导读:本文包含了光学邻近效应校正论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:效应,光学,相移,光刻,光谱,线条,大气。
光学邻近效应校正论文文献综述写法
王倩[1]（2010）在《光学遥感信息辐射传输中邻近效应校正算法研究》一文中研究指出随着遥感定量化要求的不断提高和高空间分辨率遥感数据的普及使用,对遥感邻近效应理论的研究以及探索校正邻近效应的方法已经成为当前国际遥感界研究的热点。本文围绕光学遥感信息辐射传输中邻近效应问题展开讨论,分析了遥感邻近效应的产生机理,针对当前遥感界校正邻近效应的两种基本思路:辐射传输方程近似求解和计算机模拟实验,选用不同算法对邻近效应校正进行了比较全面的研究。对于第一种思路,论文选用了两种算法:(1)基于叁维辐射传输模型SHDOM经验方程的垂直观测光学遥感影像邻近效应校正方法。主要利用2001年Shunlin Liang等基于SHDOM辐射传输模型建立的针对垂直观测朗伯体地表的传感器的经验方程求解背景反射率,以相关透过率比值表示直接来自目标像元的能量在传感器接收的总能量中所占的比例;(2)基于与影像同步实测光谱数据的遥感影像邻近效应校正方法。这是Ma等(2006)提出的基于辐射传输原理,利用与遥感影像同步实测光谱数据来计算传感器接收到的能量中目标像元能量所占的比例,从而进行邻近效应校正的方法。研究所用的影像数据为2005年7月25日北京地区的Landsat-5 TM影像和2008年5月23日甘肃张掖地区的ASTER影像。其中,针对Landsat-5 TM影像的实测地物为沙地,针对ASTER影像的实测地物为草地。论文还从算法原理和校正结果两个方面对上述两种方法进行了对比研究。对于第二种思路,论文选用全程逆向蒙特卡罗方法,在给定的大气模式、气溶胶模型和地面反射率分布下,模拟光子传输,计算邻近像元辐射的影响。论文的主要贡献和创新点是:(1)从原理层面深入剖析了基于SHDOM经验方程算法和基于同步实测光谱数据算法两种经验方法,得出了两种算法不同的适用性;(2)提出并初步实现用全程逆向蒙特卡罗算法模拟光子传输,进行遥感邻近效应研究。(本文来源于《中国地质大学（北京）》期刊2010-05-01）
张宇孚[2]（2007）在《基于Cell的光学邻近效应校正技术研究》一文中研究指出集成电路的集成度在最近的几十年一直遵守着摩尔定律，以每18个月翻一番的速度不断增加，芯片的特征尺寸也随之不断缩小，集成电路制造工艺越来越精细，这给设计和制造等一系列领域提出了许多新的要求，也带来了许多深刻的变化，这其中包括RET(分辨率增强技术)的广泛应用。随着集成电路的特征尺寸逐渐下降到光刻所用的光源波长之下，由于光的衍射和光刻胶显影蚀刻等因素带来的不可避免的影响，硅片上实际印制出来的图形与设计图形不再一致，这使得如今的制造工艺已经离不开RET技术的支持，而OPC(光学邻近效应校正)则是RET技术中的一项重要内容。尽管OPC技术的广泛应用使得如今的光刻技术能够印制的图形越来越精细，然而在进入到90nm时代以后，OPC校正的运算时间过长，灵活性不高，难以利用版图的层次化结构等问题逐渐暴露出来，成为了制约集成电路制造技术继续发展的一个重要瓶颈。本文提出了一种新的基于Cell的光学邻近效应校正方法，其流程包括预校正单元库的准备，掩模图形偏移量的初始化和利用动态调整算法进行快速运算等步骤，这种新的方法较好的解决了OPC过程中图形间的相互影响问题，并提出了一种新的方法(Segment-Moving Map)来直观的分析这种影响波及的范围和形状，从而充分的利用版图的层次化结构，使在深亚微米条件下由于计算量太大而被认为成本很高的高精度掩模版制备过程在新算法的帮助之下得以大大降低运算复杂度，减少OPC校正所消耗的时间，同时，这种方法为集成电路设计过程提供了含预校正结果的单元库，使得设计工程师能够更加灵活有效的对设计进行检查，并能够花费更少的代价的对已完成的设计进行修改。本文中采用计算总的EPE(Edge Placement Error)来分析结果误差，实验结果表明，这种方法将OPC的速度提高了5倍左右，并且保持了与传统OPC相同的精度。(本文来源于《浙江大学》期刊2007-05-14）
冯伯儒,张锦,侯德胜,周崇喜,苏平[3]（2001）在《相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术》一文中研究指出详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法、改善光刻图形质量的机理及邻近效应校正掩模的一些设计问题(本文来源于《光电工程》期刊2001年01期）
杜惊雷,黄晓阳,黄奇忠,郭永康[4]（1998）在《基于光场分布的光学邻近效应校正》一文中研究指出本文基于改善光场分布的考虑，在掩模上添加了适当的散射条和抗散射条，成功地改善了像面的光场分布，达到了光学邻近效应校正的目的。(本文来源于《微细加工技术》期刊1998年01期）
立文[5]（1998）在《具有增大焦深作用的全芯片光学邻近效应校正技术》一文中研究指出叙述了一种根据空间像匹配原理，进行光学邻近效应校正（ＯＰＣ）的实用方法。此方法采用了叁种超高分辨率图形技术：散射条，抗散射条和修饰图形。通过利用顶角“图形工具”，实现了超大规模微处理机随机逻辑芯片的全芯片光学邻近效应校正处理。此方法不仅对于控制疏密线条图形的ＣＤ尺寸有效，而且当与四极离轴照明方法结合使用时，对于提高所有图形的焦深也有明显的效果。在用ｉ线技术制作一块１２５０万个晶体管芯片时，利用此ＯＰＣ方法进行所有关键掩模层图形的加工十分有效。业已生产了２００多块全芯片ＯＰＣ掩模，用于领先的电路制造。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊1998年01期）
杜惊雷,黄奇忠,黄晓阳,郭永康,崔铮[6]（1997）在《光学邻近效应校正的新方法》一文中研究指出基于波前加工的观点，从调整像面光强分布出发，提出一种在掩模上添加亚分辨的亮暗衬线校正光学邻近效应的新方法，并详细讨论了添加这种亮暗衬线的规则及所获得的结果。(本文来源于《应用激光》期刊1997年06期）
光学邻近效应校正论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
集成电路的集成度在最近的几十年一直遵守着摩尔定律，以每18个月翻一番的速度不断增加，芯片的特征尺寸也随之不断缩小，集成电路制造工艺越来越精细，这给设计和制造等一系列领域提出了许多新的要求，也带来了许多深刻的变化，这其中包括RET(分辨率增强技术)的广泛应用。随着集成电路的特征尺寸逐渐下降到光刻所用的光源波长之下，由于光的衍射和光刻胶显影蚀刻等因素带来的不可避免的影响，硅片上实际印制出来的图形与设计图形不再一致，这使得如今的制造工艺已经离不开RET技术的支持，而OPC(光学邻近效应校正)则是RET技术中的一项重要内容。尽管OPC技术的广泛应用使得如今的光刻技术能够印制的图形越来越精细，然而在进入到90nm时代以后，OPC校正的运算时间过长，灵活性不高，难以利用版图的层次化结构等问题逐渐暴露出来，成为了制约集成电路制造技术继续发展的一个重要瓶颈。本文提出了一种新的基于Cell的光学邻近效应校正方法，其流程包括预校正单元库的准备，掩模图形偏移量的初始化和利用动态调整算法进行快速运算等步骤，这种新的方法较好的解决了OPC过程中图形间的相互影响问题，并提出了一种新的方法(Segment-Moving Map)来直观的分析这种影响波及的范围和形状，从而充分的利用版图的层次化结构，使在深亚微米条件下由于计算量太大而被认为成本很高的高精度掩模版制备过程在新算法的帮助之下得以大大降低运算复杂度，减少OPC校正所消耗的时间，同时，这种方法为集成电路设计过程提供了含预校正结果的单元库，使得设计工程师能够更加灵活有效的对设计进行检查，并能够花费更少的代价的对已完成的设计进行修改。本文中采用计算总的EPE(Edge Placement Error)来分析结果误差，实验结果表明，这种方法将OPC的速度提高了5倍左右，并且保持了与传统OPC相同的精度。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光学邻近效应校正论文参考文献
[1].王倩.光学遥感信息辐射传输中邻近效应校正算法研究[D].中国地质大学（北京）.2010
[2].张宇孚.基于Cell的光学邻近效应校正技术研究[D].浙江大学.2007
[3].冯伯儒,张锦,侯德胜,周崇喜,苏平.相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术[J].光电工程.2001
[4].杜惊雷,黄晓阳,黄奇忠,郭永康.基于光场分布的光学邻近效应校正[J].微细加工技术.1998
[5].立文.具有增大焦深作用的全芯片光学邻近效应校正技术[J].电子工业专用设备.1998
[6].杜惊雷,黄奇忠,黄晓阳,郭永康,崔铮.光学邻近效应校正的新方法[J].应用激光.1997