导读:本文包含了半导体薄膜特性论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:Cu_2O,第一性原理,IV特性
半导体薄膜特性论文文献综述
吕东徽[1]（2019）在《Cu_2O半导体薄膜场效应晶体管特性的理论分析与实验研究》一文中研究指出半导体薄膜场效应晶体管,具备容易制备,耗能较低,制备的器件各项性能稳定性较好等优点,是集成电路制造中的基础单元器件。因半导体掺杂特性及制备工艺等因素的影响,目前,世界范围内对n型半导体材料的制备和薄膜场效应晶体管器件方面上的研究较多,而对于p型氧化物半导体薄膜场效应晶体管的材料、器件制备及理论分析方面的研究却相对滞后。近年来,p型氧化物半导体薄膜场效应晶体管器件在太阳能电池、光伏器件、透明电子器件、柔性电子器件等领域都显示了较好的应用潜力。因此,开展p型氧化物半导体薄膜场效应晶体管器件的制备、特性及应用研究也是当今半导体材料与器件研究领域的热点问题。本论文主要内容如下:(1)使用第一性原理密度泛函理论的计算,系统的研究了结构优化后的Cu_2O晶体材料的能带结构、态密度等特性。未掺杂的Cu_2O最小禁带宽度约是0.51eV,是直接带隙半导体。其价带顶的电子能级主要由Cu-3d和O-2p态电子共同贡献,导带底的电子能级则主要由Cu-4p和O-2p态电子共同贡献。计算发现,Cu_2O晶体的禁带宽度比较的小,其费米能面更接近价带,能带结构具有典型P型半导体材料的能带特征。(2)使用磁控溅射制备手段,以纯净的Si(100)晶片为衬底,铜靶为靶材,探究在不同氧气通入量下,制备Cu_2O半导体薄膜。经过SEM分析表征,发现未退火的Cu_2O薄膜表面平整、晶体颗粒大小均匀,晶粒尺度约为5-15nm。伴着薄膜样品退火温度的升高,薄膜表面粗糙度逐增,晶体颗粒出现团聚,表面逐渐出现褶皱和裂纹。XRD分析表明,在适量的氧气通量下,制备出的Cu_2O薄膜确为单晶薄膜。XPS分析证明,制备出的Cu氧化物薄膜中,Cu的价位为+1,确实是Cu_2O。(3)以热氧化的Si(100)晶片为衬底,在不同制备参数下,采用磁控溅射法制备底栅型Cu_2O半导体薄膜场效应管。实验中,通过改变沉积功率、对比不同沟道宽度制备场效应晶体管,用半导体特性测试仪测试了不同外加栅压、不同激光光照功率、退火温度等因素对器件IV特性的影响,实验数据结果表明,Cu_2O-TFT器件的输出电流的绝对值随着外加栅压的增大而增大,IV特性曲线测试发现,器件具有典型的p沟道增强型场效应晶体管的特征。论文研究结果对未来利用p型Cu_2O半导体薄膜制备二维底栅型场效应晶体管及其它器件的都有一定的理论和实验参考价值。(本文来源于《辽宁师范大学》期刊2019-04-01）
李梦轲,吕东徽,赵佳佳,周施彤,刘丹妮[2]（2019）在《p沟道Cu_2O半导体薄膜场效应晶体管的制备及Ⅳ特性研究》一文中研究指出采用磁控溅射掩膜制备工艺,在n型Si衬底上分别制备了底栅型p沟道Cu_2O半导体薄膜场效应晶体管(TFTs).用XRD、SEM、XPS等检测分析方法对不同条件下制备的Cu_2O薄膜的晶体结构、表面形貌、化学成分进行了表征.对O_2通量、退火温度及沟道宽度等因素对半导体薄膜及器件特性的影响进行了对比研究.研究发现,O_2通量是制备Cu_2O半导体薄膜的关键因素,器件I_(DS)电流的绝对值随着栅压的绝对值的增大而增大,具有典型的p沟道增强型场效应晶体管特征.其Ⅳ特性与溅射沉积时间、沟道宽度、退火因素等有关,真空退火处理后有助于提高器件的I_(DS)的绝对值.测试表明,制备的沟道宽度为50μm的典型器件的电导率、电流开关比和阈值电压分别为0.63S/cm,1.5×10~2及-0.6V.(本文来源于《辽宁师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年01期）
王方[3]（2017）在《p型CuSCN半导体薄膜的结构设计及其光电特性研究》一文中研究指出CuSCN是一种导电性能良好的宽带隙p型半导体(禁带宽度约3.6 eV),具有良好的透光性和载流子迁移率,近年来已经在光电化学领域引起了众多科研工作者的关注和研究兴趣。目前CuSCN薄膜制备的工艺主要包括:浸渍法、液相蒸发法和铜阳极电解法及电化学沉积法。其中,电化学沉积法因为适用于大面积沉积,易于调控薄膜的组成和厚度,更适合于半导体基底上沉积等优点,最受关注。CuSCN半导体薄膜具有良好的光电性能,研究报道发现,p-CuSCN薄膜光电特性与薄膜结构形貌密切相关,而且目前报道的p-CuSCN薄膜结构缺陷较多,界面阻抗较大,载流子寿命不高,光电性能普遍较差。因此,本课题尝试利用电化学沉积法制备p-CuSCN薄膜,通过改变不同实验参数实现调节薄膜的结构形貌和光电性能,探究薄膜结构与光电性能之间的内在关联;并尝试对CuSCN薄膜进行改性,借助多种材料表征手段和光电测试技术对产物的结构和光电特性进行探究,提高薄膜的光电性能。本文主要研究工作包括:1.电化学沉积p-CuSCN半导体纳米棒薄膜的制备及其光电性能的研究采用电化学沉积法制备p-CuSCN半导体纳米棒薄膜,通过改变电化学沉积电压来调控薄膜的结构形貌和光电特性。研究结果表明,当沉积电压为-0.4 V,电荷量保持40 mC/cm~2的条件下沉积在FTO导电玻璃上的p-CuSCN半导体纳米棒薄膜相对于其他沉积电压(即:-0.1 V,-0.2 V和-0.3 V)条件下沉积的薄膜而言,具有更为规整的棒状结构和更好的光电性能。2.碳量子点负载p-CuSCN纳米棒薄膜的制备及其光电性能的研究在前期成功制备获得p-CuSCN纳米棒薄膜的前提下,进一步通过负载碳量子点的方式对p-CuSCN纳米棒薄膜进行改性,尝试改善CuSCN薄膜光电性能。首先,在电化学沉积p-CuSCN纳米棒的电解液中加入一定量的碳量子点溶液,然后通过电化学沉积法一步实现碳量子点(CQDs)在CuSCN纳米棒上的负载。研究发现,碳量子点成功负载在CuSCN纳米棒上,经过碳量子点改性后CuSCN纳米棒薄膜的光谱吸收性能有较大提升,尤其是在可见光区域;CQDs改性薄膜电极的平带电位也由未改性时0.3 eV减小为0.2 eV,光电流强度明显增强,约为未改性CuSCN薄膜的6.5倍,表明CQDs的负载能够有效提高CuSCN薄膜的光电性能。光电化学测试结果证实,CQDs/CuSCN复合薄膜的电化学阻抗要小于未改性CuSCN薄膜,CQDs的负载有利于光生载流子的迁移和分离,光生载流子寿命也得到了大幅提升(由改性前的66.4 ms增加到了改性后的108.32 ms),从而导致了光电性能的改善。3.KSCN预处理改性电化学沉积p-CuSCN半导体薄膜的制备及其光电性能的研究我们尝试通过KSCN预处理改性手段对FTO导电玻璃基底进行处理,然后利用预处理改性的FTO导电玻璃进行电化学沉积p-CuSCN薄膜,探究KSCN预处理过程对沉积CuSCN纳米棒薄膜结构形貌及其光电化学性能的影响。首先,将FTO导电玻璃置于KSCN溶液中浸泡一段时间,将KSCN预处理FTO导电玻璃进行电化学沉积CuSCN纳米棒薄膜,然后对制备的薄膜进行光电性能研究。研究表明,KSCN预处理过程能够在一定程度上改变CuSCN纳米棒薄膜的结构形貌,能够显着提高CuSCN半导体纳米棒薄膜的光电流响应强度,其光电流大小约为未预处理FTO沉积薄膜光电流强度的13倍,这归因于KSCN预处理FTO过程能够大幅度地提高CuSCN薄膜的光生载流子传输速度和载流子寿命。通过探究KSCN预处理过程对FTO基底表面物性结构、微观形貌和亲水性的影响,我们认为,KSCN预处理过程能够在FTO基底表面通过硫氰酸根离子与导电氧化物之间的相互作用而吸附一层KSCN微粒,KSCN吸附层的存在在一定程度上改变了FTO表面的物性结构和微观形貌,也提高了FTO表面的亲水性,有利于后续CuSCN在FTO表面的电化学沉积过程,从而形成了更为规整有序、分布更为致密均匀的CuSCN纳米棒薄膜,因此大大改善了CuSCN薄膜的光电化学性能。(本文来源于《中国计量大学》期刊2017-12-01）
李婷婷[4]（2017）在《二维SnO半导体薄膜场效应晶体管的制备及Ⅳ特性研究》一文中研究指出2维(2D)SnO半导体薄膜材料及在微纳电子器件中的应用问题受到了人们的广泛重视。近年来,各国科学家们已从SnO材料及器件的制备研究中发现,SnO具有较大的电子亲和势(3.7eV),其基本带隙也较小(0.7eV),同时,SnO还具有较小的电离势(4.4eV)。理论证明,较大的电子亲和势更利于半导体的n型掺杂,而较低的电离势也更利于p型掺杂,因此,SnO氧化物半导体具有的双极导电特性,有望应用于高迁移率沟道薄膜场效应晶体管及CMOS器件的制备中。针对此问题,为探索简单可行的2维SnO半导体薄膜及2D微纳电子器件的制备工艺及特性,本论文采用了射频磁控溅射技术,开展了2维SnO半导体薄膜材料的制备及特性研究工作。主要研究内容如下:1、在前期研究工作基础上,开展了单层及少层2维SnO层状薄膜的制备工艺、膜层特性影响因素研究。实验中,利用高纯SnO粉末,经高温热压烧结制备出磁控溅射陶瓷靶,探索了最佳溅射沉积参数,保证了制备的单层、少层SnO薄膜中的Sn:O之比近似为1:1,解决了因SnO在高温下的不稳定性导致沉积膜中出现金属Sn或SnO_2等杂质问题。2、开展了不同溅射功率、沉积时间、退火条件等实验因素对制备的单层及少层2维SnO层状薄膜结构及电子学特性的影响。制备出了厚度为3.034nm,结构为四方晶系结构的SnO少层薄膜,用XPS谱线分析了薄膜样品中的Sn、O及其它杂质含量。并在高分辨率的Sn 3d光谱中发现SnO的Sn 3d_(5/2)峰和Sn 3d_(3/2)峰分别位于结合能486.13eV和494.50eV处,证实了样品的元素组成约为Sn:O为1:1。3、完成了少层SnO半导体薄膜底栅p沟道SnO半导体FETs器件的制备及IV特性研究工作。测试结果表明,实验制备的新型薄膜晶体管输出特性呈p型。器件源漏极之间的电流绝对值随制备SnO半导体FETs溅射功率、沉积时间及沟道宽度的减小而增大,晶体管的沟道电导可由施加的栅极电压调制,在-5V栅压下,最大电流值为43μA,经300℃高温快速退火后的器件的源漏极之间的电流I_(DS)高于未退火器件,器件量子传输效应比传统的CMOS器件更好。论文研究结果说明少层SnO半导体薄膜材料具有较好的电子传输特性,研究结果为今后的开发新一代微纳电子器件提供了一定的参考数据。(本文来源于《辽宁师范大学》期刊2017-04-01）
谢灯,丘志仁,万玲玉,TIN,Chin-che,梅霆[5]（2016）在《结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征（英文）》一文中研究指出宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2eV以上,一阶声子特征峰在100至1500cm~(-1)之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆偏振光谱与红外傅里叶反射谱进行传输矩阵分析的方法,能够同时确定从紫外波段(约250nm)到远红外波段(约22000nm)的薄膜材料色散关系和膜厚。我们构建了基于谐振子的光学函数模型,并论证这个模型很适合用于模拟由各种不同波长入射光波造成的共振吸收。(本文来源于《光散射学报》期刊2016年03期）
钟志有,陆轴,龙路,康淮[6]（2016）在《镓锌氧化物半导体薄膜的晶粒生长特性及其微结构研究》一文中研究指出采用Zn O:Ga3O2高密度陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓锌氧化物(Ga Zn O)半导体薄膜.基于X射线衍射仪的测试表征,研究了薄膜厚度对Ga Zn O样品晶粒生长特性和微结构性能的影响.研究结果表明:所制备的Ga Zn O样品为多晶薄膜,并且都具有六角纤锌矿型结构和(002)晶向的择优取向生长特性;其(002)取向程度、结晶性能和微结构参数等均与薄膜厚度密切相关.随着薄膜厚度的增大,Ga Zn O样品的(002)择优取向程度和晶粒尺寸表现为先增大后减小,而位错密度和晶格应变则表现为先减小后增大.当薄膜厚度为510 nm时,Ga Zn O样品具有最大的(002)晶向织构系数(2.959)、最大的晶粒尺寸(97.8 nm)、最小的位错密度(1.044×1014m-2)和最小的晶格应变(5.887×10-4).(本文来源于《中南民族大学学报(自然科学版)》期刊2016年01期）
谢灯,丘志仁,万玲玉,Chin-CheTin,梅霆[7]（2015）在《结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征(英文)》一文中研究指出Wide band gap semiconductor films,including silicon carbide(Si C),gallium nitride(Ga N),zinc oxide(Zn O)and their compounds and isomers,posess a band gap larger than 3.2 e V,and the characteristic phonon peak lies between 100 and 1500 cm-1.There are many methods to determine the band width and the(本文来源于《第十八届全国光散射学术会议摘要文集》期刊2015-10-22）
聂鹏[8]（2015）在《透明氧化物半导体薄膜的制备及其光电特性的研究》一文中研究指出以ZnO、Ga_2O_3、NiO、CuO等粉末为原料,采用固相反应法制备了ZnO:Ga和NiO:Cu陶瓷靶材。研究了不同烧结温度对ZnO:Ga和NiO:C u陶瓷靶材的致密度和掺杂比的影响。采用射频磁控溅射镀膜机在玻璃衬底上沉积了具有高度c轴择优取向的ZnO:Ga和NiO:Cu透明半导体薄膜。探索了溅射功率、氩气流量、溅射压强、衬底温度和氧气流量等工艺对ZnO:Ga和NiO:Cu薄膜的微结构、光学性能和电学性能的影响。在最佳的成膜工艺下,在ITO玻璃衬底上沉积了ZnO:Ga和NiO:Cu膜,测试了ZnO:Ga和N iO:Cu膜的I-V特性曲线。主要实验结果如下：(1)经1500℃,4小时烧结的ZnO:Ga陶瓷靶材,其镓锌原子掺杂比为4.34%,其致密度高达98.84%。(2)经1300℃,4小时烧结的NiO:Cu陶瓷靶材,其铜镍原子掺杂比为9.96%,其致密度高达98.02%。(3)ZnO:Ga陶瓷靶材的烧结温度超过1550℃时,靶材致密度下降到96%；而镓锌原子掺杂比上升到18.67%,且镓锌原子掺杂比随着烧结时间的增长而升高。(4)在烧结过程中,当烧结温度高于1100℃时,如升温速率超过1℃/min,会导致NiO:Cu陶瓷靶材开裂、弯曲。(5)霍耳效应实验结果显示,本文所制备的ZnO:Ga薄膜均为n型半导体。XRD测试结果显示,在ZnO:Ga薄膜的XRD图谱中,只含ZnO (002)的特征衍射峰。(6)ZnO:Ga薄膜的晶粒尺寸大小、载流子迁移率在溅射功率加大时上升；电阻率和光学透过率在溅射功率增加时候下降。实验结果显示,ZnO:Ga薄膜的光学透过率均大于80%。(7) ZnO:Ga薄膜的晶粒尺寸、载流子迁移率和电阻率随沉积过程中氩气流量、溅射压强、衬底温度和氧氩比的变化而变化。当氩气流量为60SCCM时,ZnO:Ga薄膜的晶粒尺寸较大,载流子迁移率较高,而电阻率较低。当氩气流量为80SCCM时,ZnO:Ga薄膜的光学透过率较高。当溅射压强为0.35Pa时,ZnO:Ga薄膜晶粒尺寸和载流子迁移率较大,而其电阻率较小。当溅射压强为2Pa时,ZnO:Ga薄膜的光学透过率较高。当衬底温度为450℃时,ZnO:Ga薄膜晶粒尺寸和载流子迁移率较大,而其电阻率较小。当衬底温度为350℃时,ZnO:Ga薄膜的光学透过率较高。当氧氩比为1：1时,ZnO:Ga薄膜晶粒尺寸较小,其光学透过率较大。(8)霍耳效应实验结果显示,本文所制备的NiO:Cu薄膜均呈现为p型半导体。(9)NiO:Cu薄膜的载流子迁移率、电阻率和光学透射率随沉积过程中溅射功率、溅射压强、衬底温度和氧氩比的变化而变化。随着溅射功率的增加,NiO:Cu薄膜的电阻率和载流子迁移率逐渐增大,光学透射率逐渐降低。XRD图谱显示,当衬底温度为350℃时NiO(111)衍射峰较强,随着衬底温度的增加,NiO(111)衍射峰强度降低。提高衬底温度导致电阻率和载流子迁移率先增高而后降低。薄膜的光学透过率随衬底温度的升高而升高。当氧氩比为1：1时,NiO (111)衍射峰较强；随着氧氩比的升高,NiO薄膜样品的电阻率先减小而后增大,载流子迁移率先增加后减小,薄膜的光学透过率随氧氩比的升高而升高。(10)在n型ZnO:Ga薄膜上沉积p型NiO:Cu薄膜制成pn结,并采用霍耳效应装置测量其I-V曲线,显示出典型的pn结的I-V曲线。(本文来源于《广西大学》期刊2015-06-01）
白玉庭[9]（2015）在《非均匀Fe-Ti-O磁性半导体薄膜的结构、磁性和电输运特性》一文中研究指出非均匀磁性半导体薄膜是一种同时具备半导体性质和磁性质的薄膜材料,是最有可能实现自旋电子器件实际应用的材料之一。这类薄膜主要通过向半导体中掺杂磁性离子来制备。人们先后在磁性金属–非磁性金属多层膜系统、磁性金属–绝缘体颗粒系统以及磁性隧道结中发现了室温下的磁电阻效应(GMR),并努力将这种非本征的电子输运特性应用到电子学器件中。GMR效应来源于电子的自旋相关散射或自旋相关的隧道效应,即与两个相邻磁性单元的磁化强度的相对取向以及传导或隧道电子的自旋极化率有关。因此,近年来,非均匀磁性体系的磁性、结构及自旋相关的电子输运特性的研究是电子材料和器件领域最为活跃的研究课题之一。本论文中采用磁控溅射的方法制备了非均匀的FexTi1-xOδ磁性半导体薄膜,并对制备的FexTi1-xOδ系列薄膜的微结构、磁性质及电输运性质进行了详细的表征和分析。研究表明所制备的薄膜是非结晶态的,且薄膜内各种元素的分布是不均匀的。所有的样品在低温时都具有明显的铁磁性特征;温度为5 K时,样品的矫顽力超过600 Oe,磁化强度的最大值超过1000 emu/cm3;室温时,样品的矫顽力与剩磁都减小为0,磁化强度的最大值减少为410 emu/cm3。对样品的电输运性质研究表明:所制备薄膜的电输运特性为可变程跃迁导电机制,温度为3 K时,样品中最大的负磁电阻值为32%;室温下,磁电阻仍为8%,并且为负值。低温时的负磁电阻效应是由薄膜的无序磁矩的反铁磁性造成的。(本文来源于《天津理工大学》期刊2015-01-01）
王佳伟[10]（2014）在《In_2O_3基稀磁半导体薄膜的离子注入制备和特性研究》一文中研究指出首先综合介绍了稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors, DMSs)的基本理论和应用前景,以及In2O3材料的结构、性质和用途,并介绍了过渡金属元素掺杂IN2O3基稀磁半导体的研究进展。过渡金属掺杂In2O3基稀磁半导体是本文研究的主要内容,本文实验中选择具有铁磁性的Fe离子和金属单质及氧化物都没有铁磁性的Cu离子作掺杂元素,采用强流金属源MEVVA(Metal Vapor VacuumArc)源离子注入机将Fe离子和Cu离子分别注入到纯In2O3薄膜中来研究Fe离子和Cu离子的注入对In2O3薄膜样品磁性质的影响,发现Fe离子和Cu离子注入后,所制备的In2O3薄膜样品都具有室温铁磁性。对Fe离子注入掺杂的In2O3薄膜样品,研究了Fe离子注入剂量和退火氛围对样品室温铁磁性的影响。不论是在真空退火、还是在氧氛围中退火,样品的室温铁磁性随着Fe离子注入剂量的增加而增强。相比于纯In2O3薄膜样品和同一Fe离子注入剂量的样品,在真空中退火比在氧氛围中退火其室温铁磁性要强。经X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)分析,真空中退火的样品,额外引入了大量的氧空位,氧空位的增加有利于样品室温铁磁性的增强,特别是对纯In2O3薄膜样品,相比于在氧氛围中退火后其可忽略不计的微弱铁磁性,在真空中退火的纯In2O3薄膜样品的饱和磁化强度提高了近十倍,这表明缺陷(如界面、表面缺陷等)、特别是氧空位对纯In2O3薄膜的室温铁磁性有着巨大的贡献。Fe离子注入后,Fe离子取代In离子在In2o3晶格中的位置,在Fe离子固有磁矩的作用下使邻近的电子自旋极化,形成束缚磁极化子,相邻的磁极化子之间磁场迭加发生铁磁耦合相互作用,或者以氧空位为中间媒介发生间接相互作用,产生宏观上的室温铁磁性。在真空中退火的IN2O3薄膜样品引入了大量的额外氧空位,这些引入的额外氧空位既能破坏样品中的Fe离子间通过O离子发生的反铁磁性耦合对(Fe-O2-Fe),又能增加Fe离子间通过氧空位产生Fe-VO-Fe铁磁性耦合对,这也是真空中退火的样品其室温铁磁性比氧氛围中要强的原因所在。本文还研究了Fe离子的注入能量对In2O3薄膜样品磁性的影响,在Fe离子的注入能量较小时,Fe离子在In2O3薄膜中的分布区域较浅,同一注入剂量Fe离子的浓度相对要高一些,而且由于纳米尺寸、表面效应等因素的影响,当Fe离子的注入剂量相同时,较低能量注入制备的Fe离子掺杂In2O3薄膜样品其饱和磁化强度比较高能量注入时要大。除了将具有铁磁性的Fe离子注入到In203薄膜中,文中还选择了金属单质及氧化物都没有铁磁性的Cu元素做掺杂离子以作对比。发现在Cu离子注入后In2O3薄膜样品也具有室温铁磁性,而且较同一注入能量和剂量的Fe离子注入掺杂的In2O3样品的室温铁磁性要强,尽管Cu2的离子磁矩比Fe离子(Fe2+, Fe3+)要小。这是因为一方面注入的Cu离子为+2价,属于p型掺杂,产生的空穴载流子有助于扩大Cu3d轨道与02p轨道杂化产生的束缚磁极化子的作用范围,使更多的Cu离子间发生铁磁耦合相互作用；另一方面,对同一注入剂量和注入能量的Fe离子和Cu离子,由于Cu离子在In2O3基体中的投影射程较Fe离子小,离子注入分布区域较浅,Cu离子的掺杂浓度较Fe离子在其注入区内要高,因而有更多的束缚磁极化子参与磁性相互作用,促进样品的宏观铁磁性的增强。(本文来源于《武汉大学》期刊2014-09-01）
半导体薄膜特性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用磁控溅射掩膜制备工艺,在n型Si衬底上分别制备了底栅型p沟道Cu_2O半导体薄膜场效应晶体管(TFTs).用XRD、SEM、XPS等检测分析方法对不同条件下制备的Cu_2O薄膜的晶体结构、表面形貌、化学成分进行了表征.对O_2通量、退火温度及沟道宽度等因素对半导体薄膜及器件特性的影响进行了对比研究.研究发现,O_2通量是制备Cu_2O半导体薄膜的关键因素,器件I_(DS)电流的绝对值随着栅压的绝对值的增大而增大,具有典型的p沟道增强型场效应晶体管特征.其Ⅳ特性与溅射沉积时间、沟道宽度、退火因素等有关,真空退火处理后有助于提高器件的I_(DS)的绝对值.测试表明,制备的沟道宽度为50μm的典型器件的电导率、电流开关比和阈值电压分别为0.63S/cm,1.5×10~2及-0.6V.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导体薄膜特性论文参考文献
[1].吕东徽.Cu_2O半导体薄膜场效应晶体管特性的理论分析与实验研究[D].辽宁师范大学.2019
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[3].王方.p型CuSCN半导体薄膜的结构设计及其光电特性研究[D].中国计量大学.2017
[4].李婷婷.二维SnO半导体薄膜场效应晶体管的制备及Ⅳ特性研究[D].辽宁师范大学.2017
[5].谢灯,丘志仁,万玲玉,TIN,Chin-che,梅霆.结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征（英文）[J].光散射学报.2016
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[8].聂鹏.透明氧化物半导体薄膜的制备及其光电特性的研究[D].广西大学.2015
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