热处理温度对SiC纳米材料形貌和发光性能的影响

论文摘要

采用碳热还原法,以单质Si粉和活性炭为原料,Fe2O3为添加剂,研究了还原气氛下热处理温度（1200～1700℃）对SiC纳米材料形貌和发光性能的影响。结果表明:不同热处理温度下,单质Si粉和活性炭均可反应生成SiC纳米材料,但当热处理温度为1200℃和1300℃时,二者反应不完全;当热处理温度由1400℃增至1700℃时,单质Si粉和活性炭的反应增强,并在1600℃热处理后完全转化为SiC,其形貌由棒状和颗粒状的混合体转化为单一的短棒状,进而又发育为纤维状。此外,不同热处理温度下获得的SiC纳米材料均具有较宽的发射带宽,经1600℃热处理后SiC纳米材料的发光性能较优,其发光峰强度优于其它热处理温度下的产物,这是因为此温度下所获SiC纳米材料呈纤维状,其长径比较高,有利于发光性能的改善所致。

论文目录

• 1 引言
• 2 实验
• 3 结果与讨论
•   3.1 物相组成
•   3.2 显微结构
•   3.3 光致发光性能
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 郭会师,李文凤,高振禄,马丽君,桂阳海

关键词: 热处理温度,纳米材料,物相组成,显微结构,发光性能

来源: 人工晶体学报 2019年11期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学,材料科学

单位: 郑州轻工业大学材料与化学工程学院,河南工业大学材料科学与工程学院

基金: 国家自然科学基金青年基金(51802290),河南省重点科技攻关项目(182102210613,172102210223),郑州轻工业大学博士科研基金(2017BSJJ041),郑州轻工业大学星空众创空间孵化项目(2018ZCKJ402)

分类号: TB383.1;O613.72

DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.11.019

页码: 2119-2122

总页数: 4

文件大小: 265K

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