论文摘要
基于缺陷的碳纳米结构工程正在成为改变石墨烯纳米带FET中电子传输性质的重要且有效的方法。本文研究了ISTW缺陷的位置和对称性对低维9NR双栅石墨烯纳米带FET（DG-GNRFET）性能的影响。分析透射光谱和态密度和电流-电压特性表明,对电子传输的缺陷影响根据ISTW缺陷在沟道长度中的位置和取向（对称和非对称配置）而显着变化。基于该结果,非对称ISTW缺陷导致栅极电压对漏极电流的可控性更强,并且漏极电流增加超过5倍。结果还证实了ISTW在控制DG-AGNR FET的沟道电流方面的缺陷工程潜力。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: Mohammad Bagher NASROLLAHNEJAD,Parviz KESHAVARZI
关键词: 逆缺陷,电子传输特性,石墨烯纳米带,紧束缚,形成机理
来源: Journal of Central South University 2019年11期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学,材料科学
单位: Electrical and Computer Engineering Department, Semnan University
分类号: TB383.1;O613.71
页码: 2943-2952
总页数: 10
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