离子源论文_国家罡

导读:本文包含了离子源论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:离子,射频,中子,离子束,等离子体,阴极,电源。

离子源论文文献综述

国家罡[1](2019)在《浅析中子管离子源高压脉冲电源》一文中研究指出高压脉冲电源拥有特定的脉冲和测量操作程序,在电场除菌、激光操作、等离子体发生器等领域起着十分重要的作用。随着社会经济和科技的发展,工业领域、油田领域等都开始需要应用脉冲电源。和传统高压直流供电电源相比,脉冲式电源显示出良好的性能,在低压脉冲电源的基础上出现了适用范围更广泛的高压脉冲电源。该文着重研究了1种基于脉冲频率调节机制的数控高压脉冲电源结构,并用其满足中子管检测系统对离子源的供电需求。(本文来源于《中国新技术新产品》期刊2019年23期)

刘伟基,冀鸣,赵刚,易洪波[2](2019)在《主流离子源在真空镀膜中的应用差异和实用案例分析》一文中研究指出本报告介绍了市场上离子源的各种主流分类应用。重点分析了离子源在真空辅助沉积镀膜领域的工艺应用,分别介绍了直流离子源、射频离子源、霍尔离子源叁大类离子源的工作基本原理和典型工作参数,以及各自在应用中的优点和不足。同时以博顿自主研发的中空阴极霍尔离子源和射频离子源产品为基础,针对目前市场普遍关注的几类精密光学镀膜工艺:IR-CUT红外截止滤光片量产化镀膜、金属反射膜低温冷镀、高抗激光损伤光学薄膜、激光晶体镀膜等,以实用案例做关键工艺参数介绍与应用效果分析。通过本报告,我们期望能让国内精密光学镀膜领域的同行了解到国产化高端离子源产品的性能参数与应用实例,共同提升国内精密光学镀膜工艺水平。(本文来源于《第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2019-11-28)

曾琨[3](2019)在《射频离子源辅助与精密光控在真空蒸发镀膜中的应用》一文中研究指出射频离子源辅助真空镀膜能提高膜层致密度,从而减少波长漂移,是镀制高波长定位精度光学薄膜的首选工艺之一。精密光学膜厚控制系统则是镀制高精密光学薄膜的重要一环。二者同时使用,可镀制出无漂移高精密光学薄膜。这在一些进口真空镀膜机上已经是成熟的工艺。本文略论离子源的同时,仅就射频离子源在大口径真空镀膜机中的均匀性问题介绍一些作者的相关工作,以及精密光学膜厚控制系统方面的工作。并给出一些成膜结果。(本文来源于《第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2019-11-28)

曲婉菊,张天,姜瀚,乔双[4](2019)在《中子管射频离子源放电特性仿真研究》一文中研究指出国外射频离子源中子管的中子产额已经达到10~(14) n/s,明显优于潘宁源中子管。为了深入了解用于中子管射频离子源的放电特性,从射频感应耦合等离子体的放电原理入手,建立用于氢气放电模拟研究的理论模型。设计中子管射频离子源几何结构,运用麦克斯韦方程组在理论上推导了等离子体放电过程中影响粒子密度的因素。结合Comsol软件中的二维轴对称的电感耦合等离子体模型,采用单一变量法,通过仿真实验得到了线圈匝间距、线圈匝数、线圈直径、线圈功率和放电气压等参数对H~+密度分布和大小的影响。总结出H~+在不同参数下的变化规律,得到了一些有价值的结论,为优化中子管射频离子源的实验参数和结构设计提供重要依据。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年11期)

刘盛进,欧阳华甫,黄涛,肖永川,曹秀霞[5](2019)在《CSNS强流负氢离子源及其改进》一文中研究指出中国散裂中子源(CSNS)的离子源是1台强流负氢离子源,该离子源负氢束流的能量为50 keV,负氢流强可达40 mA,束流占空比最高为1.25%(重复频率为25 Hz,脉宽为500μs)。目前该负氢离子源已投入到CSNS中使用。由于等离子体放电电极受带电粒子溅射的缘故,在1.5%(25 Hz,600μs)的占空比、负氢流强30 mA运行下,离子源的寿命约为30 d。为提高离子源使用的稳定性,对离子源进行改进优化,提高了离子源的运行效率和稳定性。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2019年09期)

潘军军,刘智民,蒋才超,刘胜[6](2019)在《离子源抑制极电源开关速度优化设计》一文中研究指出抑制极电源是东方超环(Experimental Advanced Superconducting Tokomak,EAST)中性束注入(Neutral Beam Injection,NBI)束加速系统电源的重要组成部分,其输出端采用以多管串联的绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为开关。IGBT开关的性能不仅关系到电源可靠性,也直接影响引出时离子束的光学特性。为满足高压引出电源与抑制极电源上升下降沿匹配的要求,提出了以电容反馈电路来控制IGBT开关速度的方案,采用Pspice软件对IGBT电容反馈进行建模,并进行了不同参数下的仿真,最后搭建了实验测试平台对方案进行了测试。测试结果表明:反馈电阻和反馈电容的大小对反馈电路效果的影响相反,当栅极电阻和反馈电阻取较大值,而反馈电容取较小值,通过调节反馈电阻的大小可以实现较大范围调节IGBT开通速度而又对关断速度影响较小。该优化方案可以达到抑制极电源IGBT开关性能的预期指标,且具有较高的可靠性。(本文来源于《核技术》期刊2019年09期)

米亚静,曾自强,任秀艳,屠锐,吴灵美[7](2019)在《同位素电磁分离器离子源控制系统的研制》一文中研究指出同位素电磁分离器EMIS-170是我国唯一一台大型同位素电磁分离器;同位素电磁分离器计算机控制系统主要利用西门子TIA博途软件进行开发,用于监测同位素电磁分离器整个工艺系统和设备的运行参数和状态;离子源系统是同位素电磁分离器一个重要系统,利用计算机控制离子源的分离参数,实现对离子源分离参数的控制,并提供必要的连锁保护功能,防止操作员的误操作,根据模拟信号、开关量监测显示报警状态,提高了分离器重要电参数的调节精度,有效提高了同位素产品的丰度。文章介绍了同位素电磁分离器离子源控制系统的设计与实施,该系统已投入使用,工作稳定可靠。(本文来源于《计算机测量与控制》期刊2019年08期)

刘其强,胡舜迪,毕磊,洪欢欢,闻路红[8](2019)在《介质阻挡放电离子源背景噪声抑制方法数值模拟研究》一文中研究指出针对单电极介质阻挡放电离子源(DBDI)的外置金属网抑制环境背景噪声技术,采用二维等离子体流体模型进行了数值模拟研究。通过对比施加金属网前后单电极DBDI低温等离子体羽流(LTPP)中各物种的演化发展特性,给出了金属网孔隙参数在调控LTPP效能方面的一般规律。结果表明,金属网通过显着提高DBDI等离子体羽流的亚稳态离子总量并抑制背景杂质离子,从而提升其软电离效果和质谱检测信噪比。特别地,当金属网孔隙为0.5 mm时,亚稳态离子总量占比提高了约5.3倍;各离子密度峰值降低了3倍以上,而He~*、N_2~*的密度峰值则分别增大了7.86倍和2.31倍。随着金属网孔隙不断减小,亚稳态离子总量占比越高,但当孔隙为0.3 mm时,亚稳态离子总量开始减小;在0.3 mm≤g≤0.4 mm范围内,可获得更好的背景离子抑制效果,从而有效抑制背景噪声影响。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年08期)

宋纪高,仇猛淋,殷鹏,王小霞,王广甫[9](2019)在《串列加速器358型双等离子体离子源改进及性能研究》一文中研究指出为提高北京师范大学GIC4117型串列加速器358型双等离子体离子源束流强度及灯丝使用寿命,改进了离子源灯丝涂覆材料中Ba、Sr、Ca元素的占比、灯丝涂覆方法及离子源保护措施。讨论了在不同灯丝电流下,进气量、弧流、约束磁铁电流对离子源输出束流强度的影响。灯丝累积使用寿命达到200 h以上,靶室束流强度较原来采用860A溅射源提高约500倍。同时本文对358型双等离子体离子源调试过程中的异常断弧情况进行了分析和改进。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2019年09期)

李建鹏,李兴达,张兴民[10](2019)在《电感耦合式射频离子源放电与引出特性实验》一文中研究指出为研究电感耦合式射频离子源性能受离子束流、功率强度、工质流量和栅间电压的影响,以束流直径11 cm射频离子源为对象,完成了射频离子源点火起弧关键物理参数的设计和选择,设计并搭建了电感耦合式射频离子源性能试验系统,通过试验研究了射频放电中离子束流、射频功率、工质流量、栅间电压之间的规律。结果表明:射频离子源试验系统设计合理,能够可靠稳定地工作,真空度低于1. 0×10~(-3)Pa的氩工质条件下离子束能量大范围独立可调,在100~1 500 eV范围引出80~460 mA的离子束流,当工质流量一定时,离子源离子束流随射频功率的增大以1 mA/W比率增加,射频功率一定时,离子源束流强度随工质流量增大,在20 sccm时,离子源束流强度至稳定值或者略微增加,合理控制离子源工作参数可以提高离子源工作性能和效率。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2019年22期)

离子源论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本报告介绍了市场上离子源的各种主流分类应用。重点分析了离子源在真空辅助沉积镀膜领域的工艺应用,分别介绍了直流离子源、射频离子源、霍尔离子源叁大类离子源的工作基本原理和典型工作参数,以及各自在应用中的优点和不足。同时以博顿自主研发的中空阴极霍尔离子源和射频离子源产品为基础,针对目前市场普遍关注的几类精密光学镀膜工艺:IR-CUT红外截止滤光片量产化镀膜、金属反射膜低温冷镀、高抗激光损伤光学薄膜、激光晶体镀膜等,以实用案例做关键工艺参数介绍与应用效果分析。通过本报告,我们期望能让国内精密光学镀膜领域的同行了解到国产化高端离子源产品的性能参数与应用实例,共同提升国内精密光学镀膜工艺水平。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

离子源论文参考文献

[1].国家罡.浅析中子管离子源高压脉冲电源[J].中国新技术新产品.2019

[2].刘伟基,冀鸣,赵刚,易洪波.主流离子源在真空镀膜中的应用差异和实用案例分析[C].第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集.2019

[3].曾琨.射频离子源辅助与精密光控在真空蒸发镀膜中的应用[C].第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集.2019

[4].曲婉菊,张天,姜瀚,乔双.中子管射频离子源放电特性仿真研究[J].真空科学与技术学报.2019

[5].刘盛进,欧阳华甫,黄涛,肖永川,曹秀霞.CSNS强流负氢离子源及其改进[J].原子能科学技术.2019

[6].潘军军,刘智民,蒋才超,刘胜.离子源抑制极电源开关速度优化设计[J].核技术.2019

[7].米亚静,曾自强,任秀艳,屠锐,吴灵美.同位素电磁分离器离子源控制系统的研制[J].计算机测量与控制.2019

[8].刘其强,胡舜迪,毕磊,洪欢欢,闻路红.介质阻挡放电离子源背景噪声抑制方法数值模拟研究[J].真空科学与技术学报.2019

[9].宋纪高,仇猛淋,殷鹏,王小霞,王广甫.串列加速器358型双等离子体离子源改进及性能研究[J].原子能科学技术.2019

[10].李建鹏,李兴达,张兴民.电感耦合式射频离子源放电与引出特性实验[J].科学技术与工程.2019

论文知识图

在室温下的未掺杂的BaSO4晶体和Mn离子...用碳酸锰做锰源制备的Mn离子掺杂的Ba...氢氧根阴离子功能性离子液体形成过程示意图带百叶窗过滤器的脉冲阴极真空弧放电...射线光电子能谱仪结构示意图

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