导读:本文包含了负微分电导论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电导,微分,晶格,分子,半导体,效应,细丝。
负微分电导论文文献综述
衣晓华,刘然,李宗良[1]（2016）在《气体小分子对单分子结负微分电导的影响》一文中研究指出基于密度泛函理论并利用非平衡格林函数方法,研究了以9,10-二氢蒽为核心的芳基炔硫醇盐分子结(记为AH)在拉伸过程中的负微分电导效应(negative differential conductance)[1],以及气体小分子对单分子器件负微分电导性质的影响。结果表明,分子结在稳定状态下的负微分电导效应最明显,且随着电极距离的增大而逐渐消失,这与Perrin M.L.[1]等人的实验结果相一致。当有气体小分子吸附于AH分子9,10-二氢蒽核心时,根据气体分子的极性不同,对单分子器件的负微分电导(本文来源于《第六届全国计算原子与分子物理学术会议论文集》期刊2016-08-05）
谭平安,张波,丘东元[2]（2010）在《负微分电导下晶闸管的动力学行为与混沌现象》一文中研究指出研究了晶闸管处于负微分电导状态下的非线性动力学行为,推导了晶闸管动力学系统不稳定需满足的边界条件,解释了晶闸管混沌现象产生机理.建立了晶闸管的非线性动力学方程,分析了该动力学方程的线性稳定性.在此基础上根据Jacobi矩阵得到了系统不稳定需满足的边界条件,指出晶闸管的混沌行为并非只由负微分电导特性引起,还与外界条件和器件本身物理参数等因素有关.最后,通过数值仿真和实验研究证实了理论分析的正确性,从而完整地解释了晶闸管的倍周期分岔和混沌行为.(本文来源于《物理学报》期刊2010年06期）
唐威,卢红利,刘佑宝,吴龙胜[3]（2010）在《PD-SOI NMOSFET负微分电导现象的模拟分析》一文中研究指出对无体接触的深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET器件的输出特性分别进行了等温、非等温和非等温能量输运3种模式的模拟,结果表明:SiO2埋层的低导热率使器件在静态工作条件下硅膜温度上升,电子迁移率降低,漏端电流减小;同时,电子温度上升使电子扩散率增加,在无体接触情况下体区电子密度升高,体电势降低,漏端电流减小.通过对模拟结果的分析认为电子迁移率降低和扩散率升高是造成PD-SOI NMOSFET负微分电导现象的主要原因.(本文来源于《武汉大学学报(工学版)》期刊2010年02期）
黄忠兵[4]（1996）在《半导体超晶格中负微分电导及其非线性特性的研究》一文中研究指出在文章的第一部分我们总结了Fokker-Planck方程的性质、解法及应用，以及半导体超晶格中负微分电导特性和振荡特性的一些解释。同时还讨论了半导体中的非线性特性及混沌理论。以圆映射为例，详细分析了由倍周期分岔、准周期到混沌的道路，对锁频现象作了全面的描述。 考虑到超晶格中的声子-电子、杂质-电子、以及电子-电子的散射作用，我们视电子在矩形周期势场中作布朗运动。并利用矩阵连分法求解相应的Fokker-Planck方程，得到了电输运的V-E特性，它同经验拟合关系V=(μE)／(1+(E／E_c)~2)完全符合。对周期势的宽度及深度作一定的调节，我们讨论了温度对负微分电导特性的影响。由于生长及掺杂的涨落，超晶格是非理想的，在高温条件下，我们几乎观察不到负微分电导特性。 在唯象方程V=(μE)／(1+(E／E_c)~2)的基础上，我们用宏观输运理论来探讨半导体超晶格中的混沌，锁频等非线性特性。与讨论Gunn氏效应的方法类似，由场畴运动的非线性偏微分方程出发，在一定的近似条件下，求得一个四维非线性常微分方程组。采用数值积分法和快速傅立叶变换法(FFT)，我们分析了不同参数条件下的运动特征。我们的结果同其它半导体中的非线性特性相似，并且验证了圆映射理论的预言。(本文来源于《北京师范大学》期刊1996-05-01）
田强[5]（1996）在《阻尼Bloch振荡和负微分电导现象的简单理论分析》一文中研究指出用能带理论分析一维超晶格电子在直流外场作用下的阻尼运动，对Ｂｌｏｃｈ振荡和负微分电导现象给出清楚的物理图象，并通过数值解得到有阻尼时振荡频率随外场增加而趋近于Ｂｌｏｃｈ频率的一般规律．(本文来源于《大学物理》期刊1996年01期）
徐士杰,刘剑,郑厚植,李月霞,李承芳[6]（1995）在《GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As短周期超晶格中负微分电导效应的观察》一文中研究指出1970年,Esaki和Lsu提出了半导体超晶格的概念,旨在获得一个全新物理范畴的电子性质.由于超晶格中电子态之间的耦合,导致微带形成,载流子在这些微带中的输运将展现出新的物理现象,例如,Esaki和Lsu所预言的负微分电导效应.然而,后来在超晶格中载流子纵向输运实验上所观察到的低温条件下的负微分电导效应是由于高场畴或者级连共振隧穿引起的.最近,Sibille等人在GaAs/AlAs短周期超晶格中在室温条件下观察到Esaki-Lsu所预言的负微分电导效应.在本文中,我们给出了GaAs/Al_0.3Ga_0.7As短周期超晶格在300K和77K温度下的微带输运实验结果,两个温度下的实验数据均表现出清楚的负微分电导效应,而且77K温度下的微带电导明显地大于300K下的微带电导,这与理论的预言是相符的.(本文来源于《科学通报》期刊1995年05期）
负微分电导论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了晶闸管处于负微分电导状态下的非线性动力学行为,推导了晶闸管动力学系统不稳定需满足的边界条件,解释了晶闸管混沌现象产生机理.建立了晶闸管的非线性动力学方程,分析了该动力学方程的线性稳定性.在此基础上根据Jacobi矩阵得到了系统不稳定需满足的边界条件,指出晶闸管的混沌行为并非只由负微分电导特性引起,还与外界条件和器件本身物理参数等因素有关.最后,通过数值仿真和实验研究证实了理论分析的正确性,从而完整地解释了晶闸管的倍周期分岔和混沌行为.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
负微分电导论文参考文献
[1].衣晓华,刘然,李宗良.气体小分子对单分子结负微分电导的影响[C].第六届全国计算原子与分子物理学术会议论文集.2016
[2].谭平安,张波,丘东元.负微分电导下晶闸管的动力学行为与混沌现象[J].物理学报.2010
[3].唐威,卢红利,刘佑宝,吴龙胜.PD-SOINMOSFET负微分电导现象的模拟分析[J].武汉大学学报(工学版).2010
[4].黄忠兵.半导体超晶格中负微分电导及其非线性特性的研究[D].北京师范大学.1996
[5].田强.阻尼Bloch振荡和负微分电导现象的简单理论分析[J].大学物理.1996
[6].徐士杰,刘剑,郑厚植,李月霞,李承芳.GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As短周期超晶格中负微分电导效应的观察[J].科学通报.1995
论文知识图
