钨材料中不同来源缺陷对氢同位素滞留影响的最新进展

论文摘要

钨材料中不同来源缺陷对氢同位素滞留的影响是目前聚变材料研究领域的关键问题,本文主要介绍了材料本身固有缺陷、不同类型等离子辐照导致的缺陷和中子辐照导致的缺陷等,分别总结了上述不同来源缺陷对于钨中氢同位素滞留情况的研究进展,为以后相关研究方向提供参考。

论文目录

• 1 氢同位素在不同微观结构钨材料中的滞留研究
• 2 不同等离子辐照对于钨中氢同位素滞留的影响
• 3 预损伤对于钨中氢同位素滞留情况研究
• 4 总结

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 解玉栋,杨钟时,濮阳寿安,李克栋,念飞飞,李小椿,吴婧,罗广南

关键词: 氢同位素,缺陷,钨材料,滞留

来源: 材料热处理学报 2019年11期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 金属学及金属工艺,核科学技术

单位: 中国科学院等离子物理研究所,中国科学技术大学

基金: 国家自然科学基金面上项目(11575242,11875287),国家磁约束核聚变能发展研究专项(2018YFE0303103)

分类号: TL627;TG146.411

DOI: 10.13289/j.issn.1009-6264.2019-0332

页码: 30-41

总页数: 12

文件大小: 845K

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