论文摘要
采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上生长了沿(002)择优取向的AlN薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对AlN薄膜结构和表面形貌进行表征,并测量了AlN薄膜在405 nm激光激发下的光致发光(PL)光谱。结果表明,在不同氮气含量条件下生长的AlN薄膜均呈(002)择优取向,薄膜表面呈小颗粒密堆积排列,颗粒尺寸在20 nm左右。不同氮气含量条件下生长的AlN薄膜在550 nm处均有较强的由于VAl能级向价带跃迁引起的缺陷能级发光峰;AlN薄膜在589,614,654 nm处也有较弱的缺陷能级发光峰,随着氮气含量增大,缺陷能级发光峰越来越明显,产生原因分别为ON-ON缺陷对向VAl-2ON产生的复合缺陷能级的跃迁、导带向与氧有关的杂质能级(IO)间的跃迁以及VAl-ON深能级向价带的跃迁。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 吕伟,刘俊,赵鹏宇,李健亮,李思达,沈龙海
关键词: 磁控溅射,择优取向,光致发光,缺陷发光
来源: 发光学报 2019年06期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学
单位: 沈阳理工大学理学院
基金: 沈阳市科技局应用基础研究专项(F16-205-1-16),辽宁省科技厅自然科学基金(201602647)资助项目~~
分类号: TB34
页码: 719-724
总页数: 6
文件大小: 1146K
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