直流磁控溅射生长(002)择优取向AlN薄膜及其光致发光

直流磁控溅射生长(002)择优取向AlN薄膜及其光致发光

论文摘要

采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上生长了沿(002)择优取向的AlN薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对AlN薄膜结构和表面形貌进行表征,并测量了AlN薄膜在405 nm激光激发下的光致发光(PL)光谱。结果表明,在不同氮气含量条件下生长的AlN薄膜均呈(002)择优取向,薄膜表面呈小颗粒密堆积排列,颗粒尺寸在20 nm左右。不同氮气含量条件下生长的AlN薄膜在550 nm处均有较强的由于VAl能级向价带跃迁引起的缺陷能级发光峰;AlN薄膜在589,614,654 nm处也有较弱的缺陷能级发光峰,随着氮气含量增大,缺陷能级发光峰越来越明显,产生原因分别为ON-ON缺陷对向VAl-2ON产生的复合缺陷能级的跃迁、导带向与氧有关的杂质能级(IO)间的跃迁以及VAl-ON深能级向价带的跃迁。

论文目录

  • 1 引 言
  • 2 实 验
  • 3 结果与讨论
  •   3.1 AlN薄膜XRD分析
  •   3.2 AlN薄膜表面形貌分析
  •   3.3 光致发光 (PL) 光谱测试
  • 4 结 论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 吕伟,刘俊,赵鹏宇,李健亮,李思达,沈龙海

    关键词: 磁控溅射,择优取向,光致发光,缺陷发光

    来源: 发光学报 2019年06期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

    专业: 材料科学

    单位: 沈阳理工大学理学院

    基金: 沈阳市科技局应用基础研究专项(F16-205-1-16),辽宁省科技厅自然科学基金(201602647)资助项目~~

    分类号: TB34

    页码: 719-724

    总页数: 6

    文件大小: 1146K

    下载量: 226

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