导读:本文包含了纳秒级脉冲论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:纳秒级脉冲高压电源,磁开关,饱和磁感应强度
纳秒级脉冲论文文献综述
凌雁波,刘宇芳,于安军,虞敏[1]（2019）在《纳秒级脉冲高压电源的磁开关磁芯参数的设计与测试技术》一文中研究指出针对纳秒级脉冲高压电源中磁开关所用磁芯的设计及选型,本文分析了电路工作原理,提出了一种磁芯饱和磁感应强度的测试方案并进行了验证。(本文来源于《第十八届中国电除尘学术会议论文集》期刊2019-10-21）
张琦,宋法伦,金晓,李飞,王淦平[2]（2019）在《基于DSRD的纳秒级固态脉冲发生器的研制》一文中研究指出采用新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管(DSRD)研制了一种纳秒级固态脉冲发生器。通过建立DSRD仿真等效模型,模拟DSRD器件的真实输出波形;采用双极并联结构电路设计,满足DSRD工作所需的电流要求;构建发生器系统工作电路仿真模型,并分析了电路参数对DSRD脉冲发生器系统输出波形的影响。针对脉冲发生器小型化的问题,将部分模块集成设计制作,优化布局,有效减少体积,减轻重量。结果表明:其输出电压可达3.74 kV,脉冲前沿8.2 ns,在重复频率200 Hz条件下可以稳定工作。研制出的脉冲发生器实现了较好的波形输出,为进一步实现固态脉冲源的小型化打下基础。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年06期）
吴嘉珉,程健,潘泽跃[3]（2019）在《小型纳秒级方波脉冲电源的研制》一文中研究指出采用飞行时间法测量原子氧束能谱时,要求离化源为纳秒级脉宽、能量均匀的脉冲电子束,以尽量降低离子收集器附近产生的等离子体鞘层电位对原子氧束能谱测量精度的影响。针对上述脉冲电子束的性能要求,研制了一款基于雪崩叁极管Marx电路的小型方波脉冲源。首先介绍了雪崩叁极管的工作特性、Marx电路的升压原理以及元器件的选取方法;然后结合脉冲形成线电压波反射原理,建立了同轴线缆充电时的电路方程;分析了方波脉冲成形机理和传输线阻抗对输出脉冲波形的影响,将同轴电缆传输线等效为分布式电感电容模拟网络,搭建了同轴电缆传输线仿真模型;设计制作了具体电路,在各级模拟网络充放电特性仿真结果的指导下,针对性地对同轴电缆传输线的姿态进行微调,改善了输出波形。实际电路产生了幅值±200～300 V、频率1～10 kHz可调、双快边沿纳秒方波脉冲。(本文来源于《电源技术》期刊2019年05期）
胡景森,陈炜峰,黄锋[4]（2018）在《纳秒级脉冲信号的波形预测与重构》一文中研究指出带宽不够、波形易失真是纳秒级脉冲信号测量中存在的主要问题.以测量系统的方波标定数据为标准建立测量系统的差分方程和卷积两种模型,并分别运用于实际试验的双指数脉冲信号的波形预测和重构中,对比两种模型的信号处理结果发现,卷积模型比差分方程模型更适用于纳秒级脉冲信号的波形预测和重构.(本文来源于《南京信息工程大学学报(自然科学版)》期刊2018年04期）
袁果,刘强,张齐军[5]（2018）在《纳秒级电磁脉冲发生器的研制与相关寄生参数研究》一文中研究指出为研究瞬态电磁脉冲故障注入对集成电路芯片的影响及其故障机理,基于Marx发生器原理和MOSFET开关特性,研制了一个全固态纳秒级电磁脉冲发生器.基于提出的HSPICE软件仿真等效模型,分析了发生器电路主要寄生参数对MOSFET开关特性的影响,并建立了相应的数学模型,为电磁脉冲发生器的研制提供了设计指南.实验结果表明:建立的数学模型精度为96.7%;基于二级Marx电路的电磁脉冲发生器可产生幅值可调(0~100V)、脉宽可变(200~2 070ns)、最快下降沿为32ns的脉冲信号;在电磁探头下方5mm处的测试线圈上可测得1 600mV的感应电动势,并可利用该感应电动势来对芯片引入故障.(本文来源于《电波科学学报》期刊2018年05期）
孙玉桥,邱春玲,杨光,李春生[6]（2018）在《TOF-SIMS纳秒级脉冲发生器的设计》一文中研究指出脉冲发生器可为飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)各部件提供精确的工作时序,确保整机正常工作。基于FPGA/NIOS II技术,整个装置具有集成度高、设计灵活的优点。针对TOF-SIMS对延时精度的要求,该装置采用FPGA内部计数器实现10 ns以上的粗延时,用简化后的斜坡电路实现10 ns以下的细延时,并对斜坡电路进行误差分析。实测本脉冲发生器延时分辨率达100 ps,输出信号峰峰值抖动小于200 ps。TOF-SIMS仪器锆石谱图测试结果表明,脉冲发生器的指标满足整机仪器的要求。(本文来源于《实验室研究与探索》期刊2018年06期）
谢涛[7]（2018）在《基于SiC MOSFET的纳秒级脉冲电源研制》一文中研究指出脉冲功率技术广泛应用于军事、环境保护、生物技术等领域,比如脱硫脱硝、脉冲杀菌、激光管驱动、阴极射线管扫描电路等。传统脉冲电源的主放电开关主要以真空弧光放电管、氢闸流管、火花隙为主,存在成本高、寿命短、外围电路复杂等缺点。随着电力电子技术的发展,功率MOSFET和IGBT的性能越来越高,众多研究学者利用MOSFET或IGBT串并联组成高压固态开关替代传统放电开关,进而设计出纳秒级上升沿的高重复频率脉冲发生器。本文以SiC MOSFET为核心功率器件,设计了一台纳秒级脉冲电源,电源主要技术指标为:输出脉冲峰值可调范围为0~30kV,脉冲重复频率为10Hz~1kHz可调,最大输出电流为80A,脉冲上升时间小于100ns。本论文的主要工作如下:设计了纳秒脉冲电源的拓扑结构,主电路采用叁级Marx发生器结构,研究了SiC MOSFET串联开关的静态和动态电压不均衡机制,给出了影响SiC MOSFET串联均压的关键因素。针对静态均压电路的特性,明确了均压电阻的设计方法,对于动态均压电路,采用负载侧RCD电路作为均压措施,并确定了相应参数的选取依据。对比分析了正激式驱动、半桥驱动、反激驱动叁种驱动方式的优缺点,确定采用半桥驱动的方式作为SiC MOSFET的串联驱动电路,该电路的隔离强度高、驱动电路设计方便,其驱动变压器的原边和副边绕组匝数均为1匝,可减少其分布参数的影响。通过实验测试了驱动电路的同步性,其驱动的延迟时间差异小于10ns,同步性良好。采用Microchip公司的dsPIC33FJl28MC706作为主控制芯片,整个控制系统可以实现频率可调、脉冲幅值可调、过压和过流保护等,最终完成了实验样机的制作和调试,利用针-板反应器负载对电源的性能进行测试,实验结果表明电源满足了设计指标且基本性能良好。(本文来源于《大连理工大学》期刊2018-05-01）
汤铭[8]（2018）在《纳秒级脉冲电源的研究与设计》一文中研究指出随着脉冲功率技术在军事、医疗、环保等领域的快速发展,对于大功率脉冲电源的上升沿宽度要求日益提高,高功率快脉冲也逐渐成为脉冲功率技术的研究热点和发展趋势。而如何以较低的成本在提高脉冲电源电压等级的同时陡化脉冲宽度也是研究的难点之一。以高压快脉冲为技术核心,以小型化、高重频和高效率为发展方向,本论文提出了一种低成本对称式的脉冲发生拓扑,同时以磁压缩技术陡化脉冲宽度,并深入研究了磁开关的控制技术,以实现高稳定性的纳秒级脉冲电源的研制,论文主要内容分为以下叁个部分:1、提出了一种具有对称串联结构的高压脉冲电源拓扑,大幅降低成本;基于这种新型的高压脉冲电源拓扑,分析并初步验证了各种工作环境下的可行性。搭建了该高压脉冲电源的仿真模型,仿真验证了在正常运行和发生闪络等不同状态下电路的工作原理。在实验室完成了该高压脉冲电源的研制,实验验证了在正常运行和发生闪络等不同状态下对于电路的分析,并在实际应用中证明了该拓扑相对于现有研究的优越性。2、介绍了脉冲磁压缩技术的工作原理,分析了各个磁芯参数对磁开关性能的影响,基于此,确定了磁芯材料的选择,并搭建了磁芯检测平台测量磁芯的磁滞曲线,对比了不同磁芯材料的区别。基于脉冲电源体积小型化原则,分析了影响磁开关体积的因素,并利用数学模型确定了磁开关参数的最优解。系统地分析了磁复位原理以及磁复位电路与脉冲电源的匹配问题。最后搭建了30kV/3kW的纳秒级脉冲电源样机,验证了磁复位原理的可行性,以及在高压大功率应用场合可能遇到的问题及其解决方案。3、针对电流型磁复位方式存在的不足,指出了对于磁开关控制的必要性,并系统地分析了磁开关控制原理,提出了相应的控制方案。最后基于PLECS软件搭建了35kV的纳秒级脉冲电源的仿真模型,通过仿真验证了控制方案的可行性和稳定性,并从实际应用角度分析了磁开关的最佳工作区间。(本文来源于《东南大学》期刊2018-05-01）
张耀辉,谢彦召,黄刘宏,李红岩,李跃波[9]（2018）在《电源线纳秒级电磁脉冲骚扰防护模块设计》一文中研究指出针对常用雷电浪涌保护器无法应对快上升沿电磁脉冲骚扰的问题,设计了一种针对电源线的纳秒级电磁脉冲骚扰综合防护模块。该模块使用时域瞬态抑制和频域滤波相结合的方法,将压敏电阻和瞬态电压抑制器(transient voltage suppressor,TVS)作为瞬态抑制电路的主要器件,并研究了中间去耦电感对两种器件配合的影响;滤波模块考虑了线上共模和差模电磁脉冲干扰的防护。试验结果表明,该模块综合发挥了瞬态抑制和频域滤波的优势,可有效将1.5 kV电磁脉冲信号限制到100 V以下,具有较理想的防护效果。(本文来源于《高电压技术》期刊2018年03期）
秦锋,周辉,毛从光,吴刚,崔志同[10]（2017）在《纳秒级脉冲电流下铁氧体磁环饱和特性》一文中研究指出针对铁氧体环应用于复杂电磁环境防护设计问题,研究了脉冲传导电流作用下铁氧体磁环的饱和特性。在伏安法测得磁环的磁化曲线的基础上,采用磁性朗之万函数拟合磁化曲线,分别获得不同脉冲电流脉宽、磁环厚度、截面积、内外径之比以及材料种类等参数下,磁环的饱和电流特性。结果表明:纳秒级脉冲电流的脉宽对磁环的饱和特性几乎没有影响;磁环的截面积与磁环的饱和电流成线性正比关系,而磁环的厚度以及磁环的内外径之比对磁环的饱和特性几乎没有影响;初始磁导率越大的磁环其饱和电流越小,且饱和电流随截面积的增速也越小。(本文来源于《高电压技术》期刊2017年10期）
纳秒级脉冲论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管(DSRD)研制了一种纳秒级固态脉冲发生器。通过建立DSRD仿真等效模型,模拟DSRD器件的真实输出波形;采用双极并联结构电路设计,满足DSRD工作所需的电流要求;构建发生器系统工作电路仿真模型,并分析了电路参数对DSRD脉冲发生器系统输出波形的影响。针对脉冲发生器小型化的问题,将部分模块集成设计制作,优化布局,有效减少体积,减轻重量。结果表明:其输出电压可达3.74 kV,脉冲前沿8.2 ns,在重复频率200 Hz条件下可以稳定工作。研制出的脉冲发生器实现了较好的波形输出,为进一步实现固态脉冲源的小型化打下基础。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
纳秒级脉冲论文参考文献
[1].凌雁波,刘宇芳,于安军,虞敏.纳秒级脉冲高压电源的磁开关磁芯参数的设计与测试技术[C].第十八届中国电除尘学术会议论文集.2019
[2].张琦,宋法伦,金晓,李飞,王淦平.基于DSRD的纳秒级固态脉冲发生器的研制[J].半导体技术.2019
[3].吴嘉珉,程健,潘泽跃.小型纳秒级方波脉冲电源的研制[J].电源技术.2019
[4].胡景森,陈炜峰,黄锋.纳秒级脉冲信号的波形预测与重构[J].南京信息工程大学学报(自然科学版).2018
[5].袁果,刘强,张齐军.纳秒级电磁脉冲发生器的研制与相关寄生参数研究[J].电波科学学报.2018
[6].孙玉桥,邱春玲,杨光,李春生.TOF-SIMS纳秒级脉冲发生器的设计[J].实验室研究与探索.2018
[7].谢涛.基于SiCMOSFET的纳秒级脉冲电源研制[D].大连理工大学.2018
[8].汤铭.纳秒级脉冲电源的研究与设计[D].东南大学.2018
[9].张耀辉,谢彦召,黄刘宏,李红岩,李跃波.电源线纳秒级电磁脉冲骚扰防护模块设计[J].高电压技术.2018
[10].秦锋,周辉,毛从光,吴刚,崔志同.纳秒级脉冲电流下铁氧体磁环饱和特性[J].高电压技术.2017