电阻突变性能论文_马兰,杨绍利,高仕忠

导读:本文包含了电阻突变性能论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:突变,电阻,性能,杂质,薄膜,论文。

电阻突变性能论文文献综述

马兰,杨绍利,高仕忠^[1]（2010）在《多种杂质对VO_2薄膜电阻突变性能的影响》一文中研究指出理论上计算了VO_2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO_2薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO_2晶体点阵常数和键长的影响。结果表明,杂质使VO_2薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度降低,电阻突变数量级减小。(本文来源于《材料导报》期刊2010年S2期）

电阻突变性能论文开题报告

电阻突变性能论文参考文献

[1].马兰,杨绍利,高仕忠.多种杂质对VO_2薄膜电阻突变性能的影响[J].材料导报.2010

论文知识图

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