分布布拉格反射镜论文_周健,李红飞,刘毓成,谈惠祖,刘正新

导读:本文包含了分布布拉格反射镜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:布拉格,反射镜,反射率,氮化物,氮化,有机物,金属。

分布布拉格反射镜论文文献综述

周健,李红飞,刘毓成,谈惠祖,刘正新[1](2013)在《太阳能电池光管理用异型分布布拉格反射镜设计与制作技术》一文中研究指出根据多光束干涉原理,基于迭代算法,设计出用于异质结太阳能电池的异型分布布拉格反射(IDBR)结构。通过优化设计S1(500nm+800nm)、S2(500nm+900nm)、S3(500nm+1000nm)、S4(500nm+800nm+1000nm)4种不同中心波长组合的异型布拉格背反射结构,发现S3具有最佳宽频带高反射效果,该异质结由两对非晶硅(32nm)/氮化硅(61.78nm)分布式布拉格反射(DBR)结构与叁对非晶硅(64nm)/氮化硅(123.57nm)DBR结构组成。借助等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法在异质结太阳能电池背面生长出具有五对α-Si:H/SiN结构的异型布拉格反射镜,并测试其反射光谱曲线。实验证明该异型布拉格反射镜在730~1155nm的光谱范围内反射率达到90%,在750~1110nm波长范围内的反射率高达95%,从而具有显着提高太阳能电池的宽谱吸收效率的潜力,可以对1000~1155nm范围内的红外光进行有效反射,增强电池对红外波段的吸收。(本文来源于《光学学报》期刊2013年09期)

王云华,薄报学[2](2013)在《无损耗型及损耗型分布布拉格反射镜光学特性的传输矩阵理论分析及优化(英文)》一文中研究指出利用传输矩阵理论对无光学损耗和有光学损耗的分布布拉格反射镜(Distributed Bragg reflector,DBR)分别进行了结构分析与优化。在光场正入射条件下,对具有HL、HLH、LH及LHL结构的DBR内部光场分布情况进行了模拟分析和实验验证。结果表明:光场正入射到DBR后,在HL及HLH型DBR结构内部的光场分布最弱。当组成DBR的材料层消光系数为0.01时,HL及HLH型DBR内部产生的能流密度吸收量最小,为其他结构的10%左右,材料吸收引起的中心波长反射率降低仅为3.6%;而LH及LHL型DBR结构由于材料吸收而导致反射率降低29.2%。因此,采用高折射率材料层作为DBR结构的第一层有利于提高DBR反射率,降低光学吸收。最后,通过MOCVD外延生长了具有HL结构的吸收型Al0.12Ga0.88As/Al0.9Ga0.1As DBR结构,并对其反射特性进行了测试。(本文来源于《发光学报》期刊2013年02期)

吴超敏,尚景智,张保平,余金中,王启明[3](2009)在《蓝光波段高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜的制作》一文中研究指出采用金属有机物化学气相沉积方法制备了蓝光波段高反射率AlN/GaN分布布拉格(DBR)反射镜。利用金相显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜以及分光光度计等测量手段对样品的物理特性进行了分析表征。结果显示样品的表面有少量圆形台面结构和裂纹出现,但在其他区域,样品具有较为平整的表面。该样品在462.5 nm附近获得最大反射率99.4%,表面均方根粗糙度小至2.5 nm。分析表明,所得DBR达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器的要求。(本文来源于《半导体光电》期刊2009年04期)

尚景智,张保平,吴超敏,蔡丽娥,张江勇[4](2008)在《MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜》一文中研究指出利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)。利用分光光度计测量,在418 nm附近最大反射率达到99%。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3 nm左右。样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求。(本文来源于《光电子.激光》期刊2008年12期)

施炜[5](2007)在《Al_xGa_(1-x)N/GaN调谐分布布拉格反射镜与单环有源的双环耦合硅基微环共振腔的研究》一文中研究指出本文的主要工作是对两种新型半导体器件结构的设计、计算模拟和分析。这两种器件分别是应用于GaN基发光二极管(Light emitting diode,LED)的AlxGa1-xN/GaN调谐布拉分布反射镜(Tuned distributed Bragg reflectors,TDBRs)和单环有源的双环耦合硅基微环共振腔(Active-passive coupled-double-microring silicon resonator)。它们均涉及到III-V族材料与Si材料的集成。为了提高传统分布布拉格反射镜(Distributed Bragg reflector,DBR)的全方向反射率,从而改善其提高硅衬底GaN基LED出光效率的能力,我们提出了TDBR。它是以获得最大的全方向反射率为目的,对传统的DBR的各层厚度进行优化得到的。我们通过混合模拟退火遗传算法计算得到了20.5对Si衬底AlxGa1-xN/GaN-TDBR的各层厚度。通过分析我们获得以下结论:1、对于确定的层数,相对于传统的DBR,TDBR在垂直方向上的反射率较低,但却拥有更高的全方向反射率;2、AlxGa1-xN材料中Al的含量越高,AlxGa1-xN/GaN-TDBR对DBR全方向反射率的改善效果越明显;3、DBR的反射谱中,全方向反射率的最大值偏离了设计的中心波长,而TDBR的全方向反射率的最大值则被调谐到了中心波长。传输损耗和共振波长漂移是微环共振腔面临的两个主要问题。通过求解波导传输方程和FDTD模拟,我们研究了微环共振腔的传输特性。分析结果表明了损耗/增益与环腔相位分离调制的必要性。为此,我们提出了一种新型的单环有源的双环耦合硅基微环共振腔。它由III-V族有源微环波导和p-i-n型SOI微环波导垂直耦合构成。双环之间的耦合反射系数在理想情况下趋于0,这样两个微环在功能上共同构成一个共振腔。在两个微环上分别加上控制电信号,可以对损耗和相移进行独立调制,从而实现高消光比条件下的精确波长校准。我们分析了双环耦合共振腔的传输特性,并通过一个光开关的示例说明了单环有源的双环耦合共振腔的调谐功能。分析表明:采用单环有源的双环耦合共振腔,可以分别通过mA量级和μA量级的电流对损耗/增益和环腔相位进行有效的调谐,从而实现共振波长的精确校准和较为理想的频谱特性。(本文来源于《深圳大学》期刊2007-05-01)

谢自力,张荣,刘斌,姬小利,李亮[6](2006)在《材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响》一文中研究指出采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DBR的性能影响很大。通过材料的优化生长,获得了反射率高达93.5%、中心波长和发射率都接近理论值的A lGaN/A lN DBR材料。(本文来源于《激光与红外》期刊2006年11期)

侯识华,孙捷,毛容伟,吴旭明,马骁宇[7](2006)在《基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器》一文中研究指出采用表面微机械技术制作了一种1 310 nm基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐Fabry-Perot光滤波器。该滤波器的通光孔直径约为70μm,在1.4 V的调谐电压下,调谐范围达到15 nm。并采用光学传输矩阵方法,分析了斜入射对这种可调谐光滤波器透射谱的峰值半高宽的影响。(本文来源于《半导体光电》期刊2006年05期)

张冠杰,舒永春,皮彪,姚江宏,林耀望[8](2005)在《AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长》一文中研究指出对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2005年06期)

姬小利,江若琏,李亮,谢自力,周建军[9](2005)在《AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的设计与表征》一文中研究指出设计了反射中心波长为500nm的A l0.3Ga0.7N/GaN和A lN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟。采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了样品。实际测量的样品反射谱中有明显的反射峰,但峰值波长与理论设计有偏差,峰值反射率也比理论设计值偏低。SEM和AFM测量结果表明:这是由生长层厚与设计的偏差和界面不平整引起的。(本文来源于《激光与红外》期刊2005年11期)

李亮,张荣,谢自力,张禹,修向前[10](2005)在《AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长》一文中研究指出文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。(本文来源于《激光与红外》期刊2005年11期)

分布布拉格反射镜论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

利用传输矩阵理论对无光学损耗和有光学损耗的分布布拉格反射镜(Distributed Bragg reflector,DBR)分别进行了结构分析与优化。在光场正入射条件下,对具有HL、HLH、LH及LHL结构的DBR内部光场分布情况进行了模拟分析和实验验证。结果表明:光场正入射到DBR后,在HL及HLH型DBR结构内部的光场分布最弱。当组成DBR的材料层消光系数为0.01时,HL及HLH型DBR内部产生的能流密度吸收量最小,为其他结构的10%左右,材料吸收引起的中心波长反射率降低仅为3.6%;而LH及LHL型DBR结构由于材料吸收而导致反射率降低29.2%。因此,采用高折射率材料层作为DBR结构的第一层有利于提高DBR反射率,降低光学吸收。最后,通过MOCVD外延生长了具有HL结构的吸收型Al0.12Ga0.88As/Al0.9Ga0.1As DBR结构,并对其反射特性进行了测试。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

分布布拉格反射镜论文参考文献

[1].周健,李红飞,刘毓成,谈惠祖,刘正新.太阳能电池光管理用异型分布布拉格反射镜设计与制作技术[J].光学学报.2013

[2].王云华,薄报学.无损耗型及损耗型分布布拉格反射镜光学特性的传输矩阵理论分析及优化(英文)[J].发光学报.2013

[3].吴超敏,尚景智,张保平,余金中,王启明.蓝光波段高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜的制作[J].半导体光电.2009

[4].尚景智,张保平,吴超敏,蔡丽娥,张江勇.MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜[J].光电子.激光.2008

[5].施炜.Al_xGa_(1-x)N/GaN调谐分布布拉格反射镜与单环有源的双环耦合硅基微环共振腔的研究[D].深圳大学.2007

[6].谢自力,张荣,刘斌,姬小利,李亮.材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响[J].激光与红外.2006

[7].侯识华,孙捷,毛容伟,吴旭明,马骁宇.基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器[J].半导体光电.2006

[8].张冠杰,舒永春,皮彪,姚江宏,林耀望.AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长[J].人工晶体学报.2005

[9].姬小利,江若琏,李亮,谢自力,周建军.AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的设计与表征[J].激光与红外.2005

[10].李亮,张荣,谢自力,张禹,修向前.AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长[J].激光与红外.2005

论文知识图

(a)单波导耦合谐振腔和(b)双波导耦合...单边布拉格反射波导结构示意图采用InP2空气隙分布布拉格反射镜...分布布拉格反射镜对数与反射率的...AlN/GaN分布布拉格反射镜之反射...采用InP-空气隙分布布拉格反射镜...

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