论文摘要
为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化。采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧光光谱测试对CdSe量子点敏化后的GaAs衬底样品与未敏化的样品进行对比。结果表明:所制备的CdSe量子点大小均匀,尺寸约为20 nm,且均匀地附着在GaAs衬底上,CdSe量子点/GaAs形成了Ⅱ型能带结构。量子点敏化使GaAs衬底表面的载流子浓度升高。通过荧光光谱测试对各发光峰的来源进行了分析。测试数据显示,与敏化前相比,敏化后的GaAs衬底带边发光增强了2.25倍,缺陷发光增强了3倍。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 刘展,林逢源,高美,方铉,房丹,王登魁,唐吉龙,王晓华,魏志鹏
关键词: 光谱学,量子点敏化,光致发光,型能带结构
来源: 中国激光 2019年08期
年度: 2019
分类: 基础科学,信息科技
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
基金: 国家自然科学基金(61704011,61574022,61504012,61674021,11404219,11404161,11574130,11674038)
分类号: O471.1;O482.31
页码: 298-304
总页数: 7
文件大小: 1409K
下载量: 117
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