论文摘要
为解决电子元器件辐射效应中测量器件X射线吸收剂量的问题,本文采用Geant4蒙特卡洛程序模拟计算X射线在水模体与硅模体中的吸收剂量,得到硅与水的吸收剂量转换因子.计算结果表明:在X射线管电压为60 kV的连续能谱下,硅吸收剂量与水吸收剂量的转换因子为6.929.此结果与质能吸收系数转换方法算出的结果符合得很好,表明此计算方法是可行的,为电子元器件X射线辐射效应的研究奠定了基础.
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王万俊,陆妩,荀明珠,于刚,王倩
关键词: 蒙特卡洛方法,深度剂量曲线,吸收剂量,转换因子
来源: 新疆大学学报(自然科学版) 2019年04期
年度: 2019
分类: 基础科学
专业: 物理学
单位: 新疆大学物理科学与技术学院,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室
基金: 国家自然科学基金地区项目(No.11765022)
分类号: O434.1
DOI: 10.13568/j.cnki.651094.2019.04.009
页码: 432-436
总页数: 5
文件大小: 415K
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