导读:本文包含了低介电损耗论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:常数,复合材料,石墨,性能,乙烯,聚苯,分子量。
低介电损耗论文文献综述
王铭钧,杨晓慧,姚洪喜,鲍忠桢[1]（2018）在《低介电常数和低介电损耗的含二硅氧烷共聚聚酰亚胺的制备研究》一文中研究指出将四甲基-双(r-氨丙基)-二甲基硅氧烷(APDS)和4,4′-二氨基二苯醚(ODA)混合,然后分别与均苯四甲酸酐(PMDA)、3,3′,4,4′-二苯酮四甲酸酐(BTDA)和3,3′,4,4′-二苯醚四甲酸酐(ODPA)进行无规共聚,合成了3种含二甲基硅氧烷的共聚聚酰亚胺(POA、BOA和ODOA)。采用热重分析(TGA)和差示扫描量热法(DSC)对其热性能进行了表征,用介电分析仪对3种共聚聚酰亚胺在频率为0.1～105Hz和温度为50～300℃的介电常数和介质损耗因数(tanδ)进行了测试。结果表明:在频率≥103Hz和温度为50～250℃时,3种聚酰亚胺的介电常数均为2.2～2.4,变化很小。在频率≤103Hz时,温度对介电常数的影响明显增大,特别是温度高于200℃时影响显着。在一定频率下,tanδ随温度的升高而逐渐增大,在高频时tanδ增加很慢。在一定温度下,tanδ随频率的升高而减小。(本文来源于《绝缘材料》期刊2018年10期）
卢纯青[2]（2018）在《新型低介电损耗高能量密度多层结构树脂基复合材料的研究》一文中研究指出具有高能量密度的高介电常数材料对于介电电容器在混合动力汽车、医疗设备和电子武器方面的应用以及介电电容器自身向小型化、集成化方向的发展来说非常重要。作为一类重要的高介电常数材料,导体/聚合物基复合材料在导体含量接近渗流阈值时,会出现介电常数突增的现象,满足介电电容器对于高介电常数的需求。但同时,也伴随着介电损耗突增和击穿强度降低的问题,不利于储能密度的提高。因此,研发一种兼具高介电常数、低介电损耗的高能量密度聚合物基复合材料是一项非常有意义的工作。本文的研究工作主要针对这个目标展开。首先,基于含有导电层和绝缘层的层状结构设计,我们以碳纳米管(CNT)、氰酸酯(CE)树脂和六方氮化硼(h BN)为原料,制备了含量为0.4wt%的CNT/CE(0.4CNT/CE,记为C层)和h BN/CE(记为B层)组成的多层结构复合材料。根据B层和C层的位置不同,得到了叁种层状结构复合材料BC、BCB和CBC。研究了不同的层状结构和层内组分对复合材料的介电性能、击穿强度和能量密度的影响,并与单层的0.4CNT/CE的综合性能相比较。结果表明,叁种层状结构均具有更低的介电损耗和改善的击穿强度。其中BC和CBC结构的介电常数远大于0.4CNT/CE复合材料的值,特别地,h BN占B层含量为20wt%的C20BC结构的介电常数可达323(100Hz),对应的介电损耗仅为0.049(100Hz),分别是0.4CNT/CE的10倍和2.6×10-3倍;同时,该结构的击穿强度和能量密度也分别达到0.4CNT/CE复合材料的1.5倍和25倍。这些突出的性能源于复合材料的多层结构。层状结构中,B层的存在一方面能够阻止导电通路的形成,达到降低介电损耗、改善击穿强度的作用;另一方面,B层与C层之间电导率的巨大差异使得层之间产生界面极化,赋予复合材料大幅提高的介电常数。其次,为了保留界面极化对于提高介电常数的有益效果,同时进一步改善击穿强度,更系统地研究层状结构对介电性能的影响,我们在C20BC(记为I)结构的基础上,继续在其一端或两端旋涂B层,分别得到了四层结构BI和五层结构BIB。结果表明,在相同的h BN含量下,BI和BIB结构的介电损耗低于I结构,并且击穿强度得到进一步改善。但是由于B层作为绝缘层阻止电荷传输的作用强于层间界面极化的作用,BI和BIB的介电常数较I结构并没有提高,但是BI结构的介电常数是0.4CNT/CE的2.8倍。同时,与0.4CNT/CE相比,BI和BIB结构的能量密度均获得了提高,分别是前者的9倍和4.5倍。(本文来源于《苏州大学》期刊2018-06-01）
张净净,李海蓉,姜明,熊传溪[3]（2017）在《低介电损耗PVDF基渗流型复合材料的制备与结构调控》一文中研究指出渗流型聚偏二氟乙烯(PVDF)基复合材料由于兼备了高介电常数、良好的机械性能和加工性能而受到了越来越多的关注,但渗流型介电复合材料也存在介电损耗高的问题,无法满足高能效、微型化和集成化等电子和电力系统器件的使用要求。本文采用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)对银纳米粒子和还原的氧化石墨烯(r GO)进行包覆,再与PVDF复合制备了Ag@PVP/PVDF和r GO@PVP/PVDF复合材料。在1000Hz频率下及各自的渗流阈值附近,其中前者的介电损耗约为0.05,与纯PVDF接近,介电常数约为120,而后者介电损耗约为0.2,介电常数接近600。PVP与导电粒子和PVDF基之间均有较强的相互作用,有利于改善粒子在聚合物基体中的分散,同时具有较好的绝缘性,通过PVP对银纳米粒子和石墨烯的包覆,能够有效抑制PVDF基渗流型复合材料体系的介电损耗。(本文来源于《中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题M：高分子共混与复合体系》期刊2017-10-10）
周敏[4]（2017）在《低介电损耗、高导热系数聚合物基复合材料的制备及介电性能研究》一文中研究指出聚合物基介电复合材料由于具备优良的介电性能与加工成型性在新能源电子应用领域备受关注,在实际应用中材料损耗放出的热量聚集在体系内部,影响了材料高温下的可靠性,现有介电聚合物基材料已无法满足高性能和极端条件下的高导热和高介电性能等方面的要求,急需开发出新的高温介电复合材料。本文选作氧化铝(Al_2O_3)为导热填料,聚丙烯(PP)作为聚合物基,再填充高介电性的钛酸钡陶瓷(BT),并对无机相进行改性,制备了低介电损耗、高导热系数的聚合物基复合材料。主要结果如下:(1)在氧化铝/聚丙烯基两相复合材料中,当Al_2O_3:PP=1:1(体积比)时,其介电常数从纯PP的2.74上升至5.00(1000Hz),增幅高达82%,介电损耗从纯PP的0.0055下降至0.0011降幅达80%;击穿强度达到42MV/m,导热系数也从纯PP的0.176W/(m·k)提高到0.346W/(m·k)。(2)由于两相复合材料的介电常数较低、导热系数提高不够,在聚合物基体中,添加高介电性的钛酸钡陶瓷,制备出多组分氧化铝/钛酸钡/聚丙烯基叁相复合材料,并测试其导热、介电等综合性能。数据表明,当Al_2O_3:BT=1:4(体积比),且氧化铝和钛酸钡含量占总体积的50%时,各方面性能达到最佳。此时复合材料的介电常数从聚丙烯的2.74上升到15.59(1000Hz),提高了约4.7倍,介电损耗也维持在0.05以下;导热系数从聚丙烯的0.176W/(m·k)增加至0.898W/(m·k),增长了4倍以上;击穿强度达到最大值有47.35MV/m。(3)采用酒石酸作为螯合剂通过化学包裹法对钛酸钡陶瓷进行改性,制备改性钛酸钡/氧化铝/聚丙烯复合材料,经过分析,在Al_2O_3:改性BT=1:4(体积比),且氧化铝和改性钛酸钡占总体积的50%时,复合材料各方面的性能达到最优,其中,改性后的叁相复合材料介电常数从改性前的15.59增长到20.73(1000Hz),提高了33%;介电损耗从改性前的0.030下降到改性后的0.015,降低幅度达50%;导热系数从改性前的0.898W/(m·k)上升至改性后的1.239W/(m·k),提高了31%;并且改性后的击穿强度未发生明显下降,说明填料改性对材料储能方面无影响。实验结果表明,通过在聚合物基体中添加导热填料和高介电陶瓷填料均能够提高聚合物的介电和导热性能,填料的表面处理对降低复合材料介电损耗,提高导热系数有一定效果,能制备出具有低介电损耗、高导热性能的聚合物基复合材料。(本文来源于《武汉工程大学》期刊2017-03-20）
钟明强,范萍[5]（2016）在《高介电常数、低介电损耗的聚合物/石墨烯复合材料的研究》一文中研究指出随着电子技术的发展,电子器件向着小型化、多功能化方向发展。因而对重量轻、储能密度高的大功率电容器的需求越来越大,而这需要采用密度小、介电常数高、损耗低的介电材料作为电荷储存的载体~([1])。导电粒子/聚合物复合材料是获得介电常数高、易加工的介电材料的重要途径之一。与其它导电粒子相比,石墨烯具有高导电率及大宽高比的二维片状结构,可在很低的含量下获得高介电常数的聚合物基复合材料~([2])。然而,石墨烯易于在聚合物基体中形成导电通路,导致材料的介电损耗急剧上升。因此,我们希望通过控制石墨烯在聚合物中的分布(本文来源于《2016年全国高分子材料科学与工程研讨会论文摘要集》期刊2016-11-01）
范宏,李诚,曹骏,马中柱[6]（2016）在《本征阻燃型低介电损耗含硅丁香酚骨架结构生物基环氧树脂（英文）》一文中研究指出环氧树脂是一类被广泛应用的热固性树脂。随着工业技术的进步,传统环氧树脂的应用逐渐为其性能所限制,这些性能包括阻燃性、介电性能、热稳定性等。具备这些高性能的环氧树脂亟待开发应用。此外,传统环氧树脂是以石油作为基础原料,对环境具有一定的负面影响。本文中,我们开发出一系列含硅的生物基环氧树脂。其固化物具备优异的阻燃性能(极限氧指数LOI超过30),介电损耗低于传统缩水甘油醚型环氧树脂固化物,材料表面形态轮廓尺寸为-20-20纳米之间,远小于传统缩水甘油醚型环氧,表现出优异的自流平特性。该系列含硅生物基环氧树脂具有较大的开发潜力,可望用于高档涂料、微电子封装等高端领域。(本文来源于《2016中国国际粘接技术大会论文集》期刊2016-10-16）
彭康,董辉,潘锦平,陈忠红,梁希亭[7]（2016）在《低分子量聚苯醚的制备及其在低介电损耗覆铜板中的应用》一文中研究指出低分子量聚苯醚作为一种综合性能优异的树脂在高速低损耗覆铜板中具有广阔的应用前景。本文综述了聚苯醚的基本性能,采用再分配或直接合成制备了低分子量聚苯醚并对其热固改性,进一步阐述了其在高速低损耗覆铜板中的应用。(本文来源于《第十七届中国覆铜板技术·市场研讨会论文集》期刊2016-10-13）
马红霞,刘承美[8]（2015）在《高介电常数和低介电损耗聚苯并恶嗪》一文中研究指出采用4-(3,4-二氢-1,3-苯并恶嗪基)苯酚(HO-BOZ)和(m,p)CF3-PhOH对六氯环叁磷腈进行混合取代,制备6种含氟的基于环叁磷腈结构的苯并恶嗪单体。采用IR和DSC研究6种单体热开环聚合行为,并对聚合物的热性能、介电性能进行了研究。实验结果表明,单体聚合起始温度均在220℃以上,峰值温度约为250℃。聚合物具有较高的热稳定性,在氮气氛围中,850℃的残炭率均大于45%,最高达61%,在空气氛围中最高达51%。根据DMA结果,m-CF3-PhOH降低聚合物的玻璃化转变温度Tg,而p-CF3-PhOH对能提高Tg,因为p-CF3-PhOH空间位阻低于m-CF3-PhOH,导致p-CF3-PhOH取代的聚合物具有更高的交联密度。介电测试结果表明,6种聚合物的介电常数和介电损耗在室温下1M Hz时分别在4.96~5.86和0.0067~0.016,显示出优异的介电性能。(本文来源于《2015年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题J 高性能高分子》期刊2015-10-17）
王童星[9]（2015）在《新型功能石墨烯及其高介电常数低介电损耗环氧树脂基复合材料的研究》一文中研究指出高介电常数(High-k)聚合物基复合材料作为电子、能量转换及存储材料等在众多尖端领域具有巨大的应用前景,受到研究者的广泛和高度关注。基于渗流理论的导体/聚合物基复合材料是制备High-k材料的重要类型。依据渗流理论,在渗流阈值(fc)附近发生介电常数的急增,但是同时也往往出现高介电损耗。如何降低导体/聚合物复合材料的介电损耗成为High-k材料研究的关键。大量研究证明,在导体的表面包覆绝缘层可以有效降低介电损耗,但是因阻碍了导电网络的形成而往往需要添加高含量的导体才能获得高介电常数。这不仅增加了复合材料的fc,而且劣化了复合材料的工艺性,甚至力学性能等其他性能。因此,研发一种兼具高介电常数、低介电损耗和低fc的树脂基复合材料具有重大意义。本文围绕这个目标而展开研究。从新型功能石墨烯的设计制备出发,以结构-性能为主线展开相关的研究。首先,我们制备了具有微电容结构的新型功能体(Ti O2@Ti B2-r GO),通过化学法在石墨烯(r GO)表面接枝具有核-壳杂化的功能体(Ti O2@Ti B2);而后在此基础上以环氧树脂(EP)为基体制备了系列Ti O2@Ti B2-0.75r GO/EP复合材料。探讨了不同含量Ti O2@Ti B2包覆的r GO对Ti O2@Ti B2-0.75r GO/EP复合材料的电学和介电性能的影响。研究结果表明,Ti O2@Ti B2-0.75r GO/EP复合材料不仅具有低fc(0.758wt%),而且具有高介电常数和低介电损耗。当Ti O2@Ti B2与r GO的质量比为0.1:1时,相应的3Ti O2@Ti B2-0.75r GO/EP复合材料在100Hz下的介电常数和介电损耗分别为77和0.55,各为相同r GO含量的0.75r GO/EP复合材料相应值的1.14和5.8×10-2倍。Ti O2@Ti B2-0.75r GO/EP复合材料具有高介电常数是因为复合材料中具有大量的微电容结构,其中导体Ti B2和r GO充当电极,而绝缘Ti O2充当介质。随着微电容结构的Ti O2@Ti B2-r GO功能体在EP中含量的增多,复合材料中会形成更多的微电容,从而有利于介电常数的提高。而低介电损耗的获得则是因为Ti O2@Ti B2隔绝了r GO的接触,切断了漏导电流,从而减少了电导损耗。此外,对Ti O2@Ti B2-r GO/EP复合材料的阻抗谱进行了电路模拟,深入探讨了具有微电容结构的Ti O2@Ti B2-r GO功能体对其复合材料介电性能的影响。其次,为了保持r GO优异的电学性能不遭到破坏,使得复合材料获得更高的介电常数,我们通过静电和π-π共轭双重作用将聚苯胺(r PANI)包覆的碳纳米管(CNT)负载于石墨烯(r GO)上,得到了具有“叁明治”结构的官能化新型杂化导体(r PANI@CNT-r GO)。在此基础上,固定r GO含量为EP质量的0.75wt%,将具有不同r PANI包覆CNT(r PANI@CNT)负载量的r PANI@CNT-r GO与EP复合,制备了系列r PANI@CNT-0.75r GO/EP复合材料。与此同时,作为比较,以r PANI@CNT和r GO为导体,通过物理共混方法制备了r PANI@CNT/0.75r GO/EP复合材料,并系统研究了r PANI@CNT/0.75r GO/EP和r PANI@CNT-0.75r GO/EP复合材料的电学与介电性能。研究结果表明,r PANI@CNT/0.75r GO/EP复合材料均具有较低的介电常数(10-20),而r PANI@CNT-0.75r GO/EP复合材料的介电常数随着r PANI@CNT负载量的增加而升高。当负载量达到0.75wt%时,所制得的7r PANI@CNT-0.75r GO/EP复合材料的介电常数达210(100Hz),远高于r PANI@CNT/EP、0.75r GO/EP复合材料及r PANI@CNT/0.75r GO/EP复合材料的相应值。与此同时,7r PANI@CNT-0.75r GO/EP复合材料的介电损耗(100Hz)分别是后者的208、0.18和22倍,证明了r PANI@CNT-0.75r GO/EP复合材料的介电性能不是基本组成的简单加和,而是表现出显着的协同效应。此外,r PANI@CNT-0.75r GO/EP复合材料的渗流阈值仅为1.1wt%。(本文来源于《苏州大学》期刊2015-05-01）
孙逸尘[10]（2015）在《高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯—碳纳米管/氰酸酯复合材料的研究》一文中研究指出具有高介电常数的导体/聚合物基复合材料在尖端领域中的巨大应用,使其获得了广泛的关注,但其普遍存在的高介电损耗成为阻碍其应用的瓶颈。近年来,科研工作者们开始设计新颖的空间结构来获得高介电常数和低介电损耗复合材料,本文即是围绕这个课题展开研究的。首先,我们以聚偏二氟乙烯(PVDF)、酸化碳纳米管(e CNT)和氰酸酯(CE)作为基本组成,设计制备了不对称双层材料(PVDF-e CNT/CE),其中一层为PVDF绝缘薄膜,另一层为e CNT/CE二元复合材料。研究了不同厚度及含量(f)下的PVDF-e CNT/CE复合材料的导电性和介电性能。研究表明,e CNT/CE复合材料的渗流阈值(fc)为1.6wt%;当f<fc时,具有相同f的PVDF-e CNT/CE与e CNT/CE复合材料具有相近的导电性和介电性能,即复合材料对宏观结构不敏感;当f>fc时,PVDF膜对PVDF-e CNT/CE复合材料的电性能和介电性能有显着影响,介电常数随着PVDF膜厚的增加先增加后减小;而介电损耗保持在较低的水平。如f=1.7 wt%时,PVDF膜厚为5μm的PVDF-e CNT1.7/CE复合材料具有最大的介电常数(1699,1Hz),而介电损耗为5.25,分别是e CNT1.7/CE复合材料的10和2.3×10-2倍。对PVDF-e CNT1.7/CE和e CNT1.7/CE复合材料进行了等效电路模拟,讨论了介电性能的本质。研究结果表明,对于特殊宏观结构的复合材料,其介电性能与界面极化紧密相关,电容和电阻值并不能准确表达复合材料的介电性能。PVDF-e CNT1.7/CE复合材料的介电性能是由PVDF与e CNT/CE层之间的空间电荷极化以及PVDF自身的介电性能共同作用的结果。其次,为了探讨不同微观结构的PVDF对PVDF-e CNT/CE复合材料的介电性能的影响,我们制备了不同热处理温度下的PVDF6-e CNT1.7/CE复合材料。研究结果表明,PVDF6-e CNT1.7/CE复合材料的介电常数随热处理温度的升高而降低,20℃时介电常数最高为1564,温度为100℃时介电常数最低为268(1Hz),而20℃下的复合材料比其他热处理温度下的介电损耗高,这是由于不同热处理温度下PVDF的相结构差异引起的界面极化差异导致的。最后,为了进一步探讨不同宏观结构对复合材料介电性能的影响,我们制备了0-1-0型叁层结构PVDF-e CNT/CE-PVDF复合材料。研究发现,对于总厚度相同的复合材料,PVDF-e CNT/CE-PVDF复合材料的介电常数和介电损耗均低于PVDF-e CNT/CE复合材料。由此可以说明,叁层结构不仅没有加强PVDF与e CNT/CE层间的界面极化,反而削弱了界面极化,进一步验证了特殊宏观结构对复合材料的介电性能影响很大。(本文来源于《苏州大学》期刊2015-05-01）
低介电损耗论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
具有高能量密度的高介电常数材料对于介电电容器在混合动力汽车、医疗设备和电子武器方面的应用以及介电电容器自身向小型化、集成化方向的发展来说非常重要。作为一类重要的高介电常数材料,导体/聚合物基复合材料在导体含量接近渗流阈值时,会出现介电常数突增的现象,满足介电电容器对于高介电常数的需求。但同时,也伴随着介电损耗突增和击穿强度降低的问题,不利于储能密度的提高。因此,研发一种兼具高介电常数、低介电损耗的高能量密度聚合物基复合材料是一项非常有意义的工作。本文的研究工作主要针对这个目标展开。首先,基于含有导电层和绝缘层的层状结构设计,我们以碳纳米管(CNT)、氰酸酯(CE)树脂和六方氮化硼(h BN)为原料,制备了含量为0.4wt%的CNT/CE(0.4CNT/CE,记为C层)和h BN/CE(记为B层)组成的多层结构复合材料。根据B层和C层的位置不同,得到了叁种层状结构复合材料BC、BCB和CBC。研究了不同的层状结构和层内组分对复合材料的介电性能、击穿强度和能量密度的影响,并与单层的0.4CNT/CE的综合性能相比较。结果表明,叁种层状结构均具有更低的介电损耗和改善的击穿强度。其中BC和CBC结构的介电常数远大于0.4CNT/CE复合材料的值,特别地,h BN占B层含量为20wt%的C20BC结构的介电常数可达323(100Hz),对应的介电损耗仅为0.049(100Hz),分别是0.4CNT/CE的10倍和2.6×10-3倍;同时,该结构的击穿强度和能量密度也分别达到0.4CNT/CE复合材料的1.5倍和25倍。这些突出的性能源于复合材料的多层结构。层状结构中,B层的存在一方面能够阻止导电通路的形成,达到降低介电损耗、改善击穿强度的作用;另一方面,B层与C层之间电导率的巨大差异使得层之间产生界面极化,赋予复合材料大幅提高的介电常数。其次,为了保留界面极化对于提高介电常数的有益效果,同时进一步改善击穿强度,更系统地研究层状结构对介电性能的影响,我们在C20BC(记为I)结构的基础上,继续在其一端或两端旋涂B层,分别得到了四层结构BI和五层结构BIB。结果表明,在相同的h BN含量下,BI和BIB结构的介电损耗低于I结构,并且击穿强度得到进一步改善。但是由于B层作为绝缘层阻止电荷传输的作用强于层间界面极化的作用,BI和BIB的介电常数较I结构并没有提高,但是BI结构的介电常数是0.4CNT/CE的2.8倍。同时,与0.4CNT/CE相比,BI和BIB结构的能量密度均获得了提高,分别是前者的9倍和4.5倍。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低介电损耗论文参考文献
[1].王铭钧,杨晓慧,姚洪喜,鲍忠桢.低介电常数和低介电损耗的含二硅氧烷共聚聚酰亚胺的制备研究[J].绝缘材料.2018
[2].卢纯青.新型低介电损耗高能量密度多层结构树脂基复合材料的研究[D].苏州大学.2018
[3].张净净,李海蓉,姜明,熊传溪.低介电损耗PVDF基渗流型复合材料的制备与结构调控[C].中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题M：高分子共混与复合体系.2017
[4].周敏.低介电损耗、高导热系数聚合物基复合材料的制备及介电性能研究[D].武汉工程大学.2017
[5].钟明强,范萍.高介电常数、低介电损耗的聚合物/石墨烯复合材料的研究[C].2016年全国高分子材料科学与工程研讨会论文摘要集.2016
[6].范宏,李诚,曹骏,马中柱.本征阻燃型低介电损耗含硅丁香酚骨架结构生物基环氧树脂（英文）[C].2016中国国际粘接技术大会论文集.2016
[7].彭康,董辉,潘锦平,陈忠红,梁希亭.低分子量聚苯醚的制备及其在低介电损耗覆铜板中的应用[C].第十七届中国覆铜板技术·市场研讨会论文集.2016
[8].马红霞,刘承美.高介电常数和低介电损耗聚苯并恶嗪[C].2015年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题J高性能高分子.2015
[9].王童星.新型功能石墨烯及其高介电常数低介电损耗环氧树脂基复合材料的研究[D].苏州大学.2015
[10].孙逸尘.高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯—碳纳米管/氰酸酯复合材料的研究[D].苏州大学.2015
论文知识图
