C 14/22
专利分类号:C23C14/22
范畴分类:25F;
申请人:天津维普泰克科技发展有限公司
第一申请人:天津维普泰克科技发展有限公司
申请人地址:300000 天津市滨海新区华苑产业区鑫茂科技园G-2-A5单元
发明人:庞井成;张彬彬
第一发明人:庞井成
当前权利人:天津维普泰克科技发展有限公司
代理人:汪发成
代理机构:11684
代理机构编号:北京沁优知识产权代理事务所(普通合伙
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计