导读:本文包含了零场分裂论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:磁体,量子,晶体,因子,哈密,轨道,张量。
零场分裂论文文献综述
杜香容[1]（2017）在《CdS:Cr~(2+)晶体的零场分裂和顺磁g因子的理论研究》一文中研究指出CdS是II-VI族半导体,掺有磁性杂质(过渡金属或稀土离子)的II-VI族、III-V族半导体是重要的稀磁半导体,稀磁半导体主要是通过利用电子的电荷特性和自旋特性,不仅具有半导体材料的特性,还具有磁性材料的特性。它将半导体的信息处理和磁性材料的信息储存功能,半导体材料的优点和磁性材料的非易失性两者相结合,若稀磁半导体材料研制成功,将会是材料领域革命性的进步。同时稀磁半导体在磁性物理学和半导体物理学之间架起了一架桥梁,因此不论从理论方面还是实际应用方面都具有非常重要的意义,成为了近年来国内外研究的热点。在理论研究中,掺杂稀磁半导体的零场分裂符号的疑难是长期以来没有彻底解决的问题。本文采用晶体场和电子顺磁共振理论,完全对角化方法,基于赵的双ζ离子波函数和离子局部结构,计算得到了CdS:Cr~(2+)晶体的光谱精细结构、电子顺磁共振g因子和零场分裂参量。计算结果与实验符合。研究发现,对于CdS:Cr~(2+)晶体,只考虑自旋五重态,不能解释其零场分裂参量。自旋叁重态对零场分裂有着重要影响。在实验误差范围内,自旋单态也有不可忽略的影响。本文创新工作如下:1、给出了新的dD2对称下CdS:Cr~(2+)晶体的零场分裂公式,解决了前人工作中的符号问题。2、系统地讨论了自旋多重态对CdS:Cr~(2+)晶体零场分裂贡献的相对大小。3、第一次对CdS:Cr~(2+)晶体的结构,光谱,g因子和零场分裂作出了统一解释。(本文来源于《四川师范大学》期刊2017-06-10）
谭晓明,赵刚,张迪[2]（2016）在《BaCrSi_4O_(10)与AgGaSe_2:Cr~(2+)吸收光谱的精细结构及自旋单态对零场分裂参量的影响》一文中研究指出在强场图像中构造了四角对称环境中Cr~(2+)离子包括自旋单态在内的完全能量矩阵,通过对角化能量矩阵方法,计算得到了BaCrSi_4O_(10)与AgGaSe_2:Cr~(2+)吸收光谱的精细结构及自旋单态对零场分裂参量的影响.从理论上给出了BaCrSi_4O_(10)与AgGaSe_2:Cr~(2+)吸收光谱的精细结构及BaCrSi4_O_(10)的零场分裂参量值.计算结果显示自旋单态对零场分裂参量D的影响完全可忽略,但对a和F的影响比较大.这种影响主要来自自旋-轨道耦合导致的自旋五重态与自旋叁重态和自旋单态的相互作用,而自旋轨道耦合的选择定则显示自旋单态并非直接影响五重态而是通过自旋叁重态间接地影响基态的五重态.因此,为了得到准确的零场分裂参量值,所有的自旋态都应该考虑.(本文来源于《物理学报》期刊2016年10期）
徐勇刚,吕蒙,陈建新,林铁,俞国林[3]（2015）在《非对称In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子（英文）》一文中研究指出研究了非对称In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻R_(xx)的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征。通过测量样品的反弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的R_(xx)双峰间距随倾斜角度θ的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子。样品的Dingle plot图呈现非线性的特征,这可以归因于来自样品衬底附近的掺杂Be原子的长程势散射效应(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2015年06期）
刘新智,徐勇刚,俞国林,林铁,郭少令[4]（2014）在《In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂》一文中研究指出利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20 nm、单边δ掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱,根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动,提取了其自旋分裂能Δ0和有效g因子|g*|,发现Δ0随浓度增加而增大,|g*|随浓度增加而减小.进一步的分析和计算表明,|g*|减小是由量子阱能带结构的非抛物性作用引起的.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2014年02期）
张阳波[5]（2014）在《BaFe_(12)O_(19)中Fe~(3+)的零场分裂及磁晶各向异性》一文中研究指出磁晶各向异性作为磁性材料的一项重要属性，它在实际应用中有着很大的影响。在各种包含稀土离子的合金以及铁氧体等磁性材料中高磁晶各项异性几乎是必须的。高磁性材料设计和制备中，磁晶各项异性常数K是一个重要参量。因此磁晶各项异性理论的研究很早就被人们纳入研究领域。前人对掺杂稀土离子的磁性材料的磁晶各项异性做了大量的理论和实验研究，其中实验所测得数值能够很好的解释磁性材料的各项特性以及行为。BaFe12O19是典型的铁氧体材料。前人对其零场分裂和磁晶各向异性进行了实验研究，采用二阶微扰公式对其进行计算和解释。后来，人们发现在叁价铁离子的6S态，用二阶微扰公式难以对零场分裂进行解释，从而发展了更高阶的微扰公式。可惜将这些高阶微扰的理论研究很少应用到钡铁氧体及其他永磁材料的零场分裂和磁晶各向异性的研究之中，因而对钡铁氧体零场分裂和磁晶各向异性的解释一直很粗糙。本文结合前人的工作，基于赵敏光的自由铁离子的波函数和光谱参量，将晶体场理论建立起来的零场分裂的高阶微扰公式应用于钡铁氧体的零场分裂和磁晶各向异性的研究之中，用以分析它们内在的物理机理。本研究的内容包括根据晶体场理论推导Fe3+在D3h对称场下的晶场、静电和自旋-轨道耦合矩阵元，建立了对角化的程序。用二阶、六阶微扰的方法对零场分裂参量D进行计算，并将它们与实验值进行比较。根据计算得到的相关参量计算磁晶各向异性常数K，分析磁晶各向异性的微观机理。(本文来源于《四川师范大学》期刊2014-03-17）
吕玲玲,王小芳,朱元成,刘新文,袁焜[6]（2013）在《非血红素铁(Ⅲ)活化氧分子反应的自旋轨道耦合和零场分裂（英文）》一文中研究指出采用密度泛函理论对原儿茶酚3,4-双加氧酶(3,4-PCD)活化O2分子的反应机理进行了探讨.初始复合物,六重态61的超快形成主要归因于电子交换诱导系间穿越(EISC),Fedz2:O2π*(z)是主要的交换通道,在Fe―O键长为0.2487nm处,交换重迭积分Sij=<dz2α|π*(z)β〉=0.3758.从六重态61形成四重态中间体41,有两种效应共存,即电子交换耦合作用和自旋轨道耦合(SOC)作用,且相互竞争.计算结果表明,自旋轨道耦合(SOC)作用起主导因素(SOC=353.16cm-1).至于O―O键的解离主要取决于儿茶酚(PCA)最高占据分子轨道(HOMO)的电子转移,非血红素酶的铁中心仅承担PCA向O2电子转移的缓冲作用.(本文来源于《物理化学学报》期刊2013年08期）
吕玲玲,朱元成,王小芳,左国防,郭峰[7]（2012）在《原儿茶酚3,4-双加氧酶复合物中自旋-轨道耦合与零场分裂的计算》一文中研究指出采用密度泛函理论(DFT)探讨了高自旋原儿茶酚3,4-双加氧酶(3,4-PCD)活化底物儿茶酚(PCA)复合物的磁性电子结构特征及电子轨道起源.计算的g-张量表明,从配体到金属电荷转移(LMCT)主要来自于配体PCA和Tyr408的型轨道转移电子到Fed轨道,导致沿x轴方向极化(PCA)或沿y轴方向极化(Tyr408).x和y轴方向的极化要求沿z轴方向,Lz(z=z′),产生较大的自旋轨道耦合(SOC)矩阵元,并且因单中心重原子效应Fe导致gz′=2.0158,即在z方向较大地偏离于ge=2.0023.由于△S=-1自旋翻转激发态混入六重基态,得到较大的零场分裂参数D=+1.147cm-1.SOC计算表明高自旋(S=5/2)基态3,4-PCD-PCA是弱的自旋翻转复合物(SOC=31.56cm-1).(本文来源于《科学通报》期刊2012年30期）
卢成,王丽,卢志文,宋海珍,李根全[8]（2011）在《ZnS:Cr~(2+)中局域晶格结构和自旋单态对零场分裂参量的贡献》一文中研究指出在统一配体场耦合图像的基础上,构造了d4电子组态过渡金属离子在强场图像下包括所有自旋状态的210×210维完全能量矩阵.通过对角化完全能量矩阵,研究了Cr2+掺杂ZnS的局域晶格结构和Jahn-Teller能.理论计算结果与实验值符合非常好.同时,还研究了Cr2+掺杂ZnS后体系自旋单态对零场分裂参量的贡献.结果表明:自旋单态对二阶零场分裂参量D的贡献可以忽略,但是对于四阶零场分裂参量a和F的贡献却不能忽略.(本文来源于《物理学报》期刊2011年08期）
王炳武[9]（2011）在《过渡金属离子零场分裂与分子结构关系的理论研究》一文中研究指出由于单分子磁体、单链磁体可以在单分子尺度上表现出宏观磁体所具有磁弛豫行为,在低温下出现宏观量子效应,可以产生台阶状的磁滞回线,所以在超高密度磁存储,量子计算等方面具有潜在的应用价值,是近20年来无机化学、配位化学研究领域的热点之一。形成单分子磁体、单链磁体的重要条件之一是形成一维链的分子结构单元或者单分子本身具有负(本文来源于《第十一届全国计算（机）化学学术会议论文摘要集》期刊2011-08-05）
杨子元[10]（2011）在《叁角对称晶场中~6S(3d~5)态离子零场分裂参量的微观起源》一文中研究指出基于完全对角化方法(complete diagonalization method,CDM),研究了6S(3d5)态离子在叁角晶场(包括C3v,D3,D3d点群对称晶场)中零场分裂(zero-field splitting,ZFS)参量D和(a-F)的微观起源.研究中除了考虑研究者通常考虑的SO(spin-orbit)磁相互作用外,同时考虑了SS(spin-spin),SOO(spin-other-orbit),OO(orbit-orbit)磁相互作用.研究表明:在叁角对称晶场中,6S(3d5)态离子的ZFS参量在所选晶场的大多部分区域主要起源于SO机理,但SS机理、SOO机理、OO机理对ZFS参量的贡献不能被忽略.此外研究表明:ZFS参量D和(a-F)主要来自纯自旋四重态及自旋二重态与自旋四重态联合作用的贡献,纯自旋二重态对ZFS参量D和(a-F)的贡献为零.我们发现二阶ZFS参量D与四阶ZFS参量(a-F)有不同的微观起源.二阶ZFS参量D主要来自自旋四重态的贡献,而四阶ZFS参量(a-F)主要来自自旋二重态与自旋四重态联合作用的贡献.作为本文理论的应用,研究了掺杂晶体材料Fe3+:Al2O3,理论与实验测量符合很好.(本文来源于《物理学报》期刊2011年03期）
零场分裂论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在强场图像中构造了四角对称环境中Cr~(2+)离子包括自旋单态在内的完全能量矩阵,通过对角化能量矩阵方法,计算得到了BaCrSi_4O_(10)与AgGaSe_2:Cr~(2+)吸收光谱的精细结构及自旋单态对零场分裂参量的影响.从理论上给出了BaCrSi_4O_(10)与AgGaSe_2:Cr~(2+)吸收光谱的精细结构及BaCrSi4_O_(10)的零场分裂参量值.计算结果显示自旋单态对零场分裂参量D的影响完全可忽略,但对a和F的影响比较大.这种影响主要来自自旋-轨道耦合导致的自旋五重态与自旋叁重态和自旋单态的相互作用,而自旋轨道耦合的选择定则显示自旋单态并非直接影响五重态而是通过自旋叁重态间接地影响基态的五重态.因此,为了得到准确的零场分裂参量值,所有的自旋态都应该考虑.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
零场分裂论文参考文献
[1].杜香容.CdS:Cr~(2+)晶体的零场分裂和顺磁g因子的理论研究[D].四川师范大学.2017
[2].谭晓明,赵刚,张迪.BaCrSi_4O_(10)与AgGaSe_2:Cr~(2+)吸收光谱的精细结构及自旋单态对零场分裂参量的影响[J].物理学报.2016
[3].徐勇刚,吕蒙,陈建新,林铁,俞国林.非对称In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子（英文）[J].红外与毫米波学报.2015
[4].刘新智,徐勇刚,俞国林,林铁,郭少令.In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂[J].红外与毫米波学报.2014
[5].张阳波.BaFe_(12)O_(19)中Fe~(3+)的零场分裂及磁晶各向异性[D].四川师范大学.2014
[6].吕玲玲,王小芳,朱元成,刘新文,袁焜.非血红素铁(Ⅲ)活化氧分子反应的自旋轨道耦合和零场分裂（英文）[J].物理化学学报.2013
[7].吕玲玲,朱元成,王小芳,左国防,郭峰.原儿茶酚3,4-双加氧酶复合物中自旋-轨道耦合与零场分裂的计算[J].科学通报.2012
[8].卢成,王丽,卢志文,宋海珍,李根全.ZnS:Cr~(2+)中局域晶格结构和自旋单态对零场分裂参量的贡献[J].物理学报.2011
[9].王炳武.过渡金属离子零场分裂与分子结构关系的理论研究[C].第十一届全国计算（机）化学学术会议论文摘要集.2011
[10].杨子元.叁角对称晶场中~6S(3d~5)态离子零场分裂参量的微观起源[J].物理学报.2011
论文知识图
